水电机组自动化元件（装置）配套根目研讨

本文以现行国家标准（GB／T11805－1999）的有关技术规范为依据，并运用根目展开的方式，剖析了水电机组自动化元件（装置）的配置中所涉及的各监控参量，监控内涵以及监控手段等要素关系，图表简明切实，可供同业人员实作中参考。     

低空间频率银盐明胶全息图的浮雕特性研究及其应用

通过实验研究表明，对低空间频率的振幅型银盐全息图形表面已形成浮雕，经漂白，浮雕深度成倍加深；浮雕深度随空间频率而变化，并且可用不同曝光量进行调制。选择适当条件，可降低零级光强，提高全息图的一级衍射效率。     

分子束外延低温生长GaAs缓冲层

<正>在低的衬底温度(约300℃)下生长的GaAs层具有较高的电阻率,较小的光敏特性。低温生长的GaAs层用于MESFET作缓冲层,能够消除背栅效应,改善光敏特性等。国外研究结果表明,低温GaAs缓冲层为富砷结。 用国产MBE—Ⅲ型分子束外延设备进行低温生长GaAs层的研究。半绝缘GaAs衬底温度约580℃,生长约50nm GaAs层。反射高能电子衍射(RHEED)的衍射图样为(2×4)结构。然     

高体积分数SiC／Al复合材料中界面现象研究

利用ＸＲＤ及ＴＥＭ方法测定了真空气压渗流法制备的四种基体复合材料及其界面区域的相组成。     

凿岩爆破工作对工艺过程参数的影响

地下采矿生产包括一系列相互关联的工艺过程。在研究地下矿山生产效率管理方法时,主要任务是确定与各个工艺过程密切相关的判据参数。根据作者的研究,即把合格块度看作是这样的一个参数。一般都根据矿石和围岩的物理技术特性、矿石储量、矿石品位、矿区地表状况和生态环境等地质和矿山技术资料进行矿山设计。根据这些资料选择采矿方法(空场法、支     

书名菜名竞相用色

在深圳一冷饮摊前,一个小男孩要买“包二奶”(雪糕名),摊主说卖光了。男孩说换“梦中情人”,谁知又断了货。摊主说,你就买“风流寡妇”吧,挺不错的。小男孩说钱不够,就要个“一代名妓”算了。这一故事中冷饮反复调换的情节,可能经过艺术的集中加工,但如今冷饮多有“二奶”“情人”一类的名字,则是实有其事,因而本质上是真实的。     

炸药的微波起爆法

试验用炸药本研究所用的炸药为硝化甘油炸药,乳化油炸药,泰安,黑索金,特屈儿和奥克托金。采用介质损耗(dielectric loss)大的碳化硅和活性炭作添加剂。取炸药0.2～0.45克置于硬氧化铝管中     

地下开采中相邻巷道掘进工作面的合理通风方案

金属矿床采用高效率采矿方法有助于推广自行式设备和提高技术经济指标,但自行式设备作业时会往矿井大气中排出大量有毒气体和粉尘。为了改善劳动条件,必须采取一系列技术措施,以便将有害物质含量降到极限容许浓度。巷道通风是主要的措施之     

可实现大容量化的三维SOI MOS器件

业已明了,SOI器件用绝缘物进行元件隔离,可减小电容和布线电容值。所以,人们深信集成电路可达到更加高密度,高速化。大家早就知道,SOI器件有采用在蓝宝石单晶衬底上外延生长单晶硅薄膜的“蓝宝石上硅”(SOS)器件及采用在SiO_2上沉积多晶硅薄膜制作的“绝缘体上硅”(SOI)器件。采用多晶硅薄膜制作的SOI器件与SOS器件相比较,其特点是,由于SOI器件能在非晶形绝缘膜上制作,所以,可采用任意衬底。但存在的问题是,由于其采用的薄膜不是单晶而是多晶,所以晶粒边界会造成载流子紊乱,MOS FET的场效应迁移率与体硅及SOS相比,降低至1％。