聚醚胺固化环氧树脂胶粘剂的研究

以聚醚胺D-230为固化剂,研究了多官能度环氧树脂和硫酸钙晶须的加入对环氧树脂胶粘剂粘接性能的影响。研究结果表明,多官能度环氧树脂和改性硫酸钙晶须的加入,很好地改善了环氧树脂胶粘剂的高温性能;当环氧树脂m(E-51)∶m(F-51)∶m(AG-80)=3∶3∶2、改性硫酸钙晶须为树脂总质量的10%时,体系的粘接性能最佳,室温和100℃剪切强度分别为25.91MPa和6.11MPa,室温剥离强度可达5.26kN/m。     

基于工程化方法的战储物资信息资源规划研究

针对战储物资信息资源利用现状,提出了基于工程化方法的战储物资信息资源规划方法,构建了战储物资系统业务模型、功能模型、数据模型和体系结构模型,规范了信息基础标准,为实现战储物资信息资源深度共享和提高战储物资保障能力奠定了基础。     

超声滚压GCr15表面性能模型建立及工艺参数优化

目的 基于超声滚压后GCr15试样表面粗糙度和表面硬度与工艺参数之间的数学模型,获取超声滚压GCr15的最佳工艺参数。方法 首先,通过单因素试验筛选4个工艺参数的取值范围;其次,建立基于响应曲面的超声滚压GCr15表面硬度及表面粗糙度预测模型;再次,基于遗传算法对2个预测模型进行多目标复合优化,得到最佳工艺参数;最后,针对多目标优化结果进行试验验证。结果 在超声滚压处理GCr15时,滚压静压力及滚压次数对试样表面硬度及表面粗糙度的影响极显著,转速的影响不显著;进给量对表面硬度有显著影响,对表面粗糙度的影响不显著。粗糙度模型受到静压力和滚压次数双因子交互作用的影响,硬度模型不受交互作用的影响。基于遗传算法进行多目标优化得到的最佳工艺参数如下：转速为207 r/min,进给量为0.34 mm/r,静压力为0.49 MPa,滚压次数为3。在最佳工艺参数下得到试样的最低表面粗糙度为0.34μm、最高硬度为60.5HRC。结论 基于响应曲面法的GCr15超声滚压表面性能预测模型准确有效。采用最优工艺参数能够获得最优表面质量。     

高固体分含硅丙烯酸树脂涂料的合成

研究了（甲基）丙烯酸及其酯类单体中阻聚剂的去除方法,合成了含硅丙烯酸脂溶液,发现随着硅加入量的增加,转化率变化,乙烯基含硅单体会促使溶液的粘度降低,随着烷氧基的增大,粘度降低得越多;甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷由于易水解缩聚,所以含量时,转化率变高,粘度增大。     

永磁同步电机转子磁钢拓扑结构与运行工况匹配性分析

基于永磁同步电机应用较广的"一"字型、"V"字型磁钢拓扑结构,在制造材料消耗量、供电方式、功率输出参数、机械与散热结构一致的前提下分别设计两台电机,通过对比分析两台电机额定点参数、永磁转矩与磁阻转矩占比、弱磁调速能力,总结出两种磁钢拓扑结构各自所适用的运行工况。     

低温使用聚氨酯改性环氧树脂密封胶的合成及性能

采用聚氨酯改性韧性环氧树脂和二乙烯三胺固化剂制备了一系列室温固化高性能密封胶。测试结果表明,随着固化剂含量和树脂中柔性链含量的增加,密封胶的断裂延伸率都先增后降,压缩永久形变显著降低。在此基础上,最终得到了初始黏度小于1 Pa·s、断裂延伸率可达193%、压缩永久形变<20%、液氮温度时剪切强度高于13 MPa及剥离强度大于10 kN/m,同时拥有优异的耐高低温循环和耐介质性能的密封胶,可用于低温领域及微小部件的粘接和密封。     

矿用防爆电机三维温度场研究

电机温升对电机的性能有重要影响,是电机设计的关键。基于流体动力学原理,对矿用防爆电机的热流耦合场进行数值计算,得到了电机内部流场特性、电机整体温度分布、电机各部件峰值温度及所在位置。通过方案比较,确定定、转子铁心长度;然后进行结构优化,采用电机内置风扇、定转子铁心增设通风孔两种方法增强电机内部冷却效果,并验证数值计算的可行性。所得结论为电机设计提供了一定的理论参考。     

表面肌电信号分析及其在康复医学中的应用

表面肌电信号( sEMG)有多种分析处理方法,如时域、频域、参数模型、时-频域、非线性动力学等方法,针对分析处理方法的选取问题,通过分析研究各类分析处理方法,比较了各类分析处理方法的特点、优劣与使用情况.研究结果表明,每种分析处理方法都有各自的优缺点和适用范围,具体使用时应很据实际情况选择确切的方法.并对肌电信号分析处...     

聚(甲基丙烯酸丁酯+(4-乙烯基)吡啶)共聚物膜的富氧性能研究

通过自由基共聚合反应，合成了一系列不同分子量、不同乙烯基吡啶基的聚（甲基丙烯酸丁酯 （4-乙烯基）吡啶）共聚物，并以低真空度法测试了其氧氮渗透性能。结果表明，随着共聚物膜中乙烯基吡啶含量的增加，共聚物的密度、玻璃化转变温度及氧氮选择性都随之增加，但氧氮渗透率和扩散系数、溶解度系数却相应下降。     

5管SRAM单元的抗辐射性能研究

利用3D TCAD仿真,在45 nm 体硅工艺下,对5管SRAM单元和传统6管SRAM单元的抗辐射性能进行了对比研究。结果表明,5管SRAM单元的敏感面积更小,由该单元构成的SRAM阵列更难发生多位翻转。提出了一种带额外保护环的5管SRAM单元抗辐射加固策略,这种加固策略没有面积开销,模拟结果证实了该加固策略的有效性。