拖曳线列阵声纳护套用聚氨酯的声学性能及材料体系

流噪声是影响拖曳线列阵声纳信噪比的一种主要自噪声。首先通过介绍湍流边界层脉动压力的产生及其对护套的作用方式，探讨了拖曳线列阵声纳护套内流噪声的产生机理；其次通过分析聚氨酯（PU）的透声和降噪机理，讨论了PU的声学性能；最后从PU单一体系和互穿聚合物网络（IPN）两个方面，分析比较了护套用PU的材料体系。     

联合装备体系对抗仿真可组合问题的概念框架

组合仿真已成为复杂系统联合建模仿真领域的研究热点之一.以装备体系对抗仿真为背景分析了其对可组合性的需求,在此基础上对可组合问题研究中的可组合性、互操作性以及重用性这三种相关概念进行对比分析;以组合仿真开发过程引出可组合问题的基本研究问题;以组合模式刻画了仿真组分的组装机制,最后以层次化可组合问题的参考模型对可组合程度以及组合相容性、组合可替换性等概念进行了界定,从而构成可组合问题的概念框架.     

降温速率对Ba0.92Ca0.08TiO3 PTCR陶瓷室温电阻率"反常"现象的影响

通过系统研究烧结工艺对BaO92Ca0.08TiO3电阻正温度系数(possitive temperature coefficient resistance，PTCR)陶瓷的影响，在晶粒生长过程中分析液相在晶界中的分布。着重研究降温速率对PTCR室温电阻率的影响。发现在1300～1150℃温区内，当降温速率大于15℃／min时，出现随降温速率增加，室温电阻率增大的“反常”现象。根据液相在晶界区分布随降温速率的变化规律，对这种“反常”进行解释。     

多工位PTCR电流–时间特性测试系统的研制

基于PCI总线的数据采集卡,研制出了多工位PTCR元件电流–时间特性测试系统。它能同时对10个工位的PTCR元件的启动时间、峰值电流、残余电流、恢复时间、消耗功率等多个参数进行测量。系统测试方便,测量精度高,最大测试误差<1%,在实际应用中得到企业用户的好评。     

MgO—CoO—NiO氧敏材料的缺陷化学及电导特性 研究

本文用点缺陷理论分析了ＭｇＯ－ＣｏＯ－ＮｉＯ系氧敏材料的缺陷模型。并测量了ＭｇＯ－ＣｏＯ－ＮｉＯ材料的高温电导与氧分压的关系。在实验的基础上，研究了该材料的缺陷化学及电导特必一，对其禁带宽度及缺陷的热力学参数进行了理论估算。实验结果与理论分析吻合得较好。     

直流磁控溅射BaTiO3系PTCR元件电极及其性能对比的研究

目前在钛酸钡系PTC热敏电阻器的生产过程中,广泛采用烧渗铝、化学镀镍等电极制备方法,但所制备的电极湿热老化及附着力不尽人意.本文采用直流磁控溅射法制备了的PTCR元件的底电极,实现了镍与PTCR瓷片间的欧姆接触,并发现利用溅射法工艺制备了Ni电极的元件电极附着力(垂直拉力＞3kg,剪切拉力＞0.5kg)及耐湿热老化性能均得到提高,而且溅射工艺的高成本也得到控制,在生产上实现了批量应用(日产量可达3万片).     

AST液相掺杂对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导瓷显微结构及电性能影响

通过改变低电阻率BaTiO3半导体陶瓷中液相添加剂AST的含量，采用XRD和SEM显微分析方法研究了AST含量对低电阻率，高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷显微结构的影响，研究结果指出，BaTiO3半导体陶瓷中AST的引入量对晶界厚度的控制存在两个临界点，晶界厚度对低电阻率，高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷的显微结构和电性能产生重要影响。     

ZnO-B2O3-Na2O玻璃对Ca[（Li1／3Nb2/3）0．8Sn0．2]O3-δ陶瓷微波介电性能的影响

研究了ZnO-B2O3-Na2O(ZBN)玻璃对陶瓷的烧结性能及微波介电特性的影响.研究表明ZBN的掺入能有效降低Ca[(Li1/3NB2/3)0.8SN0.2]O3-8(CLNS)陶瓷体系的烧结温度100-150℃,谐振频率温度系数随ZBN掺入量增加及烧结温度的提高,由负值向正值方向增大.在1050℃,掺入质量分数3wt%的ZBN,陶瓷微波介电性能最佳:er=25.8,Qr=11330 GHz,Tr=-12.5 ppm/℃.     

高能辐射室温探测器用TlBr单晶及其器件

TlBr单晶材料具有探测器高的阻止本领、宽禁带、高电阻率、高密度、能量吸收深度较小等特点,是目前理想的高能X和7射线探测用半导体材料之一.介绍了TlBr单晶材料、TlBr探测器的基本原理以及T1Br单晶及器件的研究现状,概括了TlBr原料提纯和晶体生长的主要方法及其特点,同时总结归纳出TlBr晶体生长和器件制备方面所存在的高质量材料制备问题、电极接触问题、器件结构设计问题和载流子收集问题,以及将来TlBr探测器领域的热点研究方向.     

低压ZnO压敏陶瓷晶粒边界电子陷阱态的研究

应用４１９２Ａ低频阻抗分析仪测量了低压ＺｎＯ压敏陶瓷的复电容曲线,研究了烧结温度对复电容曲线压低角的影响规律,探讨了晶粒边界耗尽层中电子陷阱的种类和起因并对电子陷阱的特征参数进行了表征．实验发现：在低压ＺｎＯ压敏陶瓷中存在两种非理想的Ｄｅｂｙｅ弛豫现象,对于每一种弛豫,其复电容曲线存在压低现象,且其压低角随着烧结温度的升高而迅速减小．在低压ＺｎＯ压敏陶瓷的耗尽层区域内存在两种电子陷阱,它们分别位于导带底０．２０９和０．３４２ｅＶ处,其中０．２０９ｅＶ处的陷阱能级对应于本征施主Ｚｎ×ｉ的二次电离,而０．３４２ｅＶ处的陷阱能级对应于氧空位ＶＯ的一次电离．