APPLICATION OF COMPUTER NUMERICAL METHOD IN PORE STRUCTURE CALCULATION

This paper compares the results Of calculat-ing pore structure and graphing differential and integralpore size distribution by hand and Computer,and presents thatlagrangian interpolation uesd by calculating pore structure issuitable and reliable.     

用分析－数值法求解非线性包装系统的产品破损边界曲线

应用非线性动力学方程的分析－数值解法，推导了矩形冲击时非线性包装系统的破损边界曲线，研究了非线性项对破损边界曲线的影响，分析了影响破损边界曲线安全区范围大小的因素。     

THE STATISTICAL DISTRIBUTION OF EXTREME VALUES OF WAVE-CURRENT FORCES ACTING ON SLENDER CIRCULAR CYLINDER IN IRREGULAR WAVES

Based on model test,the statistical distribution of extreme values of wave-current in-line forces acting on vertical circular cylinder is analyzed in this paper.It is shownthat the results calculated by the simplified method,proposed by authors,agree well with the testdata;Weibull distribution is also adoptable in the region of high KC number, and the shapeparameter a and scale parameter β are related well with KC number respectively.     

VTI介质的AVO理论与应用研究

AVO（Amplitude Versus Offset)技术的研究已有30多年的发展历程，其中有起有落，近两年在国际上该技术的应用又日趋广泛，发展较快，在寻找隐蔽性和裂缝性油气藏方面，AVO具有其他方法不能替代的作用，本文通过对羊屋三维数据的处理，解释一体化的研究，发现VTI各向异性介质对动校正存在较大的时差影响，本次研究成功地应用VTI介质成像理论对该地区地震数据进行了时差校正，同时采用时频域球面发散和吸收补偿加地表一致性（炮点，接收点和炮检距项）反褶积较好的振幅和频率补偿结果，并实现了相对保持振幅的要求，通过此次处理，解释一体化研究，发现了一块具有第二类AVO特性的，在常规成像条件下无法识别的地质异常体。     

果胶的制备、性质及应用

本刊第21卷第4期第195～203页“卡拉胶的制备及应用”一文介绍了可与明胶混用或取代明胶的多糖类海藻胶。这里,编辑部信息组再向读者介绍一种在食品工业中广泛使用的性能与明胶相近的多糖类植物胶——果胶,供读者们在研究开发工作中参考。     

LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究

研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了ＬＤＤ结构参数对器件击穿特性的影响，并结合实验结果对Ｎ＾－区的注入剂量，长度及引入的串联电阻进行了优化设计。     

NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

宽带放大器可靠性问题浅析

叙述了国产高频宽带放大器的质量和可靠性现状，详细介绍了这类产品的质量一致性检验、可靠性摸底试验和现场使用过程中出现的可靠性问题，用统计的方法得出了可靠性特征量，通过对失效样品的失效分析，总结出宽带放大器主要的失效模式和失效机理，并提出了消除和减少失效、提高宽带放大器可靠性的措施和建议。     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

一种多晶硅高温压力传感器

制作压力传感器时，在二氧化硅层上淀积多晶硅膜，既可利用优良的机械特性，又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性，由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明，这类传感器具有灵敏度好，精度高等特点，电路工作范围为０－２５０℃，且具有良好的温度稳定性。