Effect of charge sharing on the single event transient response of CMOS logic gates

This paper presents three new types of pulse quenching mechanism(NMOS-to-PMOS,PMOS-to-NMOS and NMOS-to-NMOS) and verifies them using 3-D TCAD mixed mode simulations at the 90 nm node. The three major contributions of this paper are:(1) with the exception of PMOS-to-PMOS,pulse quenching is also prominent for PMOS-to-NMOS and NMOS-to-NMOS in a 90 nm process.(2) Pulse quenching in general correlates weakly with ion LET,but strongly with incident angle and layout style(i.e.spacing between transistors and n-well contact area).(3) Compact layout and cascaded inverting stages can be utilized to promote SET pulse quenching in combinatorial circuits.     

“大学SOLO”可行性研究

本项目可行性研究是根据建设单位所提供的项目建议书 ,经过房地产市场需求问卷调查而制定。其目的是通过市场供需研究和财务经济分析 ,确定项目的规划功能、开发档次、开发成本和市场营销对象 ,并对项目的需求、选址、经济的可行性作出评价 ,为委托方投资决策及开发项目融资提供依据。     

啤酒非生物稳定性研究

本文通过强化实验，分析清酒过滤操作、敏感蛋白、多酚物质、添加剂对啤酒非生物稳定性的影响，探讨控制敏感蛋白、多酚的方法，以提高啤酒胶体稳定性。     

浅谈免费开放环境下公共图书馆服务的创新路径

公共图书馆作为一个重要机构,其可以为广大读者提供丰富的信息资源,同时科学合理的将搜集、整理、收藏文献资源融合到一起。由此可见,公共图书馆服务工作创新的重要性。笔者结合实践工作经验,对免费开放环境下公共图书馆服务进行分析,并在此基础上提出创新路径,对公共图书馆服务创新具有重要意义。     

电荷共享对于CMOS逻辑门单粒子瞬态响应的影响

随着CMOS工艺继续缩小,单粒子瞬态脉冲已经成为航天用数字电路的重要故障来源。同时,相邻晶体管之间的电荷共享也随之增加并导致组合电路中单粒子瞬态脉宽缩短,即脉宽抑制效应。之前的文献提出了PMOS到PMOS的脉宽抑制,而本文提出了三种新的脉宽抑制机理(NMOS到PMOS,PMOS到NMOS和NMOS到NMOS),并且通过90纳米三维工艺混合仿真进行了验证。本文的贡献主要有以下三点：1）除了PMOS到PMOS的情况,90纳米工艺下脉宽抑制在PMOS到NMOS和NMOS到NMOS中同样比较明显;2）脉宽抑制效应总体上与粒子入射能量关系较弱,而与粒子入射角度和版图结构(晶体管间距和N阱接触)关系较强。3）紧凑的版图和级联反向单元可以用来促进组合电路中的单粒子瞬态脉宽抑制效应。