对扭矩传感器频率输出信号后续处理电路的分析与探讨

扭矩传感器以与扭矩成比例的脉冲频率作为输出方式,其后续处理电路自然也要与之相适应。与常见的应变片桥路阻值输出方式相比,其更具灵活性和多样性。如果后续电路处理不当,不仅不能发挥数字量输出的优势,反而会损失精度、影响传感器的原有性能。因此,有必要通过对各种形式的后续电路进行特点分析和比较,以便在应用过程中作出更合理的判断和选择。     

水果保鲜技术的分类与应用探讨

在水果贮运过程中,为了保证水果的新鲜程度,必须对其采取有效的保鲜措施,保持水果品质以提高市场价值。在目前的水果保鲜措施中,大多数采用的是低温保鲜措施,可以获得良好的保鲜效果。但是,采用这种水果保鲜措施的成本相对较高,需要大量的资金和设施设备支持,无法实现大范围的推广与普及。采用药物保鲜措施能够有效解决低温保鲜存在的弊端,适合大范围推广。药物保鲜措施对水果营养成分的影响尚未见到广泛报道。对药物保鲜对水果营养成分的影响进行了分析。     

干密度对Q2重塑黄土强度与变形特性的影响

为了研究干密度对Ｑ２重塑黄土强度与变形特性的影响，用非饱和土三轴仪做了３组共２７个试验，在试验过程中干密度、吸力及净围压为不变量，得到Ｑ２重塑黄土的强度及变形特性。试验结果表明:不同干密度下试样的偏应力－轴向应变曲线均呈应变硬化型；相同吸力下，试样的净围压越大，偏应力越大；相同净围压下，试样的吸力越大，偏应力越大。随着干密度增大，试样的偏应力显著增大，硬化趋势也逐渐增强；除个别试样外，其余各试样在剪切过程中均处于剪缩状态；在相同的吸力和净围压下，干密度增大，试样的破坏应力（ｐｆ、ｑｆ）、有效黏聚力ｃ、切线变形模量Ｅｉ、极限偏应力（σ１－σ３）ｕｌｔ及参数ｋ均在增大，参数ｎ随着干密度增大而减小。     

ELID超精密镜面磨削设备

正在线电解砂轮修整(Electrolytic In-p rocess Dressing,ELID)磨削技术是适应现代化高技术发展需要而发展起来的一种机械加工新工艺,其集成了现代机械、液压、光学、电子、计算机、计量及材料等先进技术成就,被国际上公认为是最有前途的超精密镜面磨削方法。西安工业大学在对氧化膜产生机理和电解参数对氧化膜生成影响规律的研究积累基础     

新型并联机床曲面加工的运动控制与后置处理算法

以6自由度6PM2混联数控机床为研究对象,阐述了其独特结构及特性,指出了混联机床数控加工后置处理中的两个关键问题——刀位数据转换和运动控制算法。给出了后置处理中刀位数据的转换方法和过程,提出了一种基于并联结构和串联结构的新型并联机床即混联机床的运动控制算法。     

The effects of Na on the growth of Cu2ZnSnSe4 thin films using low-temperature evaporation process

Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) absorbers were deposited on borosilicate glass substrate using the low-temperature process, and different Na incorporation methods were applied to investigate the effects of Na on the CZTSe growth. Na was diffused into some of the absorbers after growth, which led to strongly improved device performance compared with Na-free cells. With the post-deposition treatment, the effect of Na on CZTSe growth was excluded, and most of Na was expected to reside at grain boundaries. The conversion efficiency of the completed device was improved due to the enhancement of open circuit voltage and fill factor. The efficiency of 2.85% was achieved at substrate temperature as low as 420 oC.     

新型光伏材料Ag2ZnGeS(Se)4的第一性原理研究

通过基于密度泛函理论的第一性原理对新型光伏 材料Ag₂ZnGeS(Se)₄(AZGS(Se))的结 构稳定性、电子结构、和光学性质进行了研究。计算结果表明该类型化合物与Cu₂ZnSnS(S e)₄(CZTS(Se))一样具有锌黄锡矿的晶格结构;通过计算弹性常数和声子谱发现AZGS(Se) 的结 构稳定性也与CZTS(Se)相近。杂化泛函计算表明AZGS(Se)为直接带隙半导体;通过改变S和S e原子的比例,其禁带宽度可在1.27 eV 的较宽范围内调节。进一步计算光学性质,得 到AZGS(Se)的光吸收系数具有10⁴量级。计算结果表明AZGS(Se)符合太阳电池光吸收层的 需求。