金属电极材料对YSZ氧传感器性能的影响

借助循环伏安和计时电流方法,研究了金属电极材料对YSZ氧传感器性能的影响。结果表明,在500℃和空气条件下,Ag-1%Pd/YSZ电极由于具有合适的微观结构以及较强的氧扩散能力,使其无论是作为YSZ氧传感器的阳极还是阴极,性能均为最好,而Au/YSZ电极最差;各金属/YSZ电极具有相似的阳极极化计时电流曲线,其电流密度值在10 s之内即可达到平稳;随着阳极阶跃极化电位增大,使得参加电极还原反应的氧原子数量增加,从而导致Ag-1%Pd/YSZ电极电流密度稳定值亦增大。     

超薄W-Si-N作为铜与硅之间的扩散阻挡层

研究了W- Si- N三元化合物对铜的扩散阻挡特性.在Si ( 10 0 )衬底上用离子束溅射方法淀积W- Si- N ,Cu/W- Si- N薄膜,样品经过高纯氮气保护下的快速热退火,用俄歇电子能谱原子深度分布与X射线衍射以及电流-电压特性测试等方法研究了W- Si- N薄层的热稳定性与对铜的阻挡特性.实验分析表明W- Si- N三元化合物具有较佳的热稳定性,在80 0℃仍保持非晶态,当W- Si- N薄层的厚度仅为6nm时,仍能有效地阻挡铜扩散     

让耳朵更舒服 500元以下精品耳机推荐

对于经常听音乐的朋友来说，一套好的耳机音频系统尤为重要，一个好的播放器要配上一个好的耳机才能发挥出它的所长，如果你听惯了好的音质，以后听差一点的音质耳朵可能都接受不了。当然烧耳机是很费钱的，我们这里推荐的耳机只是为普通消费者准备的，300—500元这个价位之间的耳机应该都有自己的特点，有的侧重多声道，有的为运动而设计，还有的是电子竞技玩家的利器，不同耳机会体现不同韵味，因此大家在选购耳机的时候要根据自己的侧重点来挑选，总之，能够在音乐的世界里放松身心就可以了。     

现代大面积电子学的系统考察

现代大面积电子学主要涵盖大面积显示、太阳能电池和图像传感器等。对大面积电子学从产品、材料、工艺和设计的角度,进行了系统考察;分析了大面积电子学的特征、现状和发展趋势,并主要对有源矩阵液晶显示器(AMLCD)和太阳能电池存在的问题和改进措施作了较为详细的探讨。     

亲情文化凸显物业服务价值

将心比心换来业主真心支持 朝阳小区1号公寓住着一名采气矿员工李洪山,因为婚姻的不幸精神上受过刺激,在一些行为上与正常人表现不太一样.每次物业管理处的服务员进去为他打扫房间,他都乱发脾气,和同事们的关系也很紧张.但物业服务人员并没有对他弃之不管,反而将心比心,用更真诚的服务为他解决一些生活中遇到的问题.     

市政道路排水管道的施工技术探究

排水管道是市政道路施工建设的重要内容,其施工质量对于市政道路的快速、畅通排水有着直接影响,因此必须高度重视市政道路排水管道施工,加强各个环节的施工管理和控制,采用科学合理的施工技术,优化市政道路排水系统规划设置,保障市政道路排水管道施工质量。本文分析了市政道路排水管道施工存在的问题,阐述了市政道路排水管道施工技术,以供参考。     

SiO2衬底上PECVD-Si1-xGex薄膜研究

在覆盖SiO2的n-Si(100)衬底上,采用等离子体增强化学沉积法(PECVD)制备Si1-xGex薄膜材料。薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱(AES)测定。对Si1-xGex进行热退火处理,以考察退火温度和时间对薄膜特性的影响。薄膜的物相通过X射线衍射(XRD)确定。基于XRD图谱,利用Scherer公式计算平均晶粒大小。Si1-xGex薄膜载流子霍尔迁移率由霍尔效应法测定。数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近线性关系,从而得出PECVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论。     

幅度均衡放大器及其在计算机网络中的作用

幅度均衡放大器的研制任务是在一机部沈阳地区计算机网络的设计中提出的。在该网络中,所有的计算机及其远程终端设备系从美国IBM公司引进的,其软件系统也较为完善。但远程终端与主机间的信道则是由租用的市内电话线组成的。对它们的开通测试发现其中有好几条信道的幅频特性超出了美国TYPE3002标准,有些信道的基本衰耗值也超出了指标。如果直接利用这些信道进行数据通讯,将会给系统的运行带来困难。一般地说,信道     

ZnO薄膜的制备方法、性质和应用

介绍了宽禁带半导体ZnO薄膜的制备工艺、主要性质和器件应用等几方面内容.ZnO薄膜的制备方法大致分为物理法和化学法.前者主要包括溅射、脉冲激光沉积和分子束外延等;后者则涵盖化学气相沉积、喷雾热解和溶胶-凝胶法等.从晶体结构、光学及电学等角度概述了ZnO薄膜的主要性质.与这些性质相联系的器件应用有太阳能电池、发光器件和紫外探测器等.对器件应用领域中存在的一些问题及其解决思路作了探讨.     

金属/多晶锗硅肖特基接触特性的影响因素研究

用射频磁控溅射在单晶硅上沉积Si1-xGex薄膜.溅射的SiGe薄膜样品,用俄歇电子谱(AES)测定其Ge含量,约为17％,即Si0.83Ge0.17.样品分别做高温磷、硼扩散,经XRD测试为多晶态,制得n,p-poly-Si0.83Gge0.17.在n-poly-Si0.83Ge0.17上分别溅射Ni、V、W、Cu、Pt、Ti、Al、Co膜,做成金属/n-poly-Si0.83Ge0.17肖特基结.利用Ⅰ-Ⅴ测试数据进行接触参数的提取,从而定量研究金属的功函数、金属膜厚以及快热退火温度对肖特基接触特性的影响.结果发现,肖特基势垒高度(SBH)与金属的功函数有微弱的正相关,Al/n,p-poly-Si0.83Ge0.17接触存在Shannon效应,金属膜厚对Co/n,p-poly-Si0.83Ge0.17接触特性有不同的影响,随快热退火温度的升高,Ni、V、W、Co、Cu、Pt、Ti、Al八种金属在n-poly-Si0.83Ge0.17上的肖特基势垒高度和理想因子未见有一致的变化规律,但存在不均匀性.