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11.
微波MLCC绝缘电阻的工艺影响因素研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
在即定原材料和多层电容器整体结构设计基础上,立足于微波片式多层陶瓷电容器的规模化生产工艺,对各种影响绝缘电阻的生产工艺因素进行了系统研究.结果表明,工艺因素对微波片式多层陶瓷电容器(ML-CC)绝缘电阻的影响较大;在实际生产过程中,优化流延工艺改善陶瓷膜片性能,在印刷中采用合适的内电极烘干温度,叠层后采用合适的干燥工艺、合理的排胶烧结制度和电镀工艺均能有效提高微波MLCC的绝缘电阻.  相似文献   
12.
以SnO—BaO—P2O5三元系统玻璃为研究对象,利用差示量热扫描分析仪、热膨胀仪、拉曼光谱仪,分析了玻璃的结构以及玻璃转变温度和热膨胀系数与玻璃组成的关系.获得了该体系玻璃的形成区域,测得该系统的玻璃转变温度为260~360℃和热膨胀系数为12~14×10^-6℃.研究发现,当P2O5=45mol%不变时,玻璃转变温度随着SnO含量的增加而降低;当BaO=10mol%不变时,玻璃转变温度随着SnO含量的增加先降低后升高.研究表明,该体系玻璃可以作为低温环保封接玻璃潜在的基质材料.  相似文献   
13.
采用溶胶-凝胶法制备了CaAl2SiO6∶Eu2+荧光粉,利用X射线衍射仪、荧光光谱仪、热分析仪对其结构和光学性质进行了研究.结果表明,样品经1 000℃CaAl2SiO6∶Eu2+荧光粉在430 nm附近的发光峰为Eu2+中心的4f65d1(t2g)→4f7(8S7/2)跃迁;随Eu2+离子浓度的增加,样品的发光强度先增加后降低,在Eu2+浓度为0.7 mol%时达到最大;CaAl2SiO6∶Eu2+系列荧光粉的激发峰波长在280~390 nm之内,可以作为一种新型的UV-LED用三基色荧光粉.  相似文献   
14.
Eu-doped transparent oxyfluoride borosilicate glass ceramics containing Ba2GdF7 nanocrystals were prepared by controlling crys-tallization of melt-quenched glass fabricated under a reductive atmosphere.In the oxyfluoride borosilicate glass ceramics,the mean crystal size of Ba2GdF7 nanocrystals was about 30 nm,which could be observed by X-ray diffraction(XRD) and transmission electron microscopy analysis.The photoluminescence spectra of the samples excited at 392 nm showed that,besides the characteristic sharp emissions of Eu3+ ions,a very intense broadband emission of Eu2+ ions centered at 450 nm appeared.The photoluminescence intensity of Eu3+ and Eu2+ ions in the glass ceramics was much stronger than that in the as-made precursor.The long decay lifetimes of Eu3+ and Eu2+ ions evidenced the partitions of Eu3+ and Eu2+ ions into the Ba2GdF7 nanocrystals.The energy transfer from Gd3+ ions to Eu3+ and Eu2+ ions was confirmed by the excita-tion and emission spectra.  相似文献   
15.
用高温固相反应法制备了Mn4+掺杂的Y3Al5O12荧光粉。研究了其发光性质。在467nm光激发下,这种荧光粉发出红光。主要的发射峰位于643和670nm,均属于Mn4+的5E→4A2跃迁。Mn4+的最佳掺杂浓度为1mol%。Y3Al5O12:0.01Mn4+荧光粉的色坐标值(0.701,0.299)位于红色区域。监测670nm发射得到的激发光谱由峰值分别位于410,450,468,474,482和494nm宽激发带组成,归属于Mn4+的4A2→2T2,4T2激发跃迁。测得了670nm荧光衰减曲线,得到了对应Mn4+浓度为0.001,0.005,0.01,0.03,0.05的样品相应的荧光寿命分别为1.35±0.07,1.14±0.06,1.09±0.05,0.87±0.04,和0.63±0.04ms。这些结果表明在制备白光LED过程中在Y3Al5O12:Ce3+荧光粉中能添加Y3Al5O12:Mn4+红色荧光粉而显著改善白光LED器件的显色指数。  相似文献   
16.
以Zr(NO3)4.5H2O、NH4H2PO4和NaNO3为原材料,采用溶胶凝胶法合成了磷酸锆钠(NaZr2(PO4)3)陶瓷粉体,采用TG-DTA,XRD和SEM测试方法对粉体性能进行了表征,研究了烧结温度和pH值等反应条件对粉体合成的影响.结果表明,要获纯的磷酸锆钠粉体,合成温度需控制在800~1 000℃之间,其中最合适合成温度为900℃左右.前驱体pH值对合成温度基本没有影响,但会影响产物微观形貌.当合成温度为900℃,pH值为9时可以制备出团聚较少、颗粒均匀、分散性较好且平均粒径为100nm的磷酸锆钠粉体.  相似文献   
17.
通过在ZrO2陶瓷粉体中添加不同量的CeO2、MgO、Y2O3,探讨了不同改性剂对ZrO2陶瓷烧结性能与微观结构的影响规律。结果发现,添加CeO2作为改性剂能有效细化ZrO2的陶瓷晶粒,并提高陶瓷的体积密度,但不能消除陶瓷中裂纹的产生;适量MgO的添加,可以有效防止ZrO2陶瓷中出现裂纹,但对陶瓷晶粒的细化作用有限,且添加量过大后将导致陶瓷晶粒发生急剧生长;少量Y2O3的添加,即可有效细化ZrO2陶瓷的晶粒大小并消除陶瓷中裂纹的产生,其最佳添加量在3mol%。适量MgO的添加可以将陶瓷的致密化温度降至1450℃,而添加Y2O3陶瓷的致密化温度均在1550℃以上。  相似文献   
18.
CuO-TiO_2复合助剂低温烧结氧化铝陶瓷的机理(Ⅰ)   总被引:1,自引:0,他引:1  
向氧化铝陶瓷中添加总量固定,但m(CuO)/m(Ti02)不同的CuO-TiO2复合助剂,研究其对氧化铝陶瓷烧结性能、微观结构以及物柑组成的影响,揭示复合助剂的低温烧结机理.结果表明,CuO与Ti02不易发生化合反应,分别以液相烧结和固相反应烧结来促进氧化铝陶瓷的致密化进程;Ti02与Al2O3反应生成Al2Ti7O15的固相烧结,比CuO的液相烧结更能有效地促进陶瓷的晶粒生长与致密化.在Ti02固相烧结的基础卜适当引入CuO液相,能够最大程度地降低氧化铝陶瓷的烧结温度;当在50gA12O3粉体中添加总量为0.025mol的CuO-TiO2复合助剂,并使m(TiO2)/m(CuO+TiO2)为0.80时,氧化铝陶瓷在1250℃烧结后其密度达到理论密度的98%以上.  相似文献   
19.
Spectroscopic properties of Er3+/Yb3+-doped transparent oxyfluoride borosilicate glass ceramics containing YOF nanocrystals were systematically investigated. X-ray diffraction (XRD) confirmed the formation of YOF nanocrystals in the glassy matrix. Based on the Judd-Ofelt theory, the intensity parameters Ωi (i=2, 4, 6), spontaneous emission probability, radiative lifetime, radiative quantum efficiency and the effective emission bandwidth were investigated. The upconversion luminescence intensity of Er3+ ions in the glass ceramics increased significantly with the increasing crystallization temperature. The transition mechanisms of the green and red upconversion luminescence were ascribed to a two-photon process, and the blue upconversion luminescence was a three-photon absorption process.  相似文献   
20.
研究了以VOSO4为前驱体,应用液相沉淀法制取VO2纳米粉的制粉技术以及VO2粉末的晶化过程,采用TGA,DSC,XRD,TEM等测试手段对所得粉的物理特性进行了测试分析。试验结果表明:所制取的VO2粉末颗粒粒径介于10nm-30nm之间,该粉体经400%真空热处理10h可完全实现晶化,相变温度为65%。  相似文献   
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