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51.
Residual electrical resistivity due to short-range order has been calculated for Cu100-xAlx (x=9.13,13.56, 14.5 and 14.76 in at pct) alloys using pseudopotential approach, and the results have been discussed in the light of experimental studies of the local-order structure of these alloys. In case of Cu85.5Al14.5, change in the total residual electrical resistivity due to neutron-irradiation effects has been estimated by including contributions from the short-range order and static atomic displacement correction. Our results show a decrease in the residual resistivity in the irradiated Cu-Al solid solution as compared to the unirradiated sample. This is in accordance with the experimental results  相似文献   
52.
本文针对我国机床工具产品色彩设计的现状,结合具体实例,对色彩造型的实质做了初步的探讨。分析了色彩造型和色彩装饰两种设计观和实践效果;以色彩与形状关系及作用的论证为引,论述色彩造型的三大功能作用。并提出可供机床工具产品色彩设计参考的具体设计方法和手段。  相似文献   
53.
介绍燕山石化公司为扩大1Mt/a中压加氢改质装置的原料来源,改用大庆减二线油和重油催化裂化柴油组成的混合料开工投产的经验以及装置初期的运行条件。中压加氢改质技术可以生产优质柴油和蒸汽裂解制乙烯的原料,还可增产喷气燃料。  相似文献   
54.
The alkali-metal Na adsorption on Si(100)2×1 surface and its promoted oxidation and Si oxidegrowth have been investigated by means of thermal desorption,work function,Auger electronspectroscopy and photoemission electron spectroscopy.The experimental data showed that therewas a new state,interface electron state,near the Fermi level after the deposition of Na atoms.It wasfound that the presence of Na always caused an increase of the oxygen initial uptake whereas thepromotion of Si oxide growth was observed only at the coverage of Na greater than 0.5 ML.A newmechanism of Na-promoted Si oxide growth is suggested in this paper.  相似文献   
55.
56.
孟洛明 《世界电信》1996,9(4):25-27
本文叙述了智能网的业务管理系统所实现的3种功能:业务管理功能,网络管理功能和业务管理访问功能,还介绍了业务管理和网络管理之间的关系,SMS的集中式和分布式两种体系结构及业务管理功能的设计方法和进一步研究方向。  相似文献   
57.
谭开洲 《微电子学》1996,26(6):413-417
介绍了一种数字式全定制音乐集成电路设计原理。对伪音阶发生器、节拍发生器等子电路作了较详细的叙述。采用这种原理可设计出单芯片驱动压电陶瓷和发光二极管的音乐集成电路,该电路无须外接电阻、电容,可存储数首歌曲;另外,还可设计出一种数字音频程控频率合成器,时钟为f0时,可控频率范围为f02~f02N。  相似文献   
58.
根据斯涅尔定律和菲涅尔公式阐述清水衬底法消除玻璃下界面手印或玻纹的影像,以及用偏振光,紫外线拍摄玻面痕迹的方法和机理。  相似文献   
59.
介绍了Be靶制备的电阻加热法、滚轧法、静电振动法、离心沉淀法、聚集束溅射法等.结果显示:电阻加热和滚轧制备自支撑Be靶的厚度范围分别为20~970 μg/cm2和3.8~20 μm.  相似文献   
60.
本文对激光结晶a-Si∶H SOI结构砷注入和快速退火行为作了研究.a-Si∶H激光结晶有Lp-LCR,OD,FCR-2,FCR-1四个结晶区.用剖面电镜观察了结晶区的结构.扩展电阻测量表明Lp-LCR区中有两种扩散机制,即杂质在晶粒体内扩散和沿缺陷扩散.OD区中有三种扩散形式,除有上述两种以外,还有沿缺陷的扩散.首次比较了沿晶界和缺陷的扩散速度.  相似文献   
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