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采用溶剂热法,通过改变溶剂的组成,合成了具有微球簇状、片层、针状和海胆结构的NiCo2O4样品,探讨了不同相貌结构的形成原因,考察了样品的电化学性能.实验结果表明,水热反应中溶剂比例不同,其介电常数不同,从而影响合成产物NiCo2O4形貌.针状结构的NiCo2O4-15样品有着94.032 m2/g的高比表面积,在1 A/g的电流密度下比电容高达1808.6 F/g,同时在10 A/g电流密度下循环1000次后容量保持率为80%,表现出优良的电化学性能和循环稳定性,在超级电容器材料领域具有应用前景. 相似文献
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以SeO2为硒源,以阳极氧化铝为模板,采用电化学方法对SeO2在碱性电解液中的还原过程进行了分析,确定了控电位制备CdSe纳米线的沉积电位和镀液组成,并分析了其沉积机理。在此基础上,以阳极氧化铝为模板,通过控电位法成功获得CdSe纳米线阵列。采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X-射线衍射对所制备的材料进行了形貌和结构表征。扫描电镜形貌分析表明,CdSe纳米线阵列高度有序、直径均一;直径约100 nm,与模板孔径一致。X-射线衍射测试表明,所制得的CdSe纳米线为立方晶型。光电性能测试表明,CdSe纳米线阵列电极的开路电位差值为324.8 mV,高于CdSe薄膜(125.5 mV);光催化降解罗丹明B测试表明,5 h后,CdSe纳米线的降解率达94.29%,强于CdSe薄膜(52.03%)。 相似文献
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以CoCl2·6H2O为原料,通过溶剂热法和磷化工艺在泡沫镍表面构建Co2P4O12阵列,Co2P4O12纳米线直径约200 nm。采用SEM、TEM和XRD进行形貌和晶体学特性表征,并利用三电极体系在碱性环境下测量电化学性能。在析氢过程中,只需要122 mV过电位就能达到10 mA·cm-2电流密度。析氧过程中,仅需要334 mV的过电位就能达到15 mA·cm-2电流密度。组装的电解池在15 mA·cm-2的电流密度下工作40 h后电解槽电压没有发生明显变化,展现出很好的稳定性。Co2P4O12/NF是一种有潜力的双功能催化剂。 相似文献
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王宏智 《电子工业专用设备》2006,36(3):51-54
自动对准技术是集成电路后封装设备中的一项重要单元技术,是全自动划片机与普通划片机的最大区别之一。国际上主要划片机制造商的全自动设备都配有实时高效的图像识别对准单元。作为提高其设备性能的一种有力手段,长期以来在划片机的研制过程中我们已逐渐形成了适合划片机应用的视觉识别技术,取得了显著的阶段性成果。 相似文献
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全自动划片机的关键技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
根据微电子工业的发展现状,论述发展全自动划片机的必要性;从全自动划片机的工作机理出发,分析空气静压电主轴、晶圆传输定位、自动对准、自动清洗等全自动划片机的关键技术;依据分析结果提出相应的解决措施。 相似文献
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通过阳极极化曲线、交流阻抗测试、扫描电镜研究了紫铜海水管焊接部位在人工海水中的腐蚀行为.结果表明:紫铜、白铜焊缝和黄铜焊缝在人工海水中的阳极过程类似,相同电位下,白铜焊缝的电流密度最小,耐蚀性最佳,与阻抗测试结果一致.黄铜焊缝在电位-0.012 V时出现电流峰,腐蚀产物膜多孔、疏松,随后电极进入钝化区,钝化膜由Cu2O、CuCl和ZnO组成;随电位升高,钝化膜溶解,发生铜锌置换反应,沉积的Cu导致活性电对的形成,增加了合金的腐蚀速度;当电位为+0.87 V时,电极表面富集了针状锡和锡的氧化物.随后,电极表面积累的锡和锡的氧化物及腐蚀产物层对脱锌腐蚀有一定的阻碍作用,电流密度有所下降,最后腐蚀达到一种动态平衡,腐蚀机制为溶解-再沉积机理. 相似文献
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通过表面改性技术制备了疏水性的纳米二氧化硅粒子,粒径约50 nm.在机械搅拌和超声场共同作用下,将纳米二氧化硅均匀分散到聚氨酯清漆中,制得纳米二氧化硅复合涂料,考察了纳米二氧化硅复合量对复合涂料性能的影响.直接腐蚀实验、阳极极化和交流阻抗测试结果表明,加入偶联剂改性的纳米二氧化硅后,复合聚氨酯清漆在氯化钠溶液中的抗腐蚀能力明显提高,浸泡腐蚀失重量减小约20%~70%,阳极腐蚀电流降低1个数量级以上,低频区涂层阻抗值增大2个数量级以上.油漆剪切强度和剥离强度实验显示,纳米复合漆膜的附着力增加. 相似文献
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采用化学沉淀法制备了CdS包覆TiO2(CdS/TiO2)复合纳米粒子,利用XRD、TEM、SEM、UV-Vis吸收光谱等对其进行了表征分析,并以可见光分解水制氢为探针反应考察了复合纳米粒子的活性。结果表明,CdS/TiO2复合纳米粒子的颗粒大小约为40 nm,TiO2以锐钛矿型存在,CdS以六方相存在;复合纳米粒子的吸收光谱较TiO2发生"红移",大幅拓宽了对可见光区的吸收范围。光解水制氢实验表明,CdS/TiO2复合纳米粒子具有良好的可见光释氢活性和光学稳定性。 相似文献