首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   396019篇
  免费   31457篇
  国内免费   17004篇
工业技术   444480篇
  2024年   1690篇
  2023年   6287篇
  2022年   11363篇
  2021年   15959篇
  2020年   12350篇
  2019年   9842篇
  2018年   11272篇
  2017年   12769篇
  2016年   11342篇
  2015年   15441篇
  2014年   19972篇
  2013年   23860篇
  2012年   25837篇
  2011年   28238篇
  2010年   24482篇
  2009年   23209篇
  2008年   22625篇
  2007年   21537篇
  2006年   21710篇
  2005年   18882篇
  2004年   12160篇
  2003年   10305篇
  2002年   9175篇
  2001年   8279篇
  2000年   8682篇
  1999年   10208篇
  1998年   8510篇
  1997年   7075篇
  1996年   6649篇
  1995年   5573篇
  1994年   4564篇
  1993年   3219篇
  1992年   2579篇
  1991年   2043篇
  1990年   1559篇
  1989年   1275篇
  1988年   1058篇
  1987年   707篇
  1986年   554篇
  1985年   350篇
  1984年   254篇
  1983年   206篇
  1982年   203篇
  1981年   138篇
  1980年   148篇
  1979年   83篇
  1978年   35篇
  1977年   39篇
  1976年   57篇
  1975年   20篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
A novel technique to form high-K dielectric of HfSiON by doping base oxide with Hf and nitridation with NH/sub 3/, sequentially, is proposed. The HfSiON gate dielectric demonstrates excellent device performances such as only 10% degradation of saturation drain current and almost 45 times of magnitude reduction in gate leakage compared with conventional SiO/sub 2/ gate at the approximately same equivalent oxide thickness. Additionally, negligible flatband voltage shift is achieved with this technique. Time-dependent dielectric breakdown tests indicate that the lifetime of HfSiON is longer than 10 years at V/sub dd/=2 V.  相似文献   
62.
The brightness of AlGaInP light emitting diodes (LEDs) has been raised by a factor of 1.12 at 20 mA by sulfide passivation. Meanwhile, the sulfide also can decrease leakage current of AlGaInP LEDs at -2 V to nearly one thousandth of that in the as-fabricated device. The possible causes for the brightness increase of AlGaInP LEDs after sulfide treatment including surface roughness, reduction of Fresnel loss, and effective injection of carriers were demonstrated.  相似文献   
63.
This work presents a wireless token-passing protocol, named Ripple, for wireless mesh networks (WMNs). In contrast to existing random-access approaches, Ripple uses a decentralized controlled-access approach to protect nodes from unintentional packet collisions and maximize the spatial reuse. The performance of Ripple under an error-free wireless channel was investigated and the accuracy of the analysis was verified by simulation. Simulation results also indicated that Ripple achieved throughput, stability, and QoS enhancement than that of 802.11 DCF under a highly loaded situation.  相似文献   
64.
对上海高桥分公司2×10~4m~3/h(标准状态)制氢装置原设计的预转化催化剂还原流程进行了改进。先跳开预转化反应器,利用转化炉制取氢气,再用自产的高纯氢气代替重整氢,对预转化催化剂进行单独升温还原,避免了催化剂在还原初期因发生甲烷化反应而超温失活的问题,使催化剂具有更好的活性和稳定性。  相似文献   
65.
针对异步DS-CDMA系统中的多用户环境,本文提出了一种低复杂度的DOA估计算法——矩阵点除算法。该算法通过对感兴趣信息的逐次分离,实现了DOA的逐路径估计。算法具有两方面显著优势:(1)克服了传统的DOA估计算法在路径总数大于天线阵元数时不能工作这一缺陷:(2)避免了计算复杂的特征值分解运算,大大降低了算法复杂度。仿真实验验证了算法的有效性。  相似文献   
66.
67.
王芸  张子英 《石油物探》1994,33(3):115-121
本文对微球聚焦测井仪小极板进行研究,利用有限元法计算了小极板的均质及非均质K值,并与实验结果进行了比较,结果表明理论值怀实验值吻合较好,说明了理论计算的正确性,给出了对应于小极板的泥饼校正图版及屏流比曲线,对小极板的推广应用有实用价值。  相似文献   
68.
应用试井方法,提出一套比较切合实际的小块气藏动态特征综合评价方法,推导出水驱气藏水侵量的计算公式,编制了天然气高压物性参数计算和气藏稳产年限预测等程序软件。  相似文献   
69.
研究了基于EDGE系统接收机中信道估计的实现方案,并对算法的各项性能做出评估。首先论述了算法的采用及其理论依据。接着,说明了信道预估计的原理及方法。最后,针对MAT-LAB及 DSP上的仿真结果,比较了各项系数对于系统性能改善所具有的影响和作用,对系统特性作了较为详细的分析总结。  相似文献   
70.
通过比较煤矿生产、安全调度显示方式的优缺点,提出和分析了适合于煤矿生产安全调度的LED电子大屏幕显示系统配置、功能及特点。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号