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本文阐述了U71Mn60kg/m钢轨用GAas—80型钢轨接触焊试焊后,经落锤、静弯、拉伸疲劳等检验,各项力学性能指标均符合铁道部标准要求。经全国八个铁路局12.6万个接头焊接和线路铺设使用表明,U71Mn60kg/m钢轨材质良好,化学成分在标准范围内波动时对接头的质量及接头的机械性能的影响不明显,能适应GAas—80型焊机的焊接,具有良好的可焊性。 相似文献
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1986年版ATBKW微机代码可计算CHNO,CHNOB,CHNO-SiW,CHNOS,CHNOFB,CHNONa,CHNOFCl,CHNOFAl,CHNONa-Al,CHNOCl,CNO,HNO,CHNOClP,CHNF,CHNOAl,CHNOF和CHNOClAl等各种含能材料的爆轰性能。经本文改进和扩充后,可在IBM-PC-XT/AT及其兼容性微机上运行,同时还增加了国内用户要求的爆热和爆轰性能评价标准计算等功能。 相似文献
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文章从流速场中级联衰变下气载核素的扩散规律出发,提出了强吸附性壁圆管内氡子体扩散方程的完整定解问题,求出了等速分布廓线时的方程的精密解,弥补了C.W.Tan这部分工作的不足。引进了新的物理量m(μ),导出了等速分布条件下m(μ)与F(μ)的互换关系式。从测量氡子体的α计数出发,通过放射性平衡比m(μ)给出了“双滤膜法”测氡的换算公式。由J·W·Thomas的精密实验数据,取镭-A扩散系数D=0.07cm~2·s~(-1)时,理论与实验十分吻合。 相似文献
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当前,制造半导体器件的PN结主要有扩散法和外延生长法.扩散法是将硅片长时间地置于1000℃以上的高温下,让P型和N型杂质往硅片内扩散;而外延法则是让P型和N型的晶体层逐渐生长.有时,为提高器件的反压,需要加厚P型和N型层,若采用上述工艺,除花费时间长外,硅片长时间地裸露在高温下,势必产生杂质浓度不均匀和晶体质量下降等问题,因而限制着半导体器件向高反压、高速化的发展.日本东芝公司研究成功一种新的PN结直接合成法,能解决器件高反压和高速化的问题,而且可缩短工艺时间,过去需要3~10天才能形成的PN结,现在约要2小时就可以了. 相似文献
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新型可关断晶闸管的研制现状与动向晶闸管是最适合在大电流下应用的电力半导体器件,其电流增益大,导通电阻小,现已有快速、逆导、不对称、双向、光控等多种类型产品,制造和应用技术日趋成熟,目前性能最高水平为6.5kV/3.5kA。普通晶闸管的不足之处是门极不... 相似文献
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