装饰材料的不同质感对室内环境产生的不同影响

人们对室内环境气氛的感受是综合的、整体的,既有空间形状,也有作为实体的界面。出色的设计作品,出来形式上的美感之外,另外一个重要因素是界面材料所发挥的视觉感染力。视觉感受界面的主要因素有室内的采光、照明、材料的质地和色彩、界面本身的形状、线脚和图案肌理等。     

蒜素快速检测方法的建立及应用

建立了一种测定鲜蒜中蒜素(二烯丙基硫代亚磺酸酯)含量的高效液相色谱分析方法.样品提取后以C18柱(250 mm×4.6 mm,5μm)为色谱柱分离,以乙腈与0.1％甲酸为流动相进行梯度洗脱,流速为1.0 mL/min,检测波长为245 nm,进样量为10μL,色谱柱温度为40℃.对鲜蒜试样进行3个浓度水平3个重复的添加试验,得到平均回收率为95.5％～106％,相对标准偏差为1.39％～2.83％.线性范围为10～500mg/L.该方法具有样品预处理简单、灵敏度较高等优点.     

适用于大规模风、光直流送出系统的子模块IGBT开路故障诊断策略

在大规模风、光直流集中送出系统中，采用模块化多电平换流器（MMC）实现高压直流输电（HVDC）成为新的发展趋势。但在系统运行过程中，子模块发生故障的概率较高，对故障进行快速、准确的诊断及定位是维持系统稳定运行的关键。针对子模块内部开路故障，在分析子模块内部故障特性的基础上，以直流侧电压测量值与计算值的差值判断故障是否发生以及发生类型，以输出相电流为观测量搭建滑膜观测器，根据输出相电流的测量值与计算值的差值和变化率判断故障所处的桥臂，根据故障类型选取对应开关状态的子模块，利用子模块电容电流理论值与实际值的比值进行定位；最后在PSCAD/EMTDC搭建双端21电平MMC-HVDC系统，仿真结果表明，所提出的策略能够快速实现子模块故障的诊断并进行快速可靠的就地保护。     

悬索索长计算精度分析

以抛物线和悬链线理论为基础，总结推导了悬索索长的实用计算公式，对各公式的计算精度进行了分析。     

1 kHz步进低噪声YIG调谐微波频率综合器

低噪声微波频率综合器在现代电子系统和高性能测试系统中起着非常重要的作用,其实现方式通常以压控振荡器(VCO)和YIG调谐振荡器锁相频率合成为主。基于4~9 GHz YIG调谐振荡器,通过VCO合成小步进可变参考,使锁相环路在不降低鉴相频率的前提下,设计了完成高分辨率、低杂散的宽带低噪声YIG频率综合器。技术验证样品测试结果表明,在4~9 GHz工作带宽内频率步进为1 k Hz,相位噪声优于-95d Bc@10 k Hz,-115 d Bc@100 k Hz,其软硬件设计支持连续扫频和合成扫频功能,工作性能稳定可靠,可满足工程中本振和信号源应用需求。     

YIG调谐滤波器锁相自跟踪技术方案设计与实现

介绍了一种利用YIG调谐滤波器锁相自跟踪技术解决因磁滞、调谐非线性、温度漂移等影响其频率准确度的方法。着重叙述了锁相自跟踪的工作原理、设计方案及预选/跟踪滤波器、锁相电路等设计技术。超外差接收前端的中频差频与YIG调谐滤波器的自跟踪技术结合可在增强射频信号预选特性的同时有效提升工作频率的准确度,此外,YIG调谐滤波器的良好线性调谐特性可使得锁相自跟踪环路在整个工作频带内具有良好的一致性。器件实测结果表明,在2~18 GHz频率范围内,频率准确度优于±1.5 MHz,方案的合理性和技术的先进性对YIG调谐滤波器在高性能电子设备中的应用有较大的参考意义和实用价值。     

基于LABVIEW的锂电池监控系统

提出了一种基于LabVIEW的锂电池监控系统,整个系统由上位机和下位机组成。下位机通过MSP430F5529单片机及TI的电池管理芯片BQ76PL536对电池组的充放电过程进行控制,同时采集锂电池组每节单体电池电压、主回路电流及电池组温度等信息,MCU通过串口把电池组信息传送到上位机。上位机通过LabVIEW对采集上来的数据进行分析处理,把电池单体电压、主回路电流、电池均衡信息、电池组温度及电池电量等信息实时地显示在前面板上,并保存采集上来的数据。     

海水介质中复配型水杨醛类席夫碱对碳钢的缓蚀作用

为了研究复配型水杨醛类席夫碱在碳钢表面的缓蚀机理和缓蚀行为,利用电化学方法和表面分析技术测试了碳钢在加入缓蚀剂前后的海水介质中的极化曲线、交流阻抗谱和微观形貌,计算了缓蚀率。结果表明:复配型水杨醛类席夫碱具有明显的缓蚀效果;碳钢表面形成了缓蚀膜,其原子与碳钢表面铁原子相互结合。     

高强度板材折弯工艺数据的分析

用PBB-400/5100数控板料折弯机,对WELDOX和HARDOX高强度板作了折弯试验,分析对比了在板材不同下模口宽度和轧制方向时折弯的结果,得到了一些工艺数据.通过对数据进行归纳分析,总结出高强度板材的折弯工艺以及安全操作方法.     

Understanding the failure mechanisms of microwave bipolar transistors caused by electrostatic discharge

Electrostatic discharge(ESD) phenomena involve both electrical and thermal effects,and a direct electrostatic discharge to an electronic device is one of the most severe threats to component reliability.Therefore, the electrical and thermal stability of multifinger microwave bipolar transistors(BJTs) under ESD conditions has been investigated theoretically and experimentally.100 samples have been tested for multiple pulses until a failure occurred.Meanwhile,the distributions of electric field,current density and lattice temperature have also been analyzed by use of the two-dimensional device simulation tool Medici.There is a good agreement between the simulated results and failure analysis.In the case of a thermal couple,the avalanche current distribution in the fingers is in general spatially unstable and results in the formation of current crowding effects and crystal defects.The experimental results indicate that a collector-base junction is more sensitive to ESD than an emitter-base junction based on the special device structure.When the ESD level increased to 1.3 kV,the collector-base junction has been burnt out first.The analysis has also demonstrated that ESD failures occur generally by upsetting the breakdown voltage of the dielectric or overheating of the aluminum-silicon eutectic.In addition,fatigue phenomena are observed during ESD testing,with devices that still function after repeated low-intensity ESDs but whose performances have been severely degraded.