Ca_3NbGa_3Si_2O_(14)晶体的介电和压电特性

利用Y切和 (yxl) 30°切两种样品测量了Ca3NbGa3Si2 O1 4晶体的介电、压电和部分弹性参数 .计算了 (yxl)θ切型相关压电常数随切角的变化 .与La3Ga5SiO1 4晶体相比 ,Ca3NbGa3Si2 O1 4晶体具有更优良的压电性能 ,其压电常数d1 1=7 93× 10 - 1 2 C N ,d1 4=- 5 88× 10 - 1 2 C N .     

A3BGa3Si2O14类晶体的旋光特性研究

报道了La3Ga5SiO14(LGS)同构物掺杂性改进后,用提拉法生长出A3BGa3Si2O14(A=Ca2+,Sr2+;B=Nb5+,Ta5+)系列的4种晶体.此类稀土晶体均为单轴晶,属三方晶系,32点群.采用改造过的分光光度计研究了这类晶体的透过率、旋光角、旋光率色散,并与LGS进行了比较.透射率光谱显示,ABGS类晶体在大于294 nm的可见光谱区和红外区是透明的,透过率均大于LGS.偏振光透过率曲线显示这类晶体自然旋光率较大,结果表明,这4种晶体的旋光率均大于LGS,其中SNGS旋光为最大,在波长0.30 μm处,ρ=240.75(°)·mm-1;在0.633 μm处,ρ=34.73(°)·mm-1.根据实验结果计算了这类晶体的波尔兹曼系数,与文献结果吻合很好.     

吡啶盐二维电荷转移分子的设计、合成和超级化氯的测定

设计、合成了以吡啶阳离子为吸电子基团的二维电荷转移非线性光学生色团分子－双四苯鹏(反式)-4,4'-二{p-[(N-乙基-N-羟乙基)氨基]苯亚乙烯基}-N,N'-(1,2-乙基)-2,2'-联吡啶盐和双四苯硼(反式)-N-己基-咔唑-3,6-二(p-亚乙烯基-N-羟乙基-吡啶盐),利用超瑞利散射技术(HRS)测定了这两种分子的第一超级化率β,在1064nm分别为786x10^-^3^0esu和1770x10^-^3^0esu。双能级模型计算得到的β0的值分别为215x10^-^3^0esu和119x10^-^3^0esu。从分子结构的角度定性地分析了该类分子具有大β值的原因。     

Tm3+掺杂硅酸镓镧(La3Ga5SiO14)晶体的结构与光学性能研究

利用X射线粉末衍射确定了Tm3+掺杂硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体的晶体结构;运用DICVOL91程序计算了该晶体不同部位的晶胞参数;测定了Tm:LGS晶体的室温吸收谱和470 nm光激发下的发射光谱;根据Judd-Ofelt理论拟合了Tm3+的三个晶场调节参数Ωt(t=2,4,6),分别为2.694×10-20 cm2,1.842×10-20 cm2,0.030 × 10-20 cm2;计算了各个能级跃迁的谱线强度、振子强度、吸收截面等,进而计算了3H4和3F4态的自发跃迁概率、辐射寿命、荧光分支比和积分发射截面,并对结果进行了分析.