专用无磁计量芯片输入模块的低功耗设计

文中简要介绍了无磁计量芯片的基本构成,重点研究了输入模块的工作原理和设计方法,分析了一般传感器的原理及局限性,建立了无磁传感器模型,采用两级迟滞比较器的基本结构设计了具有低功耗特点的输入比较器模块,通过适时关闭比较器使其进入休眠模式,以及合理的安排时序关系来降低整个输入模块的平均功耗.经过仿真得到模拟比较器的增益为55 dB,带宽达到1.2 MHz,满足了1 MHz的工作速度,同时静态功耗降到7.29 μW,实现了低功耗的目的.最终经过流片测试,电路工作正常.     

海南来福士酒店退台结构分析与设计

海南来福士酒店退台楼每层前立面平移后退,退台下方一部分为空。这与或者沿房屋纵向左或右逐渐退台、或者四周立面向中间渐缓退台、退台部分下面不空的一般退台建筑不同。此类建筑形式不多见,对结构设计提出了一些新问题,受建筑的限制在转换梁中部分采用钢骨混凝土转换梁,通过进行风荷载、6度常遇地震以及中震作用分析,对结构布置和设计的一些问题进行了探讨。     

带有失配修正的10-bit 250-KSPS低功耗循环ADC设计

本为提出了一种10-bit 250k采样率（KSPS）的循环模数转换器（ADC）。通过适当的选取电容开关时序,ADC的失调误差被有效的消除。改进的冗余有符号数（RSD）法则能够容忍较大的比较器失调误差与开关电容失配误差。通过采用这种结构,ADC具有了电路结构简单、占用芯片面积低以及低功耗的优点。该循环ADC采用Chartered 0.35 um 2P4M工艺制造,在250k的采样率下,其信号对噪声和失真比（SNDR）为58.5dB,有效位数（ENOB）为9.4bit。该电路在3.3V的电源电压下,功耗为0.72mW,占有芯片面积0.42×0.68 mm2。     

一种基于恒定电流技术的具有低功耗和低失真的轨导轨输入输出放大器

本文提出了一种应用于音频信号处理的具有恒定的跨导Rail-to-Rail放大器,并且恒定跨导是通过一种恒定电流技术来实现。此技术是基于差分输入对工作在弱反型区。对于工作在弱反型区的MOSFET具有低失调和低功耗的优势。采用标准的0.35微米的CMOS工艺对电路进行流片,此芯片占有面积75×183 μm2。测试结果表明：在3.3V电源电压下,电路最大功耗为85.37mW;在2kHz时总谐波失真为1.2%。     

A low power and low distortion rail-to-rail input/output amplifier using constant current technique

A rail-to-rail amplifier with constant transconductance,intended for audio processing,is presented.The constant transconductance is obtained by a constant current technique based on the input differential pairs operating in the weak inversion region.MOSFETs working in the weak inversion region have the advantages of low power and low distortion.The proposed rail-to-rail amplifier,fabricated in a standard 0.35μm CMOS process,occupies a core die area of 75×183μm~2.Measured results show that the maximum power consumption is 85.37μW with a supply voltage of 3.3 V and the total harmonic distortion level is 1.2%at 2 kHz.     

含MDAC 10位20Mps流水线ADC设计

设计10位20Mps流水线模数转换器,它具有高速度高分辨率的优点.其核心模块MDAC集数模转换、减法、余差放大和采样保持功能于一身,简化电路结构,提高模数转换器的性能.分析电容失配引入的误差,并给出减小误差的方法,微分非线性和积分非线性的模拟结果.     

改进型电流镜积分红外探测器读出电路设计

介绍了一种基于电流镜积分（CMI）的红外探测器的读出电路,运用宽摆幅自偏置电流镜结构对CMI电路进行了改进,该结构由宽摆幅自偏置P型折叠共源共栅电流镜与N型电流镜反馈结构组成,在提高电流镜工作稳定性的同时,基本读出单元功耗降低了3.3μW。详细分析了电路的结构、工作原理和设计过程,并采用Chartered 0.35μm工艺进行了功能仿真和版图设计。结果表明,该改进型电路结构可以实现从30pA到4.5nA的积分,精度达到9位。     

CMOS图像传感器用像素级双采样存储技术

多次曝光技术是扩展CM O S APS图像传感器动态范围较为有效的方法,但多于两次的曝光,信号处理复杂,使传感器的帧频受到限制,而像素级双采样存储技术将两次曝光采样及图像组合处理在像素内实现,在获得高动态范围的同时,可有效提高图像实时处理的速度,并且可以工作于高速同步曝光模式。     

高温压力传感器固态隔离封装技术的研究

论述了多晶硅高温压力传感器小型化固态隔离封装技术、静电键合技术、不锈钢膜片的选择及波纹设计技术、激光焊接技术、硅油充灌和硅油隔离技术等。以不锈钢膜片和高温硅油为隔离材料,使传感器的封装直径缩小到15 mm,在1 mA电流激励下传感器满量程输出为72 mV,零点稳定性为0.48% F.S/mon,提高了传感器的可靠性,拓宽了传感器的应用领域。     

一种新型单晶硅SO I 高温压力传感器

单晶硅 SOI高温压力传感器是一种新型高性能高温压力传感器。它与扩散硅压力传感器相比有较高的工作温度 ,与多晶硅高温压力传感器相比有更高的工作灵敏度。这主要得益于它采用了单晶硅膜的 SOI结构。本文给出了这种压力传感器的工艺生产过程 ,并相对深入地讨论了各向异性腐蚀硅杯和静电封接这两道工序。介绍了此种压力传感器的工作原理。最后给出了测试结果及结论。