速度管柱排水采气在SR2-3气井上的应用探讨

涩北气田开发目前主要以边水驱动为主,气井均有不同程度的见水。随着开发的深入,地层能量不断下降,气井的携液能力降低,使得气井井筒积液现象越来越严重,导致气井不能正常生产或者直接水淹停躺。气井积液已经成为气田稳产的难题,严重制约了气田的高效平稳开发。为解决涩北气田目前的积液问题,近年开展了速度管柱排水采气理论研究与现场试验。通过在SR2-3井上的现场试验,有效提高了气井的携液能力,改善了气井的生产状况,为涩北气田积液井的治理提供了新的技术手段。     

输电线路交叉跨越三维模型算法的研究与应用

为准确定位交叉跨越点、计算交叉跨越距离,基于悬链线方程,建立了输电线路交叉跨越三维计算模型。通过实际测量,验证了模型的准确性和实用性,为交叉跨越距离测量和在线监测系统提供了可靠的算法支持。     

狭缝节流空气静压轴承局部气膜流场的直接数值模拟

采用3阶精度的迎风格式及2阶精度的中心差分格式,直接求解二维非定常N-S方程组,研究狭缝节流空气静压轴承压降恢复之后区域的流场特性。使用雷诺方程计算相同位置气膜中心处的流场状态,并与直接数值模拟方法的计算结果进行对比。结果表明:雷诺方程与N-S方程在计算域内计算结果基本一致,两者压力偏差为0.173%,速度偏差为1.217%;流场压力、密度沿气流方向逐渐减小,但在气膜方向几乎不变;流场速度、压力梯度沿气流方向逐渐增加,速度在流场出口处达到最大值;直接数值模拟方法得到了流场的温度变化,即整个流场的温度变化很小,温度整体呈上下高、中心低的分布,而雷诺方程无法计算得出整个流场的温度变化情况;采用雷诺方程计算轴承压降恢复之后区域的流场是合理的。     

浅谈35KV输电线路运行检修方法

现如今电力已经完全融入了我们的生活,因此必须要保证电力系统能够良好运行。本文主要阐释了35KV输电线路运行的安全保障措施,其中分析了35KV输电线路运行检修方法,这对于输电线路的输送效率都有重大影响。而进一步完善35KV输电线路的输送电系统,保证输电线路的良好运行,并且做好对电力设施的检修措施,为维持社会生活的正常稳定做出一份贡献。     

高精度平面气浮导轨的误差均化效应研究

气浮导轨具有高运行精度、高平稳性的一个重要因素在于气体具有误差均化作用。为了探究误差均化作用的大小,通过多个不同波长的正弦函数来模拟导轨轮廓误差,建立平面气浮导轨物理模型,采用有限差分的数值计算方法求出动气浮导轨在运动过程中的各个平衡位置参数,进而利用最小包容法求出其运行直线度。结果表明:气体润滑很好地实现了气浮导轨误差均化作用,且效果明显;与无气体润滑状态时相比,气浮导轨在通气状态时的运行直线度提高了约一倍,与静导轨轮廓误差相比提高了约2/3。建立的气体误差均化效应计算方法为探究误差均化的影响因素奠定了理论基础。     

重整进料微量水分析探讨

轻质油品的水含量分析采用卡尔费休法(电量法)检测,对于水含量较高的样品此方法分析结果重复性很好,但对于水含量较低的样品重复性较差且对操作过程要求较高,本文针对重整进料的石脑油水含量要求低,探讨了分析过程的影响因素,及如何提高分析的准确性。     

基于改进微分器设计的TIADC增益误差校准算法

针对传统微分器在处理TIADC系统中存在的增益误差时设计复杂、硬件资源消耗大而且校准算法校准频率范围比较局限,提出了一种利用Hilbert滤波器对传统微分器进行改进并构建校准算法,算法的Matlab仿真分析表明,在输入信号归一化频率为0.8546( )时,由误差引起的杂散被有效滤除,通过对SNR参数指标进行比较,由18.3dB提高到了68.5dB。相比传统结构算法,该算法可将校准带宽拓展至第一奈奎斯特频带以外,实现宽频带范围信号的校准,在实际应用过程中很大参考价值。     

用建筑解读历史--哈尔滨索菲亚教堂的历史、保护和开发

圣·索菲亚教堂的历史 一个城市各个时期的建筑,组成了一个城市的历史,凝固成一个城市的灵魂.唯有保留了那些标志着当时文化和科学水平或者具有特殊人文意义的建筑,才会使一个城市的历史绵延不绝,并永远焕发着灵魂的魅力和光彩.     

MOCVD同质外延生长的单晶β-Ga2O3薄膜研究

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在(010)Fe掺Ga₂O₃半绝缘衬底上进行同质外延生长Ga₂O₃薄膜,系统性地研究了生长温度(880℃/830℃/780℃/730℃)和生长压强(80/60/40/20 Torr)对外延薄膜表面形貌、晶体质量以及电学特性等的影响。结果表明随着生长温度和压强的增加：薄膜生长速率分别呈现出略微增加和大幅下降的趋势;薄膜表面阶梯束(step bunching)的生长方式逐渐增强,并且呈现出沿着[001]晶向生长的柱状晶粒;高分辨X射线衍射(XRD)扫描显示薄膜均只在(020)面存在衍射峰,表明生长的薄膜为纯β相单晶薄膜,且半高宽可达到45.7 arcsec;霍尔测试表明780℃和60 Torr的生长条件下薄膜的室温电子迁移率最高。本文为基于MOCVD的Ga₂O₃同质外延生长提供了系统的参数指导,为高质量Ga₂O₃薄膜的制备奠定了基础。     

邻氯甲苯分子筛提纯吸附及动力学分析

通过实验研究邻氯甲苯中微量对氯甲苯的吸附,对不同类型的分子筛吸附剂进行筛选。结果表明：吸附剂C的吸附效果最优,最优吸附剂质量分数为12.5%,最优吸附时间为15 min;吸附过程为放热、熵减过程,且同时存在物理吸附和化学吸附;当对氯甲苯质量分数为0.45%时,吸附速率最快。