捕获含有圣杯式十六核水簇的水-甲醇二元簇合物（H2O）20（CH3OH）4

超声反应条件下,以氧化银、2,2’-二苯基二羧酸（H2bpda）及柔性配体1,3．-（4-吡啶）丙烷（bpp）为原料,在1：1的甲醇-水混合溶剂中合成了一个全新的银配合物IAg4（bpda）2-（bpp）4·14H2O·2CH3OH]n（1）,并对该配合物进行了元素分析、红外光谱分析、热重分析以及晶体结构研究．X射线单晶结构分析表明,配合物1的空洞中包裹着一种由罕见的圣杯式十六核水簇、四个悬挂水分子及四个悬挂甲醇分子通过氢键作用所构筑的具有中心对称性的水-甲醇二元簇合物（H2O）20（CH3OH）4．其中的十六核水分子簇可看作由一组对称性相关的八核水簇相互耦合而成,而每个八核水则由两个折叠状的五核水通过共边形成．有趣地是,仔细分析发现目前的十六核水簇结构上非常类似由两个并环戊二烯通过[2＋2]环加成而得到的一种复杂的有机烃,显示出水分子簇与有机分子结构上的相似性．     

以AgCl和1,2-二(4-吡啶)乙烷为原料合成的二维无机-有机杂化聚合物的晶体结构及荧光性质(英文)

以AgCl与柔性配体1,2-二(4-吡啶)乙烷(bpe)为原料,在1∶1的甲醇-水混合溶剂中超声反应合成了一个新的无机-有机杂化聚合物[Ag3Cl3(BPE)2]n(1),并对该配合物进行了元素分析、红外光谱分析、热重分析、发光测试以及晶体结构研究。配合物属于三斜晶系,P1空间群,a=0.998 8(2)nm,b=1.115 1(2)nm,c=1.269 5(3)nm,α=64.27(3)°,β=85.71(3)°,γ=86.70(3)°,V=1.269 7(5)nm3,Z=2。单晶结构分析表明,该化合物1含有一维的(Ag6Cl6)n链,双氮配体BPE进一步连接该一维链形成了二维双层结构。固体发光性能测试表明,该化合物在385 nm光激发下能发出峰值为525 nm的黄光。此外,热分析表明,该化合物热稳定性可达到170℃。     

半导体材料基因组计划:硅基发光材料

材料基因组计划旨在通过实验、计算和理论的有机整合协同创新, 实现新材料研发周期减半, 成本降低到现有的几分之一, 以期加速在清洁能源、国家安全、人类福利等方面的进步. 半导体材料的研究和发展奠定了半导体科学技术在当前人类社会发展中至关重要的地位, 半导体材料基因组计划的实施将促使半导体科学技术的研究和应用进入一个崭新的时代. 本文基于基因遗传算法理论设计硅基发光材料的研究工作探讨了半导体材料基因组计划的实施构想. 首先简单介绍了硅基发光的应用前景和开发硅基发光材料所面临的挑战. 随后介绍了基于模拟达尔文物种进化的基因遗传算法和高精度高性能的能带结构计算方法, 设定高效带边发光这一目标, 逆向设计拥有直接带隙发光的二维Si/Ge超晶格和一维Si/Ge核-多壳纳米线, 为实施半导体材料基因组计划提供了一个范例, 显示了材料基因组计划的强大力量和巨大价值. 最后对半导体材料基因组计划的实施提了几点建议.     

400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文)

利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为11%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为20%的10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层。带有高浓度Al电子阻挡层的紫光LED的光输出功率高于低浓度Al电子阻挡层的紫光LED。带有10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的紫光LED的光输出功率获得了极大的提高,在20 mA注入电流时测试得到的光输出功率为21 mW。此外,该LED同时显示了在高注入电流下接近线性的I-L特性曲线和在LED芯片表面均匀的发光强度分布。     

酵母来源甘露聚糖的提取纯化及其对水果保鲜

以市售酵母细胞壁为原料,考察不同提取工艺条件下酵母甘露聚糖的得率.结果表明,最佳提取条件为:料液比1∶60,115℃,浸提90 min,此时甘露聚糖最大得率可达到18.71%,影响因素的重要性依次为:料液比浸提温度浸提时间.对甘露聚糖进行初步纯化,结果显示Polar MC 60-Q型预装纯化柱的多糖损失率较低(38.21%),而蛋白去除率最高(90.97%),显示出较好的纯化效果.经初步纯化的甘露聚糖涂膜处理苹果显示出较好的抗褐变性能;保鲜剂组分为0.2%甘露聚糖、0.3%丙酸钙、0.3%抗坏血酸时,对葡萄进行涂膜处理,测得五日失重率为3.95%,较对照组降低19.70%,五日好果率77.78%,该配方保鲜效果明显优于其他测试组.     

掺钽钨青铜的制备及光学性能

以TaCl₅和Na₂WO₄为原料,采用水热法在170 ℃制备性能良好的掺钽钨青铜(Ta_<i>xWO₃)纳米线。利用Ｘ射线衍射技术(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外可见漫反射光谱(UV-Vis)及拉曼光谱(Raman)等分析手段,对该材料的结构、形貌及光谱性能进行表征。XRD结果表明：Ta_xWO₃纳米材料为六方相结构氧化钨,当Ta_xWO₃中Ta/W摩尔比小于0.04时,晶胞参数随着掺杂量的增大而逐渐增大,当掺杂量达到大于0.04后保持基本不变。UV-Vis光谱表明,随着钽掺杂量的增大,紫外吸收峰发生红移,即能隙逐渐减小。Raman光谱显示：随钽掺杂量的增大,Raman峰位逐渐向低波数方向移动,同时振动峰逐渐宽化,进一步证明了钽掺杂对氧化钨结构的影响。光催化降解罗丹明B的实验显示,制备的Ta_xWO₃具有较高的光催化活性。     

夹心三明治结构的二十五核银硫簇合物[Ag25(SC6H4Pri)18 (dppp)6](CF3SO3)7·CH3CN：结构表征及光学性能

在本研究中,使用(ⁱPrC₆H₄SAg)_n作为合成银硫纳米簇合物的前驱体。当存在辅助的双膦配体1, 3-双(二苯基膦)丙烷(dppp)及可溶性银盐(CF₃SO₃Ag),在超声合成条件下,获得了一例二十五核银硫簇合物Ag₂₅,并借助X射线单晶衍射技术确定相应的分子结构。该银硫簇合物具有夹心三明治的骨架结构：分别由两个结构相似的圆柱体共享一个七核纯银簇所构成的金属簇平面。固态紫外可见漫反射光谱测试表明该簇合物的能级带隙为2.5 eV,属于半导体材料的范畴。固态发光测试显示,该簇合物在室温下发射绿光。     

敷设阻尼材料的双层圆柱壳声辐射性能分析

研究了外层壳上敷设粘弹性阻尼材料的双层壳体的振动和声辐射性能,采用经典Flugge微分算子描述壳体的运动,敷设粘弹性阻尼材料的双层壳体的粘弹性阻尼层的运动用三维Navier方程描述,将阻尼沿厚度方向的位移用泰勒展开表示,利用位移和应力的连续性边界条件建立振动方程。详细讨论了阻尼层厚度、弹性模量、损耗因子及静水压缩因子等参数对双层壳体振动和声辐射的影响,表明阻尼材料的弹性模量越高,阻尼层越薄,损耗因子越小,壳体的辐射声功率越高;对于较高频率的激励,必需考虑阻尼层质量的影响,选择密度低的阻尼材料对减振降噪有利。     

硫酸铵母液除氯及其对结晶影响

硫酸铵母液中Cl^-不断循环富集导致设备腐蚀严重,同时影响硫酸铵结晶及品质。本文运用硫酸钙铝法和脱硫灰铝法分别对硫酸铵母液进行除氯研究,采用筛分法对晶体粒径进行分析、扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope, SEM）对晶体尺寸、形貌进行表征,X射线衍射仪（X-ray Diffractometer,XRD）分析晶体物相。研究表明：除氯剂最佳投加量为3.0 g硫酸钙和0.8 g偏铝酸钠,3.0 g脱硫灰和0.8 g偏铝酸钠,对应除氯率分别为31.70%和36.38%。在转速200 r/min,反应温度为75 ℃,两种除氯剂加入会使ρ（Cl^-）快速下降,此为Cl^-与Ca²⁺和AlO₂^-反应形成了不溶钙铝氯化合物;除氯剂加入过量会使NaAlO₂发生双水解,解离出OH^-,抑制Cl^-与Ca²⁺、AlO₂^-反应,导致Cl^-去除率下降。硫酸钙铝法所产生的钙铝氯化合物会附着在晶粒活性表面进而增大硫酸铵结晶介稳区宽度,抑制晶体正常生长,导致结晶量减少;脱硫灰铝法中杂质金属可将OH^-消耗和减小硫酸铵结晶介稳区宽度,所含大量SO₄^2-会使硫酸铵结晶量增加,但晶体纯度降低。相关研究结果可为减少氨法脱硫设备腐蚀及优化硫酸铵结晶提供参考。