排序方式: 共有98条查询结果,搜索用时 46 毫秒
21.
采用射频磁控溅射和离子束溅射联合设备在玻璃衬底上制备出了具有良好附着性、低电阻率和高透过率的AZO/Cu/AZO多层薄膜.研究了衬底温度对薄膜的结构和光电特性影响.X射线衍射谱表明AZO/Cu/AZO多层薄膜是多晶膜,AZO层具有六角纤锌矿结构,最佳取向为(002)方向,Cu层具有立方结构.当三层薄膜制备过程中,衬底始终加热,衬底温度为100%℃时,制备的薄膜具有最高的品质因子2.26×10-2Ω-1,其方块电阻为11Ω·□-1,在波长500-800nm范围内平均透过率达到了87%.当制备靠近衬底的AZO层,衬底才加热时,发现衬底温度为250℃时,制备的多层薄膜光电特性最优,其方块电阻为8Ω·□-1,平均透过率为86%. 相似文献
22.
23.
24.
中国要从世界服装大国走向服装强国,中国的服装企业要与狼共舞,就要按照国际市场规则去操作,去提升自己的经营管理水平和竞争力。国内企业与国外企业的合资,不仅仅是引来外资,寻找国际市场的通路,更重要的是借鉴别人成功的先进经验,增强自己的实力。在经营管理上实现国际化,以求长期稳定的发展。因此,适时引进富有实际操作经验的高水平管理人才,不失为明智之举。 相似文献
25.
对GJT—320B型金属探测仪的使用维护进行探讨,提出维护要点,以供维护参考。 相似文献
26.
模具表面强化技术的应用及发展 总被引:2,自引:0,他引:2
本文比较系统地介绍了模具制造领域中所使用到的表面强化技术,并对今后的发展方向和前景进行了展望。 相似文献
28.
溅射气压对铟锡锌氧化物薄膜晶体管性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用射频磁控溅射技术,在不同溅射气压下制备了铟锡锌氧化物薄膜晶体管(ITZO TFT),分析了ITZO TFT电学性能随气压的变化规律。研究结果表明:非晶ITZO TFT的工作模式均为耗尽型;随着气压的增大,亚阈值摆幅及阈值电压先减小后增大、场效应迁移率逐渐减小,这是由载流子浓度和界面缺陷密度两方面因素共同决定的。溅射气压为0.4 Pa时,ITZO TFT综合性能最好,场效应迁移率高达24.32 cm~2/V·s,亚阈值摆幅为1.10 V/decade,电流开关比达到10~6。此外,ITZO有源层在可见光范围内的平均透过率超过80%,光学带隙值在3.2~3.4 eV之间,随气压的升高先减小后增大。 相似文献
29.
30.