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41.
对不同Sb掺杂浓度Hg1-xCdxTe（x≈0.38）样品在3.9—115K的温度范围内进行了光致发光实验测量，观察到与局域激子、带到带和施主受主对有关的辐射复合过程．并用光致发光手段发现Sb掺杂在x≈0.38的Hg1-xCdxTe中引入的约30meV的受主能级 关键词：  相似文献   
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