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熔体温度处理及变质对Al-20%Si合金凝固组织的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用熔体温度处理(包括熔体混合及过热处理)工艺研究Al-20%Si(质量分数)合金凝固组织,并结合化学变质法进一步细化初生硅相。结果表明,当熔体经混合后过热至900℃时,初生硅的尺寸约为34μm;添加变质剂后再进行熔体混合可以使Al-20%Si中的初生硅相进一步细化,特别是在Al-10%Si和Al-30%Si中分别添加0.2%Al-5Ti-C-3Ce和0.4%Cu-10%P后,再进行熔体过热处理,合金中的初生硅呈小块状弥散分布,且尺寸在10μm以下,材料基体呈现出典型的复合材料特征。熔体温度处理与添加化学变质剂方法对初生硅相有显著的多重变质细化作用;在熔体混合时α(Al)的重新熔化和熔体化学键的重组,增大了合金液在凝固时的过冷度,使初生硅相得到细化;对混合熔体再进行过热处理时,混合熔体中的Si相发生熔断、增殖,从而使合金中初生硅相得到进一步细化。添加细化剂或变质剂会明显增强熔体温度处理对Al-Si合金中初生硅的细化效果。 相似文献
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利用先进的电化学工作站,通过测定不同工艺条件下的铜银电偶电流-时间曲线,对乙二胺络合体系下铜基材浸镀银的工艺参数进行设计和优化.结果表明:根据电偶电流-时间曲线上是否出现"沉积电流墙"以及残余电偶电流的大小,可以快速、直观地筛选出合适的浸镀银工艺参数.用市售铜箔进行现场浸镀发现,基于电偶电流所设计的浸镀工艺参数(溶液中银离子质量浓度为3g/L,银离子与乙二胺的摩尔比为1∶ 5,溶液pH值为11.3),可以在铜箔表面浸镀上均匀致密的银镀层. 相似文献
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难镀基材上乙醛酸作为还原剂的化学镀铜 总被引:10,自引:0,他引:10
采用乙醛酸代替有害的化学药品(如甲醛)作为还原剂的化学镀技术,在工业纯铝片、工业纯钛片、以TiN作为扩散防护层的硅片和以TiSiN作为扩散防护层的硅片等难镀材料实现了化学镀铜。被覆铜镀层的表面形貌和晶粒结构的分析结果表明:不同基材对铜镀层的组织结构影响很大,尤其在以TiN作为扩散防护层的硅片和以TiSiN作为扩散防护层的硅片上,获得了由平均尺寸为50nm的颗粒所构成的较精细镀层,为半导体器件采用铜金属化工艺提供了新的方法。 相似文献
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在常规压铸工艺条件下,利用自行设计的薄壁件压铸成形模具研究了熔体处理工艺对ADC12铝合金薄壁成形性能的影响。结果表明,铝熔体综合处理可显著提高铝液纯净度,除杂率高达92%,而100g铝含氢量仅为0.16mL,有效改善了杂质相形态,平均晶粒尺寸仅为52μm;良好的熔体品质降低了铝液粘度,有效提高了铝液的薄壁充型能力,与常规熔体处理工艺相比,可完全充型的最小壁厚减小了33%。 相似文献
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甲基磺酸盐体系下铜粉浸镀锡工艺的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
目的解决现有氯化盐体系和硫酸盐体系下,铜粉浸镀锡存在的问题。方法以甲基磺酸锡为主盐,硫脲为络合剂,对铜粉进行浸镀锡,并分析锡离子浓度、硫脲浓度、甲基磺酸加入量及镀液温度等因素对锡镀层微观形貌的影响。结果在甲基磺酸盐体系下,锡离子可与硫脲形成复杂络合离子,降低了锡离子的平衡电极电位,使铜粉浸镀锡成为可能。结论当锡离子浓度为0.15 mol/L,硫脲浓度为0.80mol/L,甲基磺酸加入量为50 mL/L,镀液温度为75℃时,可获得均匀、致密且与铜粉表面结合良好的镀锡层。 相似文献
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本文主要介绍活动挂图和实物模型的自帛春在铸造设备教学中的应用。教学实践结果表明:借助活动挂图和实物模型进行形象教学,不仅可以培养学生的学习兴趣,而且有助地学习掌握各种设备的动作原理和结构特点,达到提高课堂教学效果的目的。 相似文献