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991.
MOSFET器件继续微缩则闸极氧化层厚度将持续减小,在0.13μm的技术闸极二氧化硅的厚度必须小于2 nm,然而如此薄的氧化层直接穿透电流造成了明显的漏电流.为了降低漏电流,二氧化硅导入高浓度的氮如脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅受到高度重视.然而,脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅的一项顾虑是pMOSFET负偏压温度的失稳性.在此研究里测量了脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅pMOSFET负偏压温度失稳性,并且和传统的二氧化硅闸电极比较,厚度1.5 nm的脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅pMOSFET和厚度1.3 nm的二氧化硅pMOSFET经过125℃和10.7MV/cm的电场1 h的应力下比较阈值电压,结果显示脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅pMOSFET在负偏压温度应力下性能较差.在15%阈值电压改变的标准下,延长10年的寿命,其最大工作电压是1.16 V,可以符合90 nm工艺1 V特操作电压的安全范围内. 相似文献
992.
排查出机运、通防、采掘等5条专业线173个危险源,制定了248项预防措施;排查出节假日、深夜班、交接班、零散班、高温班等9大易违章时段,制定出91条管控措施。从7月1日开始,川煤集团达竹煤电公司小河嘴煤矿开展了为期1个月的各工种危险源和员工易违章时段全员查找行动,揪出了安全生产薄弱环节,采取针对性措施。 相似文献
993.
本文从语言输入和输出的角度,探讨了课文复述训练作为课堂教学常用的以内容为中心的活动之一,对提高大学生英语表达能力的作用.课文复述训练是读说写相结合的活动,体现了语言输入和输出相互作用的过程.通过课文复述训练,学生的语言知识得以积累和巩固,而且促使了学生语言输入向输出的转化. 相似文献
994.
3月初,一年一度的国家“两会”相继在北京召开,地处东北腹地的吉林石化公司高碳醇厂增强大局意识,采取多项措施,强化安全和稳定工作,以“两会”期间生产平稳、厂区安宁的安全稳定成果,向“两会”献上一份厚礼! 相似文献
995.
996.
997.
随着计算机图形技术的发展与普及,如何利用后期合成制作软件来实现用音频控制影像,值得我们探讨,本文通过实践应用探讨了利用After Effects CS3来实现声与影互动的解决方案。 相似文献
998.
999.
介绍了Z10003000kW大型直流电动机,生产制造过程中的设计特点;对Z1000大型直流电动机电磁设计、结构设计及强度计算作了详细介绍,是公司该类产品长期生产制造经验的总结;电机热负荷较高ASJa=5000,磁参数较高BZ1/3=24000,电枢支架支架筋材料采用Q345,电枢下线后再进行F线无溶剂真空压力整浸(VPI);采用有限元程序ANSYS对其电枢支架机械进行强度计算,并进行了结果分析,叙述详细。 相似文献
1000.