CAD／CAM中曲面光滑拼接的研究

本文讨论了CAD／CAM软件系统中复杂曲面的光滑拼接问题。提出了对曲面光滑接接的磨光法和覆合法。利用这些方法对一些机械零件进行了行造型和控具加工，取得了令人满意的效果。     

氩等离子体处理增强TiO_2∶Er/p~+-Si异质结器件的电致发光

在我们以前的工作[1]中,报道了基于重掺硼硅片(p~+-Si)上掺Er的TiO_2(TiO_2∶Er)薄膜的TiO_2∶Er/p~+-Si异质结器件的电致发光。本文研究了TiO_2∶Er薄膜的氩(Ar)等离子体处理对TiO_2∶Er/p~+-Si异质结器件电致发光的影响。研究发现:Ar等离子体处理使TiO_2∶Er/p~+-Si异质结器件与Er3+离子相关的可见和近红外电致发光都得到了显著的增强,同时也增强了与TiO_2基体中氧空位相关的电致发光。这是由于Ar等离子体处理显著提高了TiO_2∶Er薄膜中的氧空位浓度,不但增强了与氧空位相关的电致发光,而且增强了以氧空位为敏化中心的从TiO_2基体向Er3+离子的能量传递,从而增强了Er3+离子的发光。     

重掺硼直拉硅片中流动图形缺陷的显示

本文针对重掺硼直拉单晶硅片中流动图形缺陷(FPDs)的显示进行了一系列实验,得到了一种能够腐蚀出重掺硼硅片中FPDs的Secco腐蚀液配方以及清晰显示出FPDs的最佳腐蚀时间.此外,本文就FPD的显示机理进行了探讨.     

快速热处理对直拉硅单晶在模拟CMOS热处理工艺时氧沉淀的影响

本文研究了快速热处理工艺(RTP)在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区(DZ)的影响.研究表明:在模拟的CMOS热处理工艺之前,应用快速热处理(1250℃,50s)代替常规炉处理(1200℃,2h)消除直拉硅单晶热历史,可以更有效地消融原生氧沉淀.经过CMOS热处理工艺后,硅片的表面存在宽度约为20μm的洁净区(DZ),同时其体内有较高密度的体缺陷(BMD).     

单分散闪锌矿型CdSe量子点的合成及表征

采用TOPO辅助油相合成的化学方法制备出单分散的CdSe量子点。通过透射电子显微镜、X射线粉末衍射、粒径分布、紫外-可见吸收光谱和光致发光谱等多种测试手段对产物进行了表征,结果表明,CdSe量子点具有闪锌矿型(立方)晶体结构、粒径均匀、尺寸分布窄、发光性能良好的特点。此外,对闪锌矿型CdSe量子点的形成进行了初步分析。     

沙畈水库大坝变形观测资料分析

沙畈水库是1座多功能的中型水利枢纽工程,1997年建成后投入运行,在对其现有的10余年大坝变形观测资料进行整理后,分析了观测资料以及工程运行状况,提出了评价和建议。图3幅,表1个。     

大直径直拉硅中氮对原生氧沉淀的影响

研究了在大直径直拉硅单晶中掺氮 (N )对原生氧沉淀的影响 .通过高温一步退火 (10 5 0℃ )和低 -高温两步退火 (80 0℃ +10 5 0℃ )发现在掺 N直拉 (NCZ)硅中氧沉淀的行为与一般直拉 (CZ)硅是大不相同的 ,经过高温一步退火后 ,在氧化诱生层错环 (OSF- ring)区氧沉淀的量要小于空洞型缺陷 (voids)区 ,而经过低 -高温两步退火后 ,OSF-ring区的氧沉淀量要远远大于 voids区 .由此可得 ,在晶体生长过程中 ,N通过改变硅晶体中空位的浓度及其分布从而改变原生氧沉淀的尺寸和分布 .并在此基础上讨论了在大直径 NCZ硅中掺 N影响原生氧沉淀的机理 .     

重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷

研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响 .实验结果表明 :重掺p型 (硼 )硅片氧沉淀被促进 ,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷 ;重掺n型 (磷、砷、锑 )硅片氧沉淀受抑制 ,氧沉淀密度低却诱生出层错 ;不同掺杂元素及浓度对重掺n型硅片氧沉淀抑制程度不同 ,并对氧沉淀诱生层错的形态产生影响 .讨论了重掺硅单晶中掺杂元素影响氧沉淀及其诱生二次缺陷的机理 ,并利用掺杂元素 本征点缺陷作用模型和原子半径效应模型对实验结果进行了解释 .     

胶原纤维与植物纤维复合抄片的物理性能的研究

对植物纤维与胶原纤维的复合材料作了研究。利用机械法将不舍铬皮革固体废弃物处理后与不同的植物纤维复合并研究其物理性能。结果表明，不舍铬皮革固体废弃物经机械法处理后可以制成复合抄片用的胶原纤维浆；胶原纤维与植物纤维复合抄片后，可以提高抄片的物理性能。     

化工安全管理中存在的问题及其应对策略

本文简要分析化工安全管理中存在的问题,进而阐述应对化工安全管理产生问题的策略。通过关于具体管理方面的研究,希望可以为化工企业的发展提供建设性的意见,并且针对具体的管理问题提出对应的解决方法,促进化工企业安全稳定的长期发展。