Ni(001)/Ni_3Nb(001)面界面性质的第一性原理研究(英文)

采用第一性原理赝势平面波的方法研究Ni(001)、Ni3Nb(001)表面和Ni/Ni3Nb(001)界面。计算界面终端为Ni或Ni+Nb,堆积方式为顶部位置或空心位置这4种界面模型的粘附功、稳定性及电子结构。结果表明:Ni(001)和Ni3Nb(001)表面具有8个原子层时展现出较好的体相似性;以Ni+Nb为界面终端,堆积方式为空心位置的界面模型具有最大的结合强度和临界裂纹扩展应力,且具有最好的热稳定性。该模型界面处的Ni原子和Nb原子之间是共价键,这主要是由Nb 4d和Ni 3d轨道的电子贡献的。比较Ni/Ni3Nb(001)界面和Ni/Ni3Al(001)界面的性质可知,前者的热稳定性比后者的差,且更难形成界面,但是Ni/Ni3Nb(001)界面的形成能改善镍基合金的力学性能。     

铁素体钢／镍基焊缝／奥氏体钢三元组合焊接接头的应用

大容量、高参数电站锅炉过热器过热面管件的铁素体耐热钢/奥氏体不锈钢(F/A)异种钢焊接接头早期失效问题,是影响火力发电厂安全高效率运行的一个突出问题。据统计国内大型火力发电厂因过热面管件事故停机的数量占总停机事故的30％。因而近年来过热面管件异种钢焊接接头质量和寿命的研究倍受关注。研究认为:铁素体钢侧熔合区和热影响区是接头的薄弱环节,断裂常发生在铁素体钢侧熔合线附近。为此,本文针对山西神头发电厂国产500MW发电机组锅炉过热器管F/A焊接接头的失效问题,设计研制了铁素体钢/镍基焊     

预应变对梯度结构IF钢力学性能的影响

通过对表面机械研磨技术(Surface mechanical grinding treatment,SMGT)的改进,加工出具有梯度结构的IF钢板。并且通过准静态拉伸试验,研究得出:SMGT加工过程中,随压入深度的增加,屈服强度越来越高,但均匀塑性越来越低。     

InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管

报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的绿光LED.     

TP310HCbN耐热钢Ф47mm×8mm管材700℃持久试验析出行为

通过扫描电镜、透射电镜、能谱分析和硬度试验等方法分析了TP310HCbN耐热钢(/%:0.07C,0.39Si,1.20Mn,25.05Cr,20.40Ni,0.42Nb,0.266N)φ47mm×8 mm冷轧管经1 120~1 160℃固溶处理后在700℃0~19 570 h持久试验时的析出相。结果表明,TP310HCbN耐热钢700℃95~220 MPa持久试验时间在0~1 000 h时,随时间增加,硬度HV值由237增至255,当持久时间超过1 000 h,硬度趋于平稳;随着持久时间增加,该钢晶内析出物由颗粒状转变为棒状,并存在大量与位错相互作用的蠕虫状NbCrN析出物;生产的TP310HCbN耐热钢700℃-100 000外推持久强度为63.65 MPa满足标准要求。     

电致荧光成像表征串联电阻分布

本文介绍了一种利用电致荧光成像表征太阳能电池串联电阻分布的方法.太阳能电池的电致荧光强度φi与外加电压U呈现指数关系,而U-n·(1+Rsi/RPi)·UT·1n(φi)和φi呈现直线关系,其斜率与串联电阻值相关,我们通过拟合二者的直线关系和一些计算得到了串联电阻的分布,我们在一片单晶硅电池上测试并拟合,证实了这种方法的可靠性,此外,我们的拟合结果中还包含了复合分布以及漏电分布.     

Al-Mg合金中层错和孪晶形变能的第一性原理研究

通过基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算了纯金属Al和Al Mg合金在(111)[112]滑移系的层错能和孪晶形变能,分析了Mg含量、占位对层错能和孪晶形变能的影响.计算选用了局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA PW91)2种近似方法,发现GGA PW91所获得的层错能与实验结果符合较好,研究结果表明,纯Al的层错能高于孪晶形变能,随着孪晶层厚度的增加孪晶形变能略有提高,6层呈完全镜面对称孪晶有的孪晶形变能最低:Mg含量增加使Al-Mg合金的层错能、变形孪晶形变能明湿降低;Mg在Al-Mg合金中占位对结合能和形成热的影响很小,当Mg处于层错层时略使层错能和孪晶形变能提高.     

以十二烷基三甲基溴化铵为模板制备高度有序的介孔二氧化硅材料

以长碳链阳离子表面活性剂如十六烷基三甲基溴化铵为模板,可制得高度有序的介孔二氧化硅材料,而碳链较短的表面活性剂如十二烷基三甲基溴化铵,由于其表面活性较差,以其为模板难以制得有序介孔二氧化硅材料.以十二烷基三甲基溴化铵为模板剂,考察了不同硅源、碱源以及pH值对介孔材料结构的影响,采用XRD、FTIR、SEM、HRTEM和N2物理吸附等手段分别对产物的晶体结构、织构性质、形貌和孔道结构进行表征.结果 表明,以正硅酸乙酯为硅源,在有机碱四甲基氢氧化铵存在下,以十二烷基三甲基溴化铵为模板,制得了具有规整六方结构的高度有序介孔二氧化硅材料,其孔径和晶胞常数分别为2.25 nm和3.72 nm.     

InP薄膜网格结构二维光子晶体

使用转移矩阵方法设计了InP薄膜正方网格结构二维光子晶体的带隙结构.计算结果表明:由单胞参数为250nm,填充比为0.45组成的正方网格结构,在可见光和近红外波段有两个不完全带隙存在,透射率接近于零.     

P型GaN和AlGaN外延材料的制备

研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0.13Ga0.87N的生长工艺,包括掺杂剂量和热退火条件,对材料电学性质的影响,得到了优良的P型材料,并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝发光二极管。