用数理统计方法制定大型电渣炉重熔工艺

通过数理统计对电渣冶炼工艺进行设计,成功制定大型电渣炉重熔工艺,试验证明,电渣重熔工艺是合理的,能够满足生产和质量要求。     

两柱掩护式低位放顶煤支架的应用及研究

通过对四柱支撑式放顶煤液压支架存在问题的分析和两柱掩护式液压支架对煤层条件的良好适应性,经过大量的分析和论证,设计了两柱掩护式低位放顶煤液压支架,该型液压支架的设计和开发,为放顶煤液压支架的推广和应用提供了广阔的前景。     

快热退火对Co/n-Poly-SiGe肖特基结I-V-T特性的影响

采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83Ge0.17/n-Si肖特基结样品。在300～600℃范围内,对样品做快热退火。对不同退火温度下的样品做I-V-T测试。研究发现,测试温度升高,不同退火温度样品的肖特基势垒高度(SBH)的差别变小,500℃退火的样品,表观SBH最小。总体上,SBH随测试温度的升高而变大,理想因子的变化趋势则与之相反。基于SBH的不均匀分布建模,对实验结果给出了较为合理的解释。     

SiO2衬底上PECVD-Si1-xGex薄膜研究

在覆盖SiO2的n-Si(100)衬底上,采用等离子体增强化学沉积法(PECVD)制备Si1-xGex薄膜材料。薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱(AES)测定。对Si1-xGex进行热退火处理,以考察退火温度和时间对薄膜特性的影响。薄膜的物相通过X射线衍射(XRD)确定。基于XRD图谱,利用Scherer公式计算平均晶粒大小。Si1-xGex薄膜载流子霍尔迁移率由霍尔效应法测定。数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近线性关系,从而得出PECVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论。     

高炉炉墙结厚原因分析及处理

针对鞍钢集团朝阳钢铁高炉2016年4月份炉墙结厚问题,对其产生原因进行了调查、研究、分析,通过采用打水降料线方法,快速解决了炉墙结厚的问题,使高炉炉况迅速恢复正常,取得较好生产经营结果。     

镍铁渣安定性检验方法及评定依据

镍铁渣是一种大宗工业固体废弃物,可以将其回收再利用,用作混凝土粗细集料。镍铁渣中含有方镁石,存在潜在体积安定性疑问,故正确对其检验及合理评定是决定镍铁渣能否在混凝土中应用的前提。当镍铁渣替代砂用作细集料时,采用压蒸法检测镍铁渣砂浆没有开裂及变形,抗折强度比和抗压强度比达到104%和102%,均大于95%,安定性合格。镍铁渣替代碎石应用为粗集料时,通过80℃水养护法检测镍铁渣混凝土无微裂纹产生,膨胀率为0.009%,小于0.040%;劈裂抗拉强度保持率达到102%,大于90%,安定性合格。     

Pt/YSZ电极烧制工艺研究

借助交流阻抗谱测试技术和扫描电镜,研究了Pt/YSZ电极烧制工艺条件对其性能的影响.研究表明,制作Pt/YSZ电极时烧结温度越高,电极阻抗越大,氧传感器响应越慢,但O2的电极还原反应速率控制步骤(＞600℃,吸附氧原子Oatm在Pt表面向YSZ的扩散过程;＜500℃,气相O2分子在Pt/YSZ界面附近的解离吸附过程)未发生变化;电极烧结的升/降温速率对电极阻抗和氧传感器响应时间有显著影响,降温速率增大还会使电极反应激活能发生突变(＞600℃,激活能由169kJ/mol突然增至(217±4)kJ/mol);当Pt/YSZ电极工作温度＜500℃时,其最优烧制工艺为烧结温度700℃,升/降温速率0.5～1℃/min.     

电场增强金属Al和Ni诱导非晶硅横向结晶

本文分析了Al和Ni在外加电场作用下诱导非晶硅（a-Si）薄膜横向结晶的特点和机理。对影响非晶硅结晶的诸多因素,如场强、金属种类和退火条件进行了研究。简要概述了金属诱导横向结晶（MILC）相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管（TFT）中的应用。指出适当强度的电场可显著加快横向诱导结晶的速率,但场强超过一临界值后,则降低该速率,并基于电迁移效应较合理地解释了该现象。     

单位劳动成本与中美贸易收支关系的实证研究

文章利用1980~2007年的数据分析了中国制造业单位劳动成本的发展及其与美国的比较,并且通过构建相对单位劳动成本这一重要指标,运用计量方法检验了其对中美贸易收支的影响。结果表明,从相对单位劳动成本的角度来看,中国对美国还保持较大的出口竞争优势,并且制造业相对单位劳动成本优势的扩大,有利于中国对美贸易顺差的扩大。文章最后提出了应对中美贸易发展的一些相关建议。     

脉冲阵列式套管消磁仪设计

阐述了脉冲阵列式套管消磁仪的工作原理及主体结构,选用了电磁退磁作为套管消磁的方法,重点介绍了消磁线圈的结构设计和电路控制的工作原理。激励线圈使用阵列式组合,通过改变线圈的电流方向和大小来实现套管退磁。