一种改进的定点FFT溢出处理方法

针对定点快速傅里叶变换（FFT）在运算准确度与实现复杂度方面不能兼顾的问题,对定点FFT算法的溢出检测方法进行了研究,并在Welch方法的基础上,提出了新的溢出检测方法.在所提方法中,将溢出检测模块放在每个蝶形运算开始的位置,对将要参加本次运算的输入数据进行溢出检测,且每个蝶形中只需一次检测.与Welch的方法相比,所提方法误差小,仿真结果表明,当平均误差（均方根误差与运算结果均方根的比值）或信号量化噪声比相同时,所提方法可节约一定的比特数.     

避雷器代替750 kV线路合闸电阻

为满足操作过电压设计限值的要求而使用合闸电阻存在诸多缺点,针对西北电网新建750 kV输电线路过电压水平,对沿线增设1组避雷器取代合闸电阻的想法进行了研究。以即将建成的兰州东-银川东750 kV输电线路工程为背景,利用电磁暂态计算程序(PSCAD/EMTDC)分别计算了沿线装设1组避雷器时,线路三相合空线、单相自动重合闸操作过电压水平。研究结果表明,不采取任何限制措施时,线路三相合空线和单相重合闸操作过电压标么值分别为1.94、2.01,超过线路设计要求1.80,而采用一组避雷器代替线路合闸电阻的方案后,则可改善线路过电压分布情况,并将过电压水平降至设计值1.80以下(三相合空线和单相重合闸操作过电压标么值分别为1.79、1.78)。     

±800kV特高压直流输电工程换流站主接线探讨

直流换流站主接线的选择是±800kV特高压直流工程设计前期的重要环节。介绍了直流工程换流站可行的主接线方案及其特点,从设备设计与制造的技术难度、设备运输、系统运行可靠性、对交流系统的影响、换流站的分期建设及投资造价这六方面对提出的单12脉动接线和双12脉动串联接线方案进行比较优选。经过研究分析得出结论：±800kV直流输电工程换流站较为适合的主接线为双12脉动串联接线。     

SUS405耐热铁素体不锈钢的开发生产

泰山钢铁不锈钢炼钢厂采用顶底复吹GOR不锈钢精炼炉+LF炉外精炼+连铸工艺,通过优化GOR炉低碳氮吹炼操作,将[C]控制在0.05%以下,[N]控制在0.03%以下,采用硅脱氧+铝深脱氧合金化工艺,夹杂物控制以及保护浇注等,成功开发出了SUS405耐热铁素体不锈钢。     

12% Cr钢降低淬火温度试验研究

为减少12%Cr马氏体铁素体型不锈钢因晶粒粗大,造成冲击功不合现象。通过对比国内外标准推荐热处理制度,并对1Cr12Mo进行淬火工艺试验,试验结果表明:(1)1Cr12,1Cr13,2Cr13以及1Cr11MoV的淬火温度较高;(2)淬火温度过高导致12%Cr钢晶粒粗大,粗晶降低材料的冲击性能;(3)12%Cr钢的淬火温度应该降到980±10℃。     

高能球磨机搅拌桨尺寸对SiO_2颗粒细化的影响

采用卧式高能球磨机制备纳-微SiO_2粉末,首先利用离散单元法模拟了球磨设备搅拌桨尺寸改变时,研磨仓体内钢球与物料的相互碰撞情况,以及搅拌桨尺寸对SiO_2颗粒细化的影响,然后根据模拟结果开展了相应的实际试验。结果表明,试验验证结果与模拟仿真结果一致,球磨机搅拌桨叶片尺寸对SiO_2的颗粒细化具有重要影响;在球磨机转速为1 000～1 100 r/min、钢球直径3 mm、球料比15∶1的条件下,叶片规格尺寸为长度115 mm、宽度8 mm时,使用卧式高能搅拌磨机球磨90 min即可得到最终粒径在300～500 nm的纳-微SiO_2粉末。     

现代电子档案管理工作是企业发展至关重要的一环

随着网络技术的普遍应用,电子档案管理体系被广泛应用于企业管理当中,是企业发展至关重要的因素.本文分析了企业电子档案管理工作中存在的问题,并针对这些问题提出了改善措施.     

基于智能体的供应链决策支持系统研究

面对日益增加的减少成本保持竞争力的压力,企业必须利用电子商务进行内外部整合,把产品生产和流通中所涉及的原材料供应商、生产商、批发商、零售商以及最终消费者联系起来,构成真正信息集成、以客户为中心的"虚拟公司".传统的软件技术不再适应这个虚拟公司管理的复杂、柔性、敏捷的要求.智能体技术的发展为供应链管理提供了解决方案.提出了一个集成的多智能体供应链决策支持系统.设计了系统的功能结构和逻辑结构,辅助供应链成员通过协作进行决策的智能体的内部结构,以及智能体之间市场通信机制和推理机制,从而构建了一个企业供应链的多智能体模型,用来模拟企业供应链的运行,尝试利用该系统对企业供应链的运行提供决策支持,实现供应链的自动运行.     

电力通信监控管理系统物理体系设计

阐述了几种常见网管体系的异同 ,并从电力系统通信网的特点及对网管体系的要求出发 ,阐述了电力系统通信网网管体系设计的基本思想 ,并分析了电力通信网络监控管理系统的物理体系结构     

高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析

制作了反向饱和电流为5.5×10-14 A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×1010 cm-2.