钛酸钡系PTCR半导体陶瓷界面态分析

对形成钛酸钡系半导瓷PTCR效应的界面态进行了探讨,分析了在居里点以上由于界面态和介电常数的共同作用引起的材料电阻率猛增几个数量级的原因;同时对钛酸钡系PTCR半导瓷界面态的组成进行了研究,并提出一种直接测量界面态密度的方法。     

低压氧化锌压敏陶瓷的显微结构及其电学性能的研究

研究了一价碱金属离子掺杂对低压ＺｎＯ压敏陶瓷电学性能的影响规律,探讨了烧结温度、降温速度对其显微结构和电性能的影响,分析了添加剂驰骋合成对ＺｎＯ压敏陶瓷场强的影响规律。实验发现：一价碱金属离子掺杂能有效地抑制漏流,增加非线性,但同时使压敏场强增加：提高烧结温度能有铲地降低压敏场强,但过高的烧结温度将使漏流增加,非线性系数下降。通常,烧结温度以不超过１２５０℃为宜;添加剂预合成能降低ＺｎＯ压敏陶瓷的     

Al2O3掺杂ZnO压敏陶瓷的晶粒生长研究

研究了Al2O3掺杂对ZnO压敏陶瓷晶粒生长规律的影响,应用晶粒生长动力学方程确定了晶粒生长的动力学指数和激活能.实验结果表明,对于Al2O3掺杂ZnO压敏陶瓷,其晶粒生长的动力学指数n等于4,激活能Q等于(400±26)kJ/mol.Al2O3掺杂ZnO压敏瓷的晶粒生长机理是ZnAl2O3尖晶石颗粒在ZnO压敏瓷晶粒边界钉扎过程中Al3+和O2-通过ZnAl2O4尖晶石的扩散.     

电泳沉积法制备纳米CoFe2O4厚膜

利用电泳沉积法在Pt/Al2O3衬底上成功制备了纳米CoFeqO4厚膜,分析了电泳沉积纳米CoFe2O4厚膜的影响因素.利用Zeta电势测试仪测试了悬浮液的Zeta电势和电导率,利用X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜分析了厚膜的组分和微观形貌,利用振动样品磁强计和漏电流测试仪测试了厚膜的性能.结果表明,电泳沉积法制备C...     

AST液相添加剂对PTCR陶瓷电性能的影响

研究了液相添加剂ＡＳＴ（Ａｌ２Ｏ３＋ＳｉＯ２＋ＴｉＯ２）对ＢａＴｉＯ３陶瓷材料电性能的影响，随着Ａｌ２Ｏ３含量的增加，材料的电性能降低，ＳｉＯ２、ＴｉＯ２的物理特性对材料电性能影响较大，过量ＴｉＯ２对材料ＰＴＣ效应有重要影响。     

工艺因素对Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15]O3+δ陶瓷微波介电性能的影响

研究了制备工艺对Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15]O3-δ(CLNZ)陶瓷的微观结构及微波介电特性的影响.研究表明,煅烧温度对晶粒形貌有明显影响,随煅烧温度的增加,气孔率减小,但超过900℃后又增加.当煅烧温度为900℃,在115℃、4h烧结,陶瓷微波介电性能最佳:εγ=31.6,Qf=13100GHz,τf=-9.4ppm/℃.     

复合氧化物电子功能陶瓷的现状与展望

本文阐述了复会氧化物电子功能陶瓷的概念、分类、设计原则、复会机理以及典型应用，并对复合氧化物电子功能陶瓷的发展方向作一简单的介绍。复合氧化物电子功能陶瓷主要分为固溶型、机械混合型、晶界偏析型、包覆型、两相反应型等。其复合机制主要有加和性、乘积性、多色渗滤等，未来复合氧化物电子功能陶瓷的发展方向主要有：１．纳米级复合氧化物电子功能陶瓷材料的设计与制造；２．多功能复合氧化物电子功能陶瓷材料的设计与制造；３．无污染、可再生的复合氧化物电子功能陶瓷材料的开发与研究。     

多层片式PTCR瓷片烧成工艺及电性能关系的研究

为研制一种独石结构的片式热敏PTC电阻器，采用轧膜成型工艺制备生坯薄片并在成瓷后叠层。为满足叠层所需的平整度与电性能参数，分别从烧成温度、升温速率、保温时间与降温速率等烧成工艺参数加以控制并给出了相应的讨论。确定了多层片式PTCR的最佳烧成工艺曲线并制备具有PTC效应的3层并联结构的热敏电阻器。     

轧膜成型PTCR瓷片平整烧成工艺的研究

为制备平整的PTCR瓷片,通过大量试验,分别从烧成温度、升温、降温阶段等各种烧成工艺对采用轧膜成型法制备PTCR瓷片性能的影响,得到了最佳平整度和电性能参数的烧结工艺。     

原位聚合法制备BaTiO3厚膜的研究

研究了在BaTiO3水浆料中通过加入丙烯酰胺有机单体原位聚合形成聚丙烯酰胺的过程制备厚膜。生坯的柔韧性通过加入丙三醇作为增塑剂加以改善。实验结果表明，由于所制备浆料的均匀性好，这种由原位聚合形成的厚膜显微结构均匀，电性能优良。