全文获取类型
收费全文 | 94篇 |
免费 | 3篇 |
国内免费 | 39篇 |
学科分类
工业技术 | 136篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 7篇 |
2022年 | 2篇 |
2021年 | 1篇 |
2020年 | 1篇 |
2019年 | 2篇 |
2017年 | 3篇 |
2016年 | 1篇 |
2015年 | 1篇 |
2014年 | 2篇 |
2013年 | 5篇 |
2012年 | 4篇 |
2011年 | 6篇 |
2010年 | 4篇 |
2009年 | 3篇 |
2008年 | 7篇 |
2007年 | 6篇 |
2006年 | 8篇 |
2005年 | 4篇 |
2004年 | 12篇 |
2003年 | 23篇 |
2002年 | 12篇 |
2001年 | 6篇 |
2000年 | 6篇 |
1999年 | 1篇 |
1998年 | 3篇 |
1996年 | 3篇 |
1995年 | 1篇 |
1992年 | 1篇 |
排序方式: 共有136条查询结果,搜索用时 0 毫秒
101.
102.
103.
104.
研究了普通直拉(CZ)硅单晶和掺氮直拉(NCZ)硅单晶在氩气氛下进行1250℃/50s的快速热处理(RTP)后,再经600~1000℃的不同温区内的缓慢升温处理和1000℃保温处理后的氧沉淀行为.研究表明,由RTP引入的空位在700~800℃间缓慢升温退火时对CZ硅中氧沉淀形核的促进作用最显著,而在800~900℃间缓慢升温退火时对NCZ硅中氧沉淀形核的促进作用最显著;在800以上,氮促进氧沉淀形核的作用比空位更强.此外,提出了适用于CZ和NCZ硅片的基于高温RTP和低温缓慢升温热处理的内吸杂工艺. 相似文献
105.
106.
外延片生产中有时会遇到外延硅片在洁净室中暴露--段时间后产生雾状宏观缺陷(即所谓的时间雾)的不利情形,然而关于外延硅片表面时间雾的成因目前尚不清楚。通过探究常压化学气相外延工艺生长的外延硅片表面时间雾的形成条件,发现外延硅片取出之前生长腔和传递腔之间的压力差是时间雾形成与否的关键因素。分析认为:取片之前,当生长腔相对传递腔为正压时,外延尾气的返流使得外延硅片表面吸附了尾气中的SiCl_(2)及其团簇(SiCl_(2))_(n),进一步吸附空气中的水分并与之发生化学反应,这是时间雾形成的内因。采用扫描电子显微镜(SEM)、X光能量色散谱(EDS)和全反射X光荧光光谱(TXRF)等手段,对时间雾相关的颗粒形貌和组分进行表征。结果表明:时间雾相关的颗粒呈现为规则多面体和球形两种典型形貌,前者与NH_(4)Cl小晶体有关,而后者与有机物有关。分析认为:洁净室空气中的含NH_(4)^(+)无机组分以及异丙醇(IPA)等有机组分是形成时间雾的外因。生产中避免外延硅片表面时间雾的根本措施在于,在外延炉腔中取片之前必须避免外延工艺的尾气不会返流至生长腔。 相似文献
107.
108.
氢气退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷的影响 总被引:3,自引:2,他引:1
研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷 (voids)的影响 .样品在 10 5 0~ 12 0 0℃范围进行氢退火 ,退火前后样品上的流水花样缺陷 (FPD)和晶体原生粒子 (COP)在腐蚀后分别用微分干涉光学显微镜和激光记数器进行观察 .实验结果表明在氢退火以后 ,FPD缺陷的密度随温度升高不变 ,而样品上的 COP密度大量减少 .分析可知 ,氢气退火仅仅消除了硅片表面的 voids,而对于硅片体内的 voids不产生影响 ,并在实验的基础上 ,讨论了氢退火消除 voids的机理 . 相似文献
109.
110.