相邻采空区的协同处理技术分析

为了保证大宝山矿由地下开采改为露天开采模式后的施工安全和提高生产效率,采用三维激光扫描技术对大宝山37线664采空区及39线655采空区进行了探测,发现2个采空区空间位置较为接近,整体标高不相同,在空间位置上呈现相错状态。经钻孔勘探两采空区主要以硅化岩与矽卡岩为主,局部含有铜硫矿体,岩体条件较好,并确定了相应的采空区形态、分布范围等。为此,利用矿方多年治理采空区得出的经验公式进行预测,对2个采空区进行顶板稳定性分析。提出了联合使用强制爆破崩落与废石充填的方法 ,给出了爆破参数设计及施工要点。现场实施结果表明,相邻采空区被较好地充填,成功消除了对生产安全的威胁。     

基于客户端主动认证的条件接收系统

本文探讨一种基于客户端主动认证的条件接收系统。本系统可以降低CA系统的处理负荷,提高网络带宽利用率,增大系统容量,同时可以支持多种业务。首先简要介绍现有条件接收系统,并指出其弊端,然后对基于客户端主动认证的条件接收系统及其关键技术进行论证,最后对本系统的性能作简要分析。     

3Dmine软件在露天矿山基建开拓中的应用

以舟山绿色石化基地大小鱼山岛多规格石料高强度开采工程为背景,采用无人机航测技术获取矿区的地形地貌信息,利用3Dmine软件建立矿区的数字表面模型,并进行运输道路优化设计、首采工作面布置以及开拓工程量计算等,最后进行动画模拟,分析露天矿山开拓系统的车-路协同效果,确保满足工程施工强度要求。实践表明:基于无人机航测技术与3Dmine软件规划设计露天矿山开拓系统,具有现场数据更新速度快、开拓系统设计便捷且可视性好的优势,有助于采场合理布局和石料科学调配,为多规格石料的高强度开采施工奠定了技术基础。     

基于鱼骨图模型的露天煤矿高温爆破施工安全研究

为了避免高温爆破施工中的早爆误爆事故,利用鱼骨图模型对施工安全进行了系统研究和分析。首先从"人、机、料、法、环"5个方面充分识别风险因素,接着分析事故发生途径,事故是众多因素共同作用的结果,最后研究风险控制措施,提出从控制装药的高温环境、提高爆破器材的耐热性能和完善施工技术管理措施3个方面共同构筑安全防火墙体系。实践表明,利用鱼骨图模型进行风险识别和风险分析,并按照避免重复投入的原则组合使用一系列风险控制措施,实现了高温爆破施工安全、成本和效率的统筹协调。     

提高光干涉式甲烷测定器维修率的应用研究

基于矿井光干涉甲烷测定器中的核心部件瓦斯室频繁进水的情况,在修复瓦斯室所需的气室胶上,经过反复实验,得出了松香和凡士林油的配置比例是7∶3,按照这个比例熬制出来的气室胶,对瓦斯室粘合修复效果密封性为100%,而后在重新找光干涉条纹的过程中,利用1 cm宽5 cm长的找光片总结出一套快捷、准确的维修操作工序,操作方法简单实用,易于掌握。该技术推广应用后,提高了光干涉测定器的维修率,每年节省材料费用10.5万元,提高工作效率3倍。     

露天多金属矿山地下采空区综合探测分析

由于地采转露采多金属矿山的地质条件复杂性和单一物探或者钻探方法的自身局限性,往往难以有效探测露天采场下的复杂采空区和盲空区,甚至漏探,对露天采矿作业构成较大的安全威胁。因此,针对地采转露采多金属矿山,通过物探和钻探手段进行多层次、多手段的采空区综合探测分析,即通过综合物探锁定空区范围,工程钻探核实空区位置,三维扫描探明空区参数,确保不漏探采空区,并能够探明复杂采空区和盲空区。实践证明,该综合探测分析方法可对多金属矿复杂采空区和盲空区进行较系统和全面的分析,为后续崩落爆破处理奠定基础,从而达到安全开采隐患资源的目的。     

HFC接入双向认证技术探讨

本文探讨一种基于非对称密码体制、单向散列函数、数字证书和数宇签名的HFC接入双向认证方案。在本方案中,认证服务器无需存储和查找客户端公钥,且运营商具有自签名的顶级证书服务器,无需借助第三方颁发证书。最后对本方案做了简要的性能分析。     

一种改进的逆变器并联控制方法研究

并网逆变器是直流电与交流电之间的转换装置,单个逆变器的容量非常有限,多个逆变器的并联能够增大系统的并网容量。但是由于并联系统的逆变器之间存在参数差异,各个逆变器之间存在一定的环流,所以需要对系统进行并联控制来减少环流的作用。在分析了逆变器并联并网和系统高频环流的基础上,采用了电流双闭环控制与重复控制相结合的方法以及LCL滤波的方式来降低系统的环流。最后通过仿真实验证明了该方法的有效性与稳定性。     

VTD法制备不同基底倾角的硒化锑薄膜及太阳电池

硒化锑(Sb₂Se₃)具有较高丰度及良好的光电特性,是当前热门太阳电池材料之一。目前,在Sb₂Se₃的多种制备方法中,气相转移沉积法(VTD)因工艺简单且可大面积制备而备受关注。采用VTD法制备Sb₂Se₃薄膜的影响因素有多种,如腔体气压、反应温度、蒸发源与衬底的位置以及生长角度等。本文利用VTD法以不同的生长角度(30°、45°、60°、90°)制备了Sb₂Se₃薄膜,对其进行XRD、Raman、SEM、近红外-紫外反射表征。结果表明不同生长角度对薄膜的结构以及光学特性具有明显的影响。晶粒尺寸随着生长角度的增加而先增大后减小,同时薄膜的形貌由棒状生长转变为片状生长,在基底倾角为90°时,薄膜变得最为致密。近红外-紫外反射光谱表明倾角60°的样品在波长小于1 100 nm的范围具有最低的反射率,在该角度下制备的FTO/CdS/Sb₂Se₃/C器件获得了2.38%的转换效率。