IGCT器件的光刻技术

主要介绍了集成门极换流晶闸管(IGCT)的光刻技术.IGCT器件的光刻次数多,精度要求高,如何保证光刻质量是关键.根据IGCT光刻的特点,从光刻机的性能、光刻胶的选用以及刻蚀工艺改进着手,进行了大量的研究工作,较好地保证了IGCT的光刻质量,使芯片梳条废条率低于万分之二,促成了IGCT器件的研制成功.     

束管监测系统在青山矿的应用

实验室对青山矿煤样进行了试验，初步确定了放自然发火指标气体ＣＯ和ＳＯ２。应用束管监测系统作为青山矿自然发火早预报的主要手段，进一步验证了实验结果，成功地预报四次自然以火。     

急倾斜煤层工作面矿压规律研究

通过对急倾斜煤层工作面矿压的实测研究,弄清了该工作面的矿压显现规律,为该工作面选取可靠合理的支护方式和加强顶板管理提供了科学依据。     

化工工程项目建设安全管理及质量控制探究

化工工程项目自身的特殊性使得其建设危险性比较大,同时生产过程中涉及危险环节多,因此在化工工程项目建设安全管理及质量控制具有至关重要的意义。化工工程项目建设过程中应该建立安全生产责任制,强化安全生产培训,完善安全生产制度,严把施工现场安全关,确保项目建设安全管理。在进行项目建设质量控制的过程中要做好施工方案设计与审核,科学合理配置工程资源,记录工程数据,这对化工工程项目建设安全管理及质量控制具有一定的现实意义。     

界面陷阱分布对SiC MOSFET准静态C-V特性的影响

为了分析4H-SiC/SiO₂固定电荷和界面陷阱对MOSFET准静态电容-电压(C-V)特性曲线的影响机制，对不同栅氧氮退火条件下的n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)进行了氧化层中可动离子、界面陷阱分布和准静态C-V特性曲线的测试，并结合仿真探讨了测试频率、固定电荷、4H-SiC/SiO₂界面陷阱分布对准静态C-V特性曲线的影响。实验和仿真结果表明：电子和空穴界面陷阱分别影响准静态C-V曲线的右半部分和左半部分；界面陷阱的E₀、E_s、N₀(E₀为陷阱能级中心与导带底能级或价带顶能级之差，E_s为陷阱能级分布的宽度，N₀为陷阱能级分布的密度峰值)对准静态C-V曲线的影响是综合的；当E₀为0 eV,E_s为0.2 eV,电子和空穴捕获截面均为1×10^-18 cm²,电子和空穴界面陷阱的N₀分...     

TPAK SiC车用电机控制器功率单元的并联均流设计与实现

SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)作为车用电机控制器功率单元的核心器件，其并联不均流问题是影响电机控制器安全稳定运行的关键因素。对于热增强塑料封装(TPAK)SiC MOSFET功率模块实际应用中的不均流问题，首先通过理论推导和仿真，对影响SiC并联均流的器件参数、功率回路参数、驱动回路参数进行了全面的分析总结。然后结合仿真结果对电机控制器进行均流优化设计，其中包括对TPAK SiC MOSFET进行测试、筛选和分析，减小器件参数分散性的影响；基于器件开关特性，对功率模块的驱动回路采用单驱动器多推挽结构，减小驱动回路对并联均流的影响；设计了一种叠层母排结构，在ANSYS Q3D中提取到功率回路寄生电感为9.649 nH,采用ANSYS Q3D和Simplorer进行联合双脉冲仿真，电流不均衡度小于3%。最后，进行了电机控制器样机的试制及测试，实际测试结果表明电流不均衡度小于5%,验证了在车用电机控制器应用中TPAK SiC MOSFET模块均流设计的可行性。