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以3,3′,4,4′-联苯四羧酸二酐(BPDA)、对苯二胺(pPDA)、均苯四甲酸二酐(PMDA)、4,4′-二氨基二苯醚(ODA)4种单体为原料,制备出一系列pPDA-BPDA组分占不同摩尔百分含量的无规嵌段共缩聚聚酰亚胺薄膜。通过力学性能、热性能、电性能测试对薄膜的性能进行了研究。结果表明,随着pPDA-BPDA刚性嵌段引入量的增加,聚酰亚胺薄膜的弹性模量和拉伸强度得到较大提高,而其断裂伸长率呈现先增加后下降趋势;热稳定性增强;击穿场强在pPDA-BPDA组分摩尔百分含量为50%时达到最大,但均低于未引入嵌段时的薄膜的击穿场强。 相似文献
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范勇 《南京工业职业技术学院学报》2011,11(4):35-37
在完备格上引入S拓-扑,讨论了它的一些基本性质以及S拓-扑与Scott拓扑和Lawson拓扑之间的联系和区别,在此基础上证明连续格L上的S拓-扑是一个单调的Hausdorff零维正规空间,它是局部紧的sober空间但不是紧空间。 相似文献
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为了提高聚酯亚胺树脂耐电晕性能,采用微乳化-相转变法制备纳米Al_2O_3溶胶,并通过机械共混,使其分散到聚酯亚胺树脂溶液中,制备了纳米Al_2O_3杂化聚酯亚胺复合材料。实验结果表明:纳米粒子在聚酯亚胺基体中分散均匀;随掺杂量的提高,复合材料的耐电晕性呈上升趋势,但介电强度呈下降趋势,当纳米掺杂质量分数为12%时,耐电晕寿命达到纯聚酯亚胺树脂的5倍,介电强度达到175.2 kV/mm;纳米Al_2O_3对复合材料的介电损耗影响很小,但介电系数随掺杂量增加而略有升高;引入纳米Al_2O_3对材料耐热性影响不大。 相似文献
49.
无机纳米杂化聚酰亚胺(PI)薄膜具有优良的耐电晕特性,通过观察击穿孔区形貌研究薄膜击穿机理及纳米颗粒的作用,利用SEM观察阶梯式升压强电场击穿无机纳米杂化PI薄膜孔区形貌,能谱仪测试孔区附近元素分布.研究表明:杂化薄膜严重破坏区域仅局限在孔洞附近10~50 μm范围内,随半径增加,其表面由颗粒大小不均匀、表面粗糙不平,逐渐过渡到颗粒均匀的微观结构状态;Cu含量逐渐减少,Au含量逐渐增加,正常区域电极表面没有损伤;氧化铝纳米颗粒在杂化薄膜中起到阻止电极破坏的作用,薄膜击穿机理属热击穿类型. 相似文献
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