相变存储器预充电读出方法

分析传统相变存储器读出方法读取速度受限的原因,提出一种预充电读出方法.该方法将本地位线充电到预充电电压后开始读取数据.预充电电压设置在第一参考电压和第二参考电压的中间值.第一参考电压为读取最高晶态电阻值的存储器件时的本地位线电压,第二参考电压为读取最低非晶态电阻值的存储器件时的本地位线电压.采用SMIC 40 nm CMOS工艺进行设计和仿真,1-Mb相变存储器的随机读取时间为6.64 ns;Monte Carlo仿真表明,最长随机读取时间为9.07 ns.传统读出方法的随机读取时间和最长随机读取时间分别为45.36 ns和128.1 ns.晶态单元读电流是4.84 μA.仿真结果表明,所提方法比传统方法能更好地抑制工艺角、电源电压和温度波动.     

高电源抑制比低温漂带隙基准源设计

根据带隙基准的基本原理,结合含三条支路负反馈的电流源,设计了一种高阶补偿的带隙基准源电路。实现了对温度的2阶补偿和3阶补偿,获得了一种高电源抑制比、低温漂、不受电源变化影响的电压基准源。设计采用0.35μm CMOS工艺,仿真结果表明,在-40℃～125℃温度范围内,输出电压的温度系数为7.70×10-7/℃,在1kHz时,电源抑制比为-82.3dB。     

过氧乙酸高级氧化技术机理及影响因素研究进展

过氧乙酸高级氧化技术(PAA-AOPs)能原位产生羟基(·OH)、有机自由基(R—C·)、超氧自由基(·O₂^-和单线态氧(¹O₂)等高活性物质，可提高有机污染物的可生化性，甚至使其完全矿化。与传统水处理技术相比，PAA-AOPs具有操作简单、成本低和毒副产物少等优势，潜力巨大。对PAA-AOPs的反应机理、研究现状、特有性质和主要影响因素进行了全面分析。首先综述了光照、过渡金属和碳质材料等方式活化PAA的机理，并分析对比了三种活化方式的优缺点，然后对PAA-AOPs降解有机污染物过程中的优势活性物质、易反应结构和主要反应路径进行了总结；其次根据PAA-AOPs的工艺特点，系统阐述了pH、PAA浓度、Cl^-、CO₃^2-、NO₃^-和天然有机质(NOM)等因素对PAA-AOPs降解有机污染物的影响，并对其中的深层次机理进行了概述；最后在此基础上对该技术未来的研究方向进行了展望。