基于关键因子和辨识技术的光伏并网系统短路电流建模

为了提高光伏并网点短路时光伏系统输出短路电流计算准确性,提出以电压跌落程度n和光伏并网逆变器输出有功p及电网电压正序分量u⁺三个特征量为关键因子,分析推导三个关键因子与光伏并网逆变器输出电流峰值Imax的关系。采用光伏并网逆变器输出对称三相正弦交流电流为控制目标的电压功率控制策略,基于系统辨识技术,建立光伏并网逆变器输出短路电流模型并辨识其相关参数。运用求和算法,获得近似的光伏并网发电系统输出短路电流模型。基于MATLAB编程软件验证了所建模型的正确性。同时与PSCAD/EMTDC搭建的恒功率控制仿真模型对比分析论证了该模型能较准确反映光伏并网发电系统输出短路电流的大小。     

少数民族工科大学生汉语水平能力调查及对策研究

在问卷调查和数据分析的基础上,针对少数民族工科大学生的汉语运用能力不容乐观的现状,阐述了提高少数民族工科大学生汉语运用能力的必要性,并结合工科专业教学特点实际论述了如何提高学生汉语水平能力的方法。     

基于PSASP／UD光伏系统建模与并网仿真

在研究光伏并网系统的主要技术指标、控制策略、输出特性的基础上,利用电力系统分析综合程序PSASP／UD,开发、添加了适用于复杂网络环境下的系统模型,使模型具备光伏并网仿真的能力。将模型接入系统CEPRI-36算例,进行潮流稳态计算和短路暂态仿真。算例仿真证明了该模型能够准确地模拟光伏并网系统的输出特性,验证了理论方法的正确性。     

基于生物加工的PET功能修饰的进展

PET材料的功能化和高性能化日益受到重视,生物加工是进行聚酯功能化改性及环保处理的一种有效方法。本文综述了用于PET生物加工的两种方式的特性及应用情况,着重介绍了3种不同形态的PET进行生物水解表面改性修饰的过程,以及PET的物理特征、结构和水解产物等对其表面改性修饰能力的影响,最后对聚酯生物加工处理的前景做了展望。     

Web2.0构建网格资源平台技术研究

网格的一个重要功能就是共享资源,因此如何让各种资源方便的注册到网格系统中就成了网格构建的关键问题,而该问题正是当前网格推进过程中的重点.该文提出一种新型的基于Web2.0技术来获得资源的网格资源平台构建方法,及相应的资源注册及管理机制.谊方法利用Web2.0枝术构建一个开放的资源注册平台.通过该方法不仅可以有效加速网格资源注册,还有助于方便用户对网格系统的使用.实验结果证明,该方法能有效满足网格资源平台构建的需求.     

火力发电机转子一点接地事故原因分析及处理

通过分析某发电厂火力发电机转子一点接地保护动作造成发电机停机的事件,阐述了发电机转子一点接地保护动作的原因及事故处理情况,以提高发电机运行的安全可靠性。     

羟基硅油乳化工艺的研究——以OHX-4081为例

以羟基硅油OHX-4081为例,考察用于乳化的表面活性剂的种类和用量、HLB值以及其他因素对硅油乳液静置稳定性、高温稳定性、离心稳定性等的影响.结果显示:在室温、HLB值10.8、TO5和TO7作为乳化剂、m(乳化剂):m(硅油)=25:100、分散机转速1000 r/min,乳化时间90 min的条件下,得到的硅油乳...     

具有LVRT能力的并网光伏系统继电保护问题研究

具有低压穿越能力(Low voltage ride-though,LVRT)的光伏电站接入电网给保护带来一系列挑战。首先基于光伏电站的结构对光伏系统LVRT能力要求及反孤岛保护检测时间限制两个标准进行了介绍与分析,并基于PSCAD/EMTDC仿真分析了具有LVRT的光电站故障特性。其次从光伏电站接入配电网和输电网两个角度,在总结了具有LVRT能力的光伏电站故障特性基础上,归纳提出了配电网电流三段保护、重合闸、熔断器等受光伏电站的影响问题。深入分析了光伏电站LVRT能力与逆变器直流侧保护、反孤岛保护,输电网主变保护与线路纵差和距离保护等协调配合问题。最后,提出相应的整定原则或改进措施。     

基于参数识别光伏接入配网永久性故障判别方法

为了解决光伏系统接入配电网前加速自动重合闸重合于永久性故障的问题,提出了适用于光伏接入配电网的三相重合闸永久性故障判别方法。该方法以线路瞬时性故障为参考模型,通过建立线路故障线模分量数学模型,采用最小二乘算法识别线路相间电容,根据相间电容识别误差大小建立了永久性故障识别判据。当线路发生瞬时性故障时,识别值与实际值接近;而当线路发生永久性故障时,识别值与真实值差异较大。通过在PSCAD下建立仿真模型,对光伏接入配电网线路发生瞬时性故障和永久性故障进行仿真。仿真结果表明,该方法能够正确识别光伏接入配电网线路的故障类型,从而验证了该方法的正确性与有效性。     

GdO存储层中氧含量及掺氮对MONOS存储器特性的影响

采用反应溅射法制备以GdOx或GdON为存储层的MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Si)电容存储器,研究了GdOx中氧含量以及掺氮对MONOS存储器存储特性的影响。实验结果表明,含氧气氛中制备的GdO其氧空位(电荷陷阱)较少,且界面处存在较多Gd-Si键,导致界面态密度增加,因而存储特性欠佳;引入氮至GdO中可诱导出大量的深能级电子陷阱,并能提高介电常数、减少界面缺陷,因此GdON样品表现出好的存储特性:较大的存储窗口(±13V/1s的编程/擦除电压下,存储窗口4.1V)、高的工作速度、好的保持特性以及优良的疲劳特性(105循环编程/擦除后,存储窗口几乎不变)。