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大倾角工作面的顺利开采问题一直是困扰采矿界的难题。某矿根据3311工作面实际生产情况,对采面供电系统进行研究,设计出了该工作面各设备供电系统,通过生产验证得到良好效果。并以1#高压系统为例进行适用性理论验证,结果证明移动变电站及电缆选用合理,能够满足生产需要。 相似文献
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汪栋 《甘肃水利水电技术》2009,45(10):21-21
10月12日上午,甘肃省可持续发展水利专题研究班在兰州举行开班仪式。来自全省水利(水务、水电、水保)局局长、部分县(市、区)分管水利工作的副县(市、区)长以及应邀授课的领导和专家参加了开班仪式。 相似文献
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汪栋 《甘肃水利水电技术》2009,45(9):40-40
自国家实施扩大内需、促进经济平稳较快增长战略政策以来,甘肃省水利厅抢抓机遇争取项目支持,加大力度狠抓投资落实和项目实施,确保新增中央投资项目最大限度地发挥投资效益。迄今,全省共争取到国家四批扩大内需中央水利投资计划39.53万元。目前,各类项目进展情况良好。 相似文献
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利用微束和宽束辐照装置分别对两款65 nm双阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转(multiple-cell upset, MCU)类型、位置、事件数与器件结构布局相结合对单粒子翻转(single-event upset, SEU)的截面、MCU机理进行深入分析。结果表明,微束束斑小且均匀性好,不存在离子入射外围电路的情况;NMOS晶体管引发的MCU与总SEU事件比值高达32%,NMOS晶体管间的电荷共享不可忽略;实验未测得PMOS晶体管引发的MCU,高密度阱接触能有效抑制PMOS晶体管间的电荷共享;减小晶体管漏极与N阱/P阱界面的间距能降低SRAM器件SEU发生概率;减小存储单元内同类晶体管漏极间距、增大存储单元间同类晶体管漏极间距,可减弱电荷共享,从而减小SRAM器件MCU发生概率。 相似文献
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针对于液晶显示器出现的侧视角发红不良,本文从定性及定量角度进行机理分析。初步实验定性确定影响侧视角发红的主要因素为材料R_(th)和颜料颗粒分布。定量分析方面,通过对R_(th)、膜层厚度、上偏振片偏振方向与主观察方向的夹角(A-UPMO)、透过光主波长4个方面的分析,得到侧视角不良程度的理论计算公式。根据上述结论,通过减小R_(th),减薄膜层厚度以及缩小A-UPMO可以有效改善不良程度。给出通常情况下,新材料开发过程中Red/Green/Blue R_(th)的阈值分别为6.0nm/5.4nm/4.0nm,为未来新材料开发及不良改善提供有益的参考。 相似文献
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广色域TFT-LCD产品需要使用高颜料浓度的RGB色阻,光照状态下易于发生发绿不良,严重影响TFT-LCD显示器件的视觉效果。通过研究不同成分的色阻制成的TFT-LCD与光电测试样板在光照前后的发绿情况以及光电特性变化,确定TFT-LCD光致发绿不良源于绿色色阻中含有的金属酞箐类G颜料,且不良程度与绿色色阻中G颜料含量强关联。此类颜料具有共轭结构与半导体特性,光照状态下发生电子迁移,导致介质损耗因数升高,影响TFT-LCD的耦合电场,进而导致RGB像素亮度的差异化,形成光致发绿不良。依托方法:(1)在保证TFT-LCD样品色度规格的前提下,通过广色域G颜料以降低绿色色阻中的G颜料含量;(2)使用高敏感度的光起始剂,可以有效改善TFT-LCD产品的光致发绿不良,尤其方法(1)更为有效。本文建立TFT-LCD显色核心的彩色滤光片RGB色阻成分管理基准,同时搭建光致发绿不良的生产线与实验室评价体系,为后续色阻材料开发提供理论指导。 相似文献
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