气敏器件用SnO2薄膜材料

采用溶胶-凝胶法以SnCl     

GaN薄膜的制备及其振动光谱的密度泛函理论研究

以氧化镓为镓源, 用溶胶-凝胶和高温氨化二步法, 在Si(111)衬底上制备出GaN薄膜. X射线衍射(XRD)分析表明制备的GaN薄膜是六角纤锌矿结构; 扫描电子显微镜(SEM)图片显示GaN晶粒的尺寸<100nm; 薄膜的红外光谱(FTIR)中有GaN的E1 (TO)声子模式. 用密度泛函理论(DFT)计算了氮化镓小团簇的振动频率. 结果表明: 富镓氮化镓团簇的振动频率在六方晶系纤锌矿结构GaN的光学声子峰值附近; 富氮氮化镓团簇中的N--N键的振动频率为2200cm^-1. 用氮化镓团簇的频谱对所制薄膜的红外光谱作了进一步分析.     

快速退火BF+注入非晶硅薄膜的显微分析

将具有能量９２ｋｅ Ｖ、剂量１×１０１５／ｃｍ ２ 的 Ｂ Ｆ＋ 注入由 Ｐ Ｅ Ｃ Ｖ Ｄ 方法制备的ａ Ｓｉ∶ Ｈ 薄膜中,然后用功率为 ６０ Ｗ 、束斑直径 ０２ｃｍ 的 Ｃ Ｗ Ｃ Ｏ２ 激光器进行 １０ｓ 快速退火。再用扫描电子显微镜（ Ｓ Ｅ Ｍ）进行显微形貌观察。分析结果指出：由于 Ｂ Ｆ＋ 的注入,使ａ Ｓｉ∶ Ｈ 薄膜中产生了多重结构缺陷,其表面轮廓是类似矩形和方形的图形;发现退火中的晶化是从这些缺陷的棱边开始。最后对晶化过程和机理进行了讨论。     

气敏器件用SnO_2薄膜材料

采用溶胶－凝胶法以ＳｎＣｌ２·Ｈ２Ｏ和ＺｒＯＣｌ２·８Ｈ２Ｏ为原料,制备出性能优良的纳米ＳｎＯ２薄膜材料。用Ｘ射线衍射仪分析了晶相,ＴＥＭ分析了微观结构。研究了掺杂、处理温度等对其性能的影响。在此基础上制作了ＳｎＯ２薄膜气敏器件,并检测了其气敏特性。     

氮磷钾蔗糖渣复混肥的生产和应用

文章介绍了氮磷钾肥与蔗糖渣混配制复混颗粒肥的生产工艺过程及该肥肥效试验结果,说明该肥料有使用推广价值。     

浅谈农村公共文化服务体系的建设与创新

加强农村公共文化服务体系建设,是传播先进文化,开展农村公益文化活动,提供农村公共文化服务,使广大农民获得精神文化生活,实现基本文化权益的的重要载体,是推进新农村文化繁荣发展的重要基础。因此,进一步加强农村公共文化服务体系建设,提高农村公共文化服务水平,活跃农村群众文化生活,推进社会主义新农村建设,具有十分重要的意义,本文以武义县柳城畲族镇加强农村公共文化服务体系建设的实践为依据,就农村公共文化服务体系建设问题进行探索。     

SiC薄膜的制备及其对气氛的响应研究

在CH4,H2,SiH4混合气体中用热丝化学气相沉积(HFCVD)法生长SiC薄膜。利用XRD、原子力显微镜(AFM)对SiC薄膜的表面形貌和晶体结构进行测试分析,结果表明,薄膜的确是SiC,其厚度为310nm。对该薄膜在较高温度(250℃)下进行气敏特性测试,发现其对乙醇、乙醚有较好的敏感特性。进一步研究表明,不同的薄膜制备工艺条件对薄膜的气敏特性有一定的影响,其中H2流量,掺杂(N2)浓度对薄膜气敏特性影响较大。     

Mg掺杂InxGa1-xN薄膜的磁控溅射法制备和表征

本文采用磁控溅射法用In2O3靶、Ga2O3靶、Mg靶在Si片上制备出InxGa1-xN薄膜和Mg掺杂的InxGa1-xN薄膜。薄膜中的In组分随着Mg的掺杂而减少,因为Mg的掺杂抑制了In-N键的形成,并增加了Ga进入薄膜的机会。通过EDS对Mg掺杂的InxGa1-xN薄膜的分析表明,有1.4%的Mg组分被成功地注入进InxGa1-xN薄膜。电学性能分析表明 In0.84Ga0.16N 和Mg掺杂的 In0.1Ga0.9N薄膜导电类型由n型转变为p型,而且Mg掺杂的 In0.1Ga0.9N薄膜的空穴浓度和电子迁移率分别为 2.65×1018 cm?3 和3.9 cm2/Vs。     

Pb1-xSnxTe晶体的合成及电磁特性研究

:利用布里奇曼法合成了 Pb1 - x Snx Te单晶 ,测试了其密度、阻温特性、霍尔效应 .实验测得其载流子浓度和霍尔迁移率大约在 ( 3～ 1 6)× 1 0 1 7/ cm3和 1 0 2 cm2 /Vs;随着 x的增加晶体从 P型半导体向 n型半导体转变     

Au/SiO-2/α-Si:H中Au与α-Si:H的相互作用研究

近年来对Au/α-Si:H系统分形及晶化方面的研究很多[1,2],它们的共同点是双层膜蒸镀都在真空中一次完成,中间不离开真空室,硅分形易于形成且效果非常显著.