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退火对电容型硅纳米孔柱阵列湿度传感器性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
基于硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)制备电容型湿度传感元件,并在250℃、450℃和550℃三个温度下对元件进行退火处理。测试数据显示,在测试温度低于550℃时,Si-NPA湿敏元件灵敏度随退火温度的升高而增大,但响应时间略微延长,湿滞回差略微增大;550℃退火后,元件的灵敏度急剧降低。采用场发射扫描电镜(FE-SEM)对不同温度退火的硅纳米孔柱阵列表面形貌进行观察,发现550℃退火元件的微观多孔结构发生了明显变化,即多孔结构致密化。结果表明,通过合适温度退火可以显著提高Si-NPA湿敏元件灵敏度,同时仍然保持较快的响应速度和较小的湿滞回差。 相似文献
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本文设计了一种针对4MeV静电加速器产生γ辐射的监测系统,它具有多个监测通道.每一通道均由γ射线探测器、放大电路、多道分析器、USB传输电路等组成.所有通道的探测数据都交给系统主控微机进行处理.通过编写相配套的数据分析软件,可实现对60KeV-3000KeV范围内γ辐射能量实时测量及能谱确定.为实现加速器的辐射监测防护提供确切依据. 相似文献
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利用γ辐射防护监测系统,测量4MeV静电加速器在运转过程中所产生γ射线的辐射强度.为提高监测质量,根据该系统测量结果具有重复性、复现性、正态分布性等特点,采用控制图法对其监测过程进行统计控制,使测量随时处于受控状态,保证了测量的精度和可靠性. 相似文献