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工业技术 | 145篇 |
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2023年 | 6篇 |
2022年 | 4篇 |
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1994年 | 1篇 |
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1987年 | 1篇 |
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141.
142.
关于Shrinking Generator及Self—Shrinking Generator的熵漏分析 总被引:2,自引:0,他引:2
本文主要针对文献「1」、「2」先后于93和94年分别提出的两种新的流密码体制,运用概率统计等数学工具和有关密码学理论进行熵漏分析。首先利用统计分析方法,构造出了与上述密码机制的输入序列有较大符合优势的拟合序列,进而,运用文「3」中提出的快速相关攻击方法,可以破译自收缩序列体制,部分攻破收缩序列体制。 相似文献
143.
144.
从生产工艺、产能、产量和出口量以及原料供应等方面介绍了我国氧氯化锆的产业现状,指出我国氧氯化锆产业存在三个方面的问题:工艺技术落后,装备水平低;"三废"处理亟待解决;缺乏行之有效的行业准入制度。分析中国的氧氯化锆产业从技术方面讲,应加大科研投入开发新的提取技术、"三废"处理技术及新装备,开发高附加值的锆化学制品;从产业管理方面讲,应制定严格的行业准入制度,抑制产能过快增长,积极组织和协调氧氯化锆企业间的交流与合作,形成良好的秩序,重视锆产业链中存在的重大技术问题,组织立项研究,推进锆产业进步,使锆产业可持续发展。 相似文献
145.
采用恒压模式分别在Na2SiO3,Na5P3O10和Na5P3O10+H2O2电解液体系下对ZrH1.8表面进行微弧氧化(MAO),利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、膜层测厚仪测试了陶瓷层的表面形貌、截面形貌、相结构及陶瓷层厚度,通过真空脱氢实验评估了陶瓷层的阻氢性能。研究结果表明:采用微弧氧化技术在氢化锆表面可以制得厚度范围在35~60μm的微弧氧化陶瓷层。不同的电解液体系下在氢化锆表面得到的微弧氧化陶瓷层的厚度不同,Na2SiO3电解液体系下得到的陶瓷层最厚,Na5P3O10+H2O2电解液体系次之,Na5P3O10电解液体系最薄。氢化锆表面微弧氧化陶瓷层由致密层和疏松层构成,靠近基体一侧为致密层,陶瓷层外层为疏松层。微弧氧化陶瓷层主要由单斜相氧化锆(M-ZrO2)和少量的四方相氧化锆(T-ZrO2)构成;综合比较,在Na5P3O10+H2O2电解液体系下可以获得厚度适中,表面平整,致密性较好,阻氢性能优异的陶瓷层,陶瓷层的PRF值达到最大值12.1。 相似文献