高效液相测定虾青素的含量

建立虾青素的含量及有关物质的反相高效液相色谱测定方法。采用Discovery-C18(4.6mm×250mm,5μm)色谱柱,以甲醇-丙酮-水(76∶15∶9)为流动相,流速为1.0mL/min,检测波长为482nm,柱温为30℃。在所选定的液相色谱条件下,有关物质与主药分离良好,虾青素在636μg/mL范围内线性良好,检出灵敏度为11ng/mL,平均回收率为100%,RSD为0.29%。     

混凝-BAF处理黑臭水体中试实验研究

以实际黑臭水体为样本,经混凝预处理后进行曝气生物滤池(BAF)的中试实验.结果表明,BAF系统挂膜启动时间为21 d,反冲洗周期为12 d;当停留时间1 h,气水体积比4:1时,系统运行状态最佳,COD、NH4+-N、TP去除率分别达到82％、90％、42％,出水满足GB 18918-2002一级A标准.探究污染物降解...     

基于J2摄动模型的卫星轨道预测算法精度评估

介绍了基于J2摄动模型的经典轨道六根数预测卫星轨道的算法,并验证算法实现的正确性;以典型的卫星轨道为例,利用STK软件以两行根数(TLE)对卫星轨道的预测结果作为精度评价的参考,分析评价基于J2摄动模型的轨道六根数预测卫星运行轨道的精度。并根据评估结果研究不同卫星轨道所受到的摄动的影响因素,分析基于J2摄动模型的轨道六根数预测卫星轨道算法的适用性。     

巯基乙醇单双环戊二烯基醚合成工艺研究

用双环戊二烯（DCPD）和巯基乙醇（ME）为主要原料,在对甲基苯磺酸催化作用下进行亲电加成反应制备巯基乙醇基双环戊二烯基醚。采用试验法确定了较优反应条件为：n（DCPD）∶n（ME）=1∶1.1,对甲基苯磺酸加入量为DCPD质量的3%,反应温度35℃,反应时间6h。在此条件下巯基乙醇单双环戊二烯基醚收率大于70%,产品纯度大于96%。     

采用AlN缓冲层在Si(111)衬底上生长GaN的形貌

针对Si衬底上生长GaN具有的特有形貌进行了研究,分析采用扫描电镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)等手段,研究了使用AlN作为缓冲层的GaN的生长模式、缺陷形成机理、应力释放机制.并且发现缓冲层厚度和外延层生长温度对裂纹和表面缺陷的形成有很大的影响.     

煤化工废水中酚类物质、氨氮的处理方法研究进展

煤化工废水是一种典型的有毒、难降解性工业废水。经预处理后的废水中仍含有大量的有毒有害物质,其中氨氮、酚类物质是典型的代表,氨氮含量在200mg/L左右,酚类物质含量占COD值的40%以上,浓度高达1000mg/L。如果对这些高毒性的物质不加处理或处理深度不够,则对环境和生命都会造成极大的危害。因此,酚类物质、氨氮的有效处理是实现煤化工废水无害化处理以及绿色可持续发展的关键。本综述主要从酚类物质处理技术与工艺、氨氮处理技术与工艺两个方面梳理了国内外煤化工废水中酚类物质、氨氮的处理现状,也全面分析了各种技术与工艺的优缺点。使该领域的研究人员以更加科学的方法了解煤化工废水中酚类物质、氨氮处理技术与工艺的研究现状和发展趋势。最后,探讨了未来煤化工废水中酚类物质、氨氮处理的发展前景。     

钢栅尺在大型雷达回转轴角度测量中的应用

介绍了新型角度和直线位移传感器(基于电感式的钢栅尺应用特点和工作原理),对比了常用角度传感器的优缺点,论述了某大型雷达俯仰轴采用钢栅尺作为检测元件实现高精度仰角测量的过程。实践证明,钢栅尺作为一种新型的测量传感器,特别适合应用于大尺寸高精度的角度和直线位移检测。     

沉管施工的质量控制

本文结合广州市南沙自来水厂原水输水工程过河管道过鱼窝头涌段沉管施工成功经验，分析总结了沉管施工的质量控制。     

变电站PT保险熔断现象机理分析

在公司辖内的变电站中,电压互感器(PT)保险熔断现象时有发生,影响了电网的安全稳定运行。文章结合变电站现场发生的PT保险熔断现象,通过理论分析,对变电站PT保险熔断现象的根本原因做出解释,并提出解决此问题的方向。     

Improvement of the efficiency droop of GaN-LEDs using an AlGaN/GaN superlattice insertion layer

With an n-AlGaN(4 nm)/GaN(4 nm) superlattice(SL) inserted between an n-GaN and an InGaN/GaN multiquantum well active layer,the efficiency droop of GaN-based LEDs has been improved.When the injection current is lower than 100 mA,the lumen efficiency of the LED with an n-AlGaN/GaN SL is relatively small compared to that without an n-AlGaN/GaN SL.However,as the injection current increases more than 100 mA,the lumen efficiency of the LED with an n-AlGaN/GaN SL surpasses that of an LED without an n-AlGaN/GaN SL. The wall plug efficiency of an LED has the same trend as lumen efficiency.The improvement of the efficiency droop of LEDs with n-AlGaN/GaN SLs can be attributed to a decrease in electron leakage due to the enhanced current spreading ability and electron blocking effect at high current densities.The reverse current of LEDs at -5 V reverse voltage decreases from 0.2568029 to 0.0070543μA,and the electro-static discharge(ESD) pass yield of an LED at human body mode(HBM)-ESD impulses of 2000 V increases from 60%to 90%.