两面顶低温超高压烧结纳米碳化硅的研究

采用两面顶低温超高压（LT-HP）技术在压力4．5GPa、温度（1250±50）℃、烧结时间20min的条件下烧结制备了纳米碳化硅（SiC）陶瓷，研究了烧结体的物相组成、化学成分、微观结构、显微硬度、纳米压痕力学性能等。结果表明，不添加烧结助剂且在较低温度下获得的SiC烧结体的相对密度高达98．4％，其显微硬度达到HV3520；纳米压痕测试硬度高达H31．74GPa、弹性模量E313GPa；烧结体的晶粒尺寸约为89nm，结构致密，无气孔。     

高温超高压烧结纳米 SiC的研究

采用高温超高压(HT-HP)技术在4.5GPa/1250°C/20min工艺条件下制备了添加2wt%Al2O3助烧结剂的纳米SiC陶瓷.采用X射线粉末衍射(XRD)、X光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDX)、纳米压痕(Nano indenter)研究了烧结SiC陶瓷的物相组成、晶粒大小、化学成分、微观结构、纳米压痕力学性能等.结果表明:采用超高压烧结,可以在较低温度(1250±50°C)、较少烧结助剂用量下实现纳米SiC的致密烧结.烧结体未发生相转变,结构致密,无孔隙,晶粒尺寸为22nm,晶格常数为4.355A;显微硬度为33.7GPa,弹性模量为407GPa.