核电站海水循环水泵部件腐蚀原因分析及处理

田湾核电站海水主循环泵在服役过程中,进出口阳极和叶轮主螺栓发现腐蚀问题。对腐蚀原因进行调查分析,并针对性的采取防腐处理和改造,对效果进行验证,相同的腐蚀问题未再发生,证明防腐措施是有效的。     

热处理气氛对直拉硅单晶中体缺陷的影响

研究了五种不同的热处理气氛对直拉硅中氧沉淀及其诱生缺陷的影响.实验结果表明,经过低-高退火处理的硅片继续在五种不同的气氛中高温退火,氧沉淀会部分溶解,其溶解量与热处理气氛没有明显的关系,但不同气氛中处理的硅片中体缺陷(BMDs)的分布不同.并对此现象的机理进行了讨论,认为热处理气氛影响了硅片中点缺陷的分布从而影响到BMDs的分布.此研究对集成电路生产中内吸杂工艺的保护气氛的选择有指导意义.     

硅片清洗研究进展

综述了清洗液的组成、特点、清洗机理、对硅片表面质量的影响以及清洗技术和理论的发展;着重指出了,改进的RCAI对颗粒度、微粗糙度和金属沾污作用的机理,讨论了它与清洗顺序的关系,极度稀释的RCA2能使金属沾污降至10∧10原子/cm∧2以下,且不易使颗粒重新沉淀;最后介绍了清洗工艺的最新进展。     

基于AUTOCAD的NIKON全站仪数据转换二次开发

针对Nikon全站仪数据格式,在AutoCAD2000及以上版本的环境下,利用内置的VBA二次开发,实现批量展点、标注高程、标注坐标等功能,将Nikon全站仪坐标数据转换成为cad数据格式,提高作业效率.     

旋涡气流场的形成与分析

旋涡气流光整加工是以旋涡气流为载体，带动磨粒紧贴工件内孔表面作高速、强劲的“龙卷风”式的螺旋运动，实现内孔表面的光整加工。这种新工艺的关键技术是如何形成旋涡气流及研究气流速度和压力对加工效果的影响关系。为此，应用流体力学理论分析形成旋涡气流场的条件，研制了模拟实验用的旋涡头，研究气流速度和压力沿径向的分布规律，建立了相关的数学模型，为进一步研究和应用提供了理论依据。     

城市台媒体融合2.0——在BIRTV2017主题报告会上的演讲

非常感谢大会为我们城市台提供这样一个机会,让我们能够在这里跟大家一块儿分享成都台的一些做法和体会.我们是城市台,受规模和覆盖面各方面的局限,一路走来也非常不容易,在这个过程中我们一直坚持在做,有了一些破局和一些体会,想在这儿跟大家做一个分享.     

纳米硅/二氧化硅发光膜的窄发光带

用电化学方法制备了含有纳米硅点的光致发光二氧化硅膜,发现其激发谱分别在２４６ ｎｍ 及５０６ ｎｍ 附近有极大值。当激发波长在５０６ ｎｍ 附近时,观测到一个强度很弱但发射谱线宽度只有约０ ．０５ ｅＶ 的发光带,远小于２５０ ｎｍ 激发时的发射光谱的宽度（ 约０ ．５０ ｅＶ） 。此窄发光带的发光波长及峰型随激发波长的变化而变化,分析表明它起源于硅氧化合物中的纳米硅点,而短波长（２５０ ｎｍ） 光波激发时的宽发射谱主要来自于二氧化硅中的杂质与缺陷     

超大规模集成电路硅片的内吸杂

介绍了吸杂的分类与效果以及内吸杂工艺，并综述了金属在硅中的性质，主要阐明了乳在内吸杂中的作用，简述了氮对吸杂的影响，并讨论了内吸杂的物理机理。最后探讨了今后吸杂的发展方向。     

矿用隔爆型磁力起动器止口变形的消除方法

介绍矿用隔爆型磁力起动器壳体加工过程中 ,止口变形情况及解决方法 ,具有解决生产工艺问题的实际技术意义。     

p型微氮直拉硅中氧施主的电学特性

研究了p型含氮以及不含氮直拉(CZ)硅中热施主(TD)以及氮氧(N-O)复合体的电学性质.硅片在350～850℃范围进行不同时间的退火后,利用四探针和通过室温傅里叶红外光谱(FTIR)分别测量其载流子浓度和间隙氧浓度的变化.实验结果表明:p型含氮直拉硅(NCZ)中热施主的电学特性基本与n型NCZ硅相同,但N-O复合体的消除温度明显低于n型NCZ硅,这是由于p型NCZ硅中硼促进了N-O复合体的消除.