Ka波段AlGaN/GaN HEMT栅结构仿真研究

为了研究适合Ka波段AlGaN/GaN HEMT的栅结构尺寸,借助二维器件仿真软件Silvaco Atlas,在完善仿真模型的基础上研究了Γ型栅各部分对AlGaN/GaN HEMT特性的影响,包括栅长与短沟道效应的关系、栅与沟道距离对短沟道效应和饱和漏电流的影响,以及栅金属厚度对fmax,栅场板对fT、fmax和内部电场的影响。根据典型器件结构和材料参数的仿真表明,为了提高频率并减轻短沟道效应,栅长应取0.15～0.25μm;减小栅与沟道的距离可略微改善短沟道效应,但会明显降低器件的饱和漏电流,综合考虑栅调制能力、饱和漏电流、短沟道效应三个方面,栅与沟道距离应取10～20nm;为了提高fmax,栅金属厚度应大于0.4μm;缩小栅场板长度可有效提高器件的频率,兼顾Ka波段应用和提高击穿电压,栅场板长度应在0.3～0.4μm左右。仿真得出的器件性能随结构参数的变化趋势以及尺寸数据对于Ka波段AlGaN/GaN HEMT的研究具有参考意义。     

以业务流程为核心实现企业应用集成的创新与实践

针对企业中普遍存在的"信息孤岛"问题,该文提出以业务流程管理(BPM)为核心,充分发挥业务流程的桥梁、管道、调度作用,将各类应用系统紧密结合起来,实现企业应用集成(EAI)。通过对20多个应用系统成功改造的实践证明,该方案简便高效,可以快速、低成本的实现基本的企业应用集成,消除信息孤岛,满足管理和业务对于系统融合的要求。     

变速恒频双馈风力发电机结构分散化并网控制

针对双馈式变速变桨风力发电机并网系统,对其控制技术进行研究,提出了一种基于链系统理论的转子电流控制方法,建立起了变速变桨发电机结构分散化并网控制器模型,它由2个单元模型、2条因果链和2支链间关联的模型构成。在此模型的基础上,根据链系统的预估机制和控制方案,给出了以发电机转子的ｄ轴电流、ｑ轴电流为受控量的关联系统的结构分散化控制算法。仿真结果表明,该新型控制方法与传统的PI控制方法相比,不仅不需要进行常规控制时繁琐的PI参数整定,而且可以使得发电机转子的ｄ轴电流、ｑ轴电流在有限时间内迅速到达参考值,实现快速收敛和较好的跟踪精度。     

不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触界面特性分析

为研究退火温度对肖特基接触界面特性的影响,在不同温度下测试了不同退火温度处理的Mo/4H-SiC肖特基接触的I-V及C-V特性.根据金属-绝缘层-半导体(MIS)结构二极管模型理论,认为在金属与半导体间存在薄介质层,通过估算介质层电容值,得到了肖特基接触界面态密度(N88)的能级分布情况,N8s约为1012 eV-1·cm-2量级.退火温度升高,N8s的能级分布靠近导带底;测试温度升高,Ns8增加且其能级分布远离导带底.利用X射线光电子能谱(XPS)分析表征肖特基接触界面态化学组分,分析结果证实接触界面存在SiO.SiO组分随退火温度的升高而减少,在退火温度为500℃及以上时检测到Mo-C成分,说明Mo与4H-SiC发生反应.     

超小绒面硅基太阳能电池电学性能的数学模拟分析

在充分考虑纳米柱结构太阳能电池的几何特性与低反射率特性的基础上,建立了硅基纳米柱太阳能电池的数学模型,分析了电池单元纳米柱的长度、硅衬底缺陷密度以及表面空穴的复合速率对纳米柱太阳能电池的开路电压、短路电流以及转换效率的影响。结果表明：在纳米柱电池设计制作过程中,低反射率仅是高性能电池的关键因素之一;电池纳米柱的最佳长度...     

Optimization of Al_2O_3/SiN_x stacked antireflection structures for N-type surface-passivated crystalline silicon solar cells

In the case of N-type solar cells,the anti-reflection property,as one of the important factors to further improve the energy-conversion efficiency,has been optimized using a stacked Al₂O₃/SiN_x layer.The effect of SiN_x layer thickness on the surface reflection property was systematically studied in terms of both experimental and theoretical measurement.In the stacked Al₂O₃/SiN_x layers,results demonstrated that the surface reflection property can be effectively optimized by adding a SiN_x layer,leading to the improvement in the final photovoltaic characteristic of the N-type solar cells.     

X波段GaN五位数字移相器MMIC的设计

采用0.5μm GaN HEMT工艺设计了X波段五位数字移相器的单片微波集成电路(MMIC),描述了移相器的设计过程,并进行了版图电磁仿真。该移相器采用高低通滤波器型网络和加载线型结构。利用电路匹配技术设计移相器电路的开关结构,将GaN器件的插入损耗从14 dB降至1 dB。版图仿真结果表明,在9.2 GHz~10.2 GHz频带范围内,均方根移相误差小于3.5°,插入损耗典型值为17.4 dB,回波损耗小于-12 dB,版图尺寸为5.0 mm×4.7 mm。     

基于加速性能退化数据的XLPE绝缘可靠性评估

传统的基于失效寿命数据的固体电介质绝缘可靠性评估方法,试验时间长、失效数据少且难以获取.针对这一问题,本文研究了基于加速性能退化试验数据的可靠性评估方法.首先,采用平均电荷密度作为性能退化特征量,分别在140、160、180 kV/mm场强条件下进行加速性能退化试验,获取性能退化数据.其次,计算得出各场强条件下交联聚乙烯(XLPE)绝缘材料的伪失效寿命并确定其统计分布.最后,结合虚拟增广理论对伪失效寿命数据进行扩充,利用统计分析方法对扩充后的数据进行分析.结果表明:采用加速性能退化试验方法进行XLPE绝缘可靠性评估,经理论计算得到样本可靠度、失效分布密度函数、平均寿命等性能可靠性指标.结合加速寿命模型理论推导出20 kV/mm稳定场强条件下该XLPE绝缘材料的预期寿命为15.3年,且到达预期寿命时可靠度为0.4451.     

容断/容迟网络通信过程分析

当前,以TCP/IP协议为基础的Internet已经被广泛应用。但是Internet并不能很好应用于,例如星际间卫星网络,军事战场网络等具有较大时延,频繁中断,非对称信道和高误码率等特征的网络。容断/容迟容忍网络(Disruption/Delay Tolerant NetworkDTN)提出了一种架构和解决方案来解决以上环境中所遇到的通信问题。该文的主要内容包括:1)DTN架构和Bundle协议的简介。2)典型DTN应用通信过程和束(bundle)结构的分析。     

浅谈建筑工程施工质量控制

施工质量控制是工程建设质量管理的重要一环,而施工质量控制关键是要以人为核心,预防为主,以数据为原则。施工中的每一道工序质量控制,必须要有质量计划,做到事前控制,事中和事后控制。