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介绍了反射式高能电子衍射仪(RHEED)衍射原理以及半导体薄膜表面原子间距与其衍射图像间距成反比例关系。分析了采用ECR-PEMOCVD生长技术,在α-Al2O3衬底上低温外延GaN基薄膜(氮化层、缓冲层、外延层)工艺过程。通过对RHEED图像分析软件获取不同工艺过程中的外延薄膜衍射条纹间距的数据分析、计算、比较,得到薄膜表面衍射图像间距的大小,依据RHEED衍射图像与原子面间距之间的对应关系,分析薄膜表面的应变状态演变情况。分析计算结果表明生长20min氮化层、20min缓冲层的表面原子层处于压应变状态,而生长180min的AlN外延层,表面则处于完全弛豫状态。 相似文献
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等离子体技术在CF/树脂基复合材料中的应用 总被引:5,自引:2,他引:3
介绍了等离子体技术的特点及其在碳纤维表面处理改性中的应用。综述了低温等离子体处理对碳纤维及其增强树脂基复合材料的化学和机械性能的影响,同时也探讨了等离子体技术在纤维复合材料应用中存在的问题和研究方向。 相似文献
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