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测量Al,Si,Ti,Cr,Nb等纯元素以及Ti50Al50,Ti50l48Cr2,Ti50Al48Nb2合金的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得金属及合金中d电子和缺陷的信息.结果表明,二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大.在TiAl合金中加入Cr或Nb,合金中的d-d电子作用增强,基体和晶界处的电子密度均增加.Ti50Al48Cr2合金的多普勒展宽谱的d电子信号高于Ti50Al48Nb2合金.讨论了Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响. 相似文献
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我们对x=0、0.5和1的三种非晶样品测量了正电子平均寿命和Doppler加宽线形参数。为了确定寿命值的微小变化,采用了差分方法。将正电子实验的结果与X射线径向分布函数的测量结果作了比较。三种样品的平均寿命τ为151—148ps,正电子取样的平均原子半径~1.67A,径向分布函数估计的平均原子间距r_1/2~1.25A,这表明正电子被局域在原子密度低于平均值的区域内。忽略库仑相互作用的非线性项,我们估计与这种低密度区相联系的自由体积~0.77(以Fe中一个单空位的自由体积为单位)。X射线的结果表明,随Cu浓度增加平均原子间距略有增加。但寿命和H、D参数却下降,W上升。这表明正电子并未被深度捕获,冻结在Cu邻近自由体积和Fe邻近自由体积中的赝势差足以造成正电子的空间分布在Cu邻近自由体积中的局部增强,导致湮没特性趋向Cu。冻结在Cu和Fe邻近自由体积之间的赝势差估计为~0.84eV。它可以作为局域势上限的一个粗略估计。 相似文献
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测量了铝含量从47at%到53at%的二元TiAl合金的正电子寿命谱。结果表明:所有测试合金晶界缺陷的开空间均在于金属Al单空位的开空间。富Al的TiAl合金,其晶界缺陷的开空间随Al含量的增加而增大,晶界处的电子密度随Al含量的增加而降低。富Ti的TiAl合金,随着Ti含量的增加,其晶界(或相界)缺陷的开空间减小,晶界处的电子密度增高,使得晶界结合力增强。富Ti的TiAl合金中形成了α2(Ti3Al) γ(TiAl)层状结构双相组织使相界面增多,导致正电子陷阱数增加。讨论了合金的微观结构对其力学性能的影响。 相似文献
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Fe-Al系金属间化合物中的微观缺陷和电子密度 总被引:5,自引:1,他引:5
对二元Fe-Al合金,含Cr和Si的Fe3Al合金的正电子寿命谱测量表明:随着二元Fe-Al合金中Al含量的增加,空位浓度增加,微孔洞的开空间增大。在Al含量高于40%原子分数)的B2-FeAl合金中存在着较高的空位浓度和开空间相当于Fe中的10-15个空位聚集体的微空洞。在B2-FeAl和D03-Fe3Al合金中,晶格中最邻近的Fe-Al原子对之间发生Fe-d-Alp杂化使用。Al的3p电子与Fe的3d电子被局域化并形成共价键。导致合金中的自由电子密度降低。二元Fe-Al合金中的平均电子密度随着Al含量的增加而下降。用Cr元素对Fe3Al进行合金化。合金基体和晶界处的自由电子密度均增加;而加入Si元素,合金基体和晶界处的自由电子密度均减小。讨论了Fe-Al合金的微结构对其力学性能的影响。 相似文献
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用正电子湮没、TEM和金相方法研究了不同程度氢处理的工业纯α-Ti产生的微观缺陷及其作用。实验结果表明:渗氢后材料内缺陷数量远大于除氢后材料内的缺陷数量,当渗氢量为0.58%时,渗氢后材料内的缺陷主要是位错;随氢含量增加,单空位的数量也随之增加;当氢含量达2.11%时,其缺陷主要是单空位,或者是其自由体积相当于单空位的点缺陷(如晶界、相界上存在的严重畸变区)。TEM和金相观察表明,渗氢后位错存在于α-Ti基体中。除氢后晶粒明显细化。适当的渗氢量引进的微观缺陷,在除氢后可使晶粒细化而且等轴性高。 相似文献
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