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71.
杨珍 《机械工程师》2012,(10):91-91
介绍了在卧式加工中心上如何一刀镗出椭圆孔的方法,重点介绍了其加工步骤及加工程序。  相似文献   
72.
介绍了锁杆导向架成形工艺及模具设计,详细介绍了落料、弯曲和冲关节形长孔等机构的设计。实践证明,复合模满足了产品设计的要求,对类似结构产品的模具设计具有借鉴作用。  相似文献   
73.
2007年,德国Trevira化纤制造公司尽管在年初失去了短纤维生产企业,但营业额仍增加了6%,达到3.5亿欧元。家纺、汽车用纺织品以及其他领域各占了全部纤维销售的1/3,所有纤维制造部门的全年计划已经排满。  相似文献   
74.
如今面料的质量要求越来越高,对部分产品的疵点数要求低于1~2个/100m。织机上应用自动监视和修正装置进行在线质量控制的研究已有显著进展。以开车痕控制为例,介绍比利时必佳乐公司是如何应用该类装置进行质量控制的。  相似文献   
75.
参考语音学习系统数字化的发展和嵌入式技术在声音数字处理中的运用情况,提出一种基于ARM和DSP双核控制的数字语音学生终端设计方案,对终端硬件电路和软件电路进行详细设计,并确定了终端的通信协议.测试后表明,该终端不仅实现了语音信号中变速不变调的功能,也满足新型数字语音学习系统的应用要求.  相似文献   
76.
杨珍  谢建平  卢强  张健 《机电工程》2011,28(8):970-974
为解决无线传感器网络路由协议研究中降低单个节点能耗,延长网络生存期等问题,在分析传统的LEACH算法基础上,针对簇头选举、簇形成过程两个问题加以改进,设计了一种基于LEACH的高效路由协议。依据节点的剩余能量、离基站的距离等因素产生簇头;依据普通节点到簇头的距离、簇头到基站的距离等因素成簇。研究结果表明,改进算法在降低节点能耗、延长网络生存期等性能方面有明显的提升。  相似文献   
77.
多轴缠绕机结构复杂、设备成本高,而两轴示教机又不能完全满足弯管的工艺要求。本文设计的示教再现式玻璃钢弯管缠绕机采用三轴控制。控制系统通过主轴每转过一定角度来触发记录主轴、小车和伸臂的位置实现缠绕示教,采用电子齿轮控制方式实现自动工作时的小车和伸臂跟踪主轴的同步运动控制。本文阐述了示教再现式三轴弯管缠绕机机械结构和工作原理,分析了弯管缠绕线型和运动轨迹,通过理论和实践相结合的方式印证了:该系统性能稳定,可以实现弯管的自动缠绕。  相似文献   
78.
准噶尔盆地四棵树凹陷构造应力场与构造变形解析   总被引:1,自引:0,他引:1  
准噶尔盆地南缘四棵树凹陷高探1井的中生界油气勘探已获得重大突破,深入解析该地区深层致密砂岩的构造变形显得至关重要。综合野外、岩心、测井和地震等数据,利用地质调查与有限元数值模拟方法查明了四棵树凹陷的构造应力环境,明确了构造应力场对构造变形的控制作用。研究表明,四棵树凹陷现今的最大水平主应力总体呈SN向,具有分带性。在北天山西段、托斯台构造带和高泉构造带等地区,最大水平主应力方位呈NNW向;在艾卡构造带和车排子凸起等地区,最大水平主应力方位呈NNE向或NE向。晚喜马拉雅期以来,NNW向构造应力由北天山地区向四棵树凹陷内部逐渐传递,受其控制的凹陷内构造变形也沿NNW向传播扩展。高泉背斜清水河组的构造应力场数值模拟表明:研究区的最大水平主应力为80~170 MPa;构造应力在背斜南部、中部的断层附近集中,向北则减小;近EW走向断层附近的构造应力明显大于NNW (或近SN)走向断层附近的构造应力,总体显示高泉背斜处于压扭应力环境。构造应力场控制了高泉背斜的裂缝发育和展布,裂缝走向与最大水平主应力方向一致或呈小角度相交,且断层附近或背斜核部裂缝较发育。高探1井中发育的构造裂缝可能是该井取得高产的重要原因之一。  相似文献   
79.
采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪等研究了GH 2984合金在750℃纯水蒸汽中的氧化行为。结果表明:GH 2984合金表面形成单一的Cr2O3膜,其中固溶有少量TiO2。在氧化膜下方的金属基体尤其是其晶界处Ti、Al发生内氧化,分别形成TiO2和 Al2O3。合金的氧化动力学近似遵循抛物线规律。文章探讨了瘤状/刀片状Cr2O3的形成原因及GH 2984合金在750℃纯水蒸汽中的氧化机制。  相似文献   
80.
贺攀红  张伟  杨珍 《冶金分析》2013,33(1):46-49
样品经王水溶解,聚氨酯泡沫塑料分离富集后,用20 g/L硫脲溶液解析,20 g/L抗坏血酸溶液作基体改进剂,采用石墨炉原子吸收光谱测定钮扣电池中痕量金。优化了石墨炉的测定条件,采用700 ℃和1 700 ℃作为灰化和原子化温度,缩短了测定时间,延长了石墨管的使用寿命。测定结果显示钮扣电池中金含量低于10 ng/g,RSD低于10 %,回收率在88 %~112 %之间,方法检出限为0.15 ng/g,该法适合电子元器件中痕量金的测定。  相似文献   
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