短切SiCf/LAS复合材料的显微结构与介电性能

采用热压烧结法制备出致密的短切SiC_f增强LAS玻璃陶瓷复合材料,并讨论保温时间与热压压力对复合材料介电性能的影响.结果表明,测试频率在8～12 GHz之间,复合材料复介电常数实部ε′由基体的7.6上升到10～100,虚部ε″由基体的0.34上升到40～160,介电损耗tgδ由基体的0.04上升到1～20,并具有明显的频散效应.随保温时间的延长或热压压力的提高,复合材料ε′增大,ε″与tgδ减小.此外,断口形貌的SEM观察表明,随保温时间的延长或热压压力的提高,复合材料界面层变厚.     

富碳β-SiC的燃烧法合成及微波介电性能

以硅粉和炭黑为原料,利用燃烧合成法,在0.1MPa 的N_2气氛下合成了β-SiC粉体.对其进行拉曼光谱和SEM表征,结果表明:合成的SiC为含有C反位缺陷C_(si)和石墨态sp~2C的富C β-SiC固溶体.添加剂聚四氟乙烯(PTFE)含量为10%时合成的SiC粉体为等轴状团聚颗粒,粒径约为0.2μm,随着PTFE添加量的增加,SiC粉体颗粒的平均粒径增大.在8.2～12.4 GHz频率范围对所合成SiC的介电常数进行测试,发现15%PTFE时合成的SiC粉体具有较好的介电常数实部ε'、虚部ε"和介电损耗tanδ,对其微波损耗机理进行了讨论.     

短切碳纤维含量对Csf/Al2O3复合材料性能的影响

采用热压烧结法制备了短切碳纤维-氧化铝(Csf/Al2O3)复合材料,研究了短切碳纤维含量对该复合材料维氏硬度、抗弯强度及微波介电性能的影响.结果表明,热压烧结可以获得高致密度、高硬度的Csf/Al2O3复合材料.碳纤维的加入降低了氧化铝基体的抗弯强度,但随着碳纤维含量的增加,抗弯强度有增大的趋势,Csf/Al2O3复合材料复介电常数的实部与虚部也显著提高.     

弛豫铁电体有序-无序转变理论及进展

简要介绍了弛豫铁电体的有序－－无序转变理论的发展过程及新进展,并对该理论进行了评述。     

PNW-PMS-PZT压电陶瓷准同型相界的压电性能研究

采用传统陶瓷工艺制备了PNW—PMS—PZT四元系压电陶瓷,分析了陶瓷样品的相结构组成,结果表明,所有陶瓷样品的相结构为纯钙钛矿相结构;研究了室温下PMS含量,PNW 含量和Zr/Ti的变化对准同型相界的影响规律,实验表明随着PMS、PNW含量和Zr/Ti的增加,材料体系逐渐由四方相向三方相过渡,获得了处于准同型相界附近的材料组成:PMS 的含量在5—6mol%、PNW的含量在2—3mol%、PZT的含量在91—93mol%、Zr/Ti的变化靠近50/50,同时具有高的机电性能.     

Si/C/N纳米粉体的吸波特性研究

采用ＸＲＤ研究了氮原子百分含量为１１．６１%的Ｓｉ/Ｃ/Ｎ纳米粉体的相组成,并测定了粉体介电常数根据介电常数,分别优化设计了单层和双层的吸波徐层,设计的吸波涂层对８~１８ＧＨｚ范围的电磁波有较好的吸收作用．设计厚度为２．７ｍｍ的单层吸波涂层,在８~１５ＧＨｚ范围内反射率＜－５ｄＢ设计厚度为２．８ｍｍ的双层吸波涂层,在８~１８ＧＨｚ频率范围内电磁波的反射率均＜－５ｄＢ,反射率＜－８ｄＢ的频带为６ＧＨｚ．针对纳米粉体的吸波特性,提出了Ｓｉ/Ｃ/Ｎ纳米粉体的吸波机理．     

SiC_f/LAS玻璃陶瓷基复合材料的界面

:详细评述了SiCfLAS玻璃陶瓷基复合材料的界面。该界面是在热压过程中形成的,由富碳层或富碳层和碳化物层构成,这些界面层的存在导致了界面的弱结合。界面具有很好的热相容性。在惰性气氛或还原性气氛中,界面具有很好的热稳定性。在高温氧化性气氛中,界面层很快因氧化而消失,导致纤维与基体间的强结合,使材料发生脆断。     

BAS玻璃陶瓷的晶化行为与性能

用ＸＲＤ，ＤＴＡ，ＳＥＭ，ＴＥＭ和三点弯曲试验研究了溶胶－凝胶法合成的ＢＡＳ（ＢａＯ．Ａｌ２Ｏ３．２ＳｉＯ２）凝胶玻璃的结晶行为，晶型转变和热压ＢＡＳ的显微结构与性能，结果表明，ＢＡＳ凝胶玻璃法〉１０００℃时开始析晶，１１００℃时完全晶化，结晶相为六方钡长石，不加成核剂，呈现整体结晶特性，晶粒小于１μｍ加入５０ｍｇ．ｇ＾－１单斜钡长石作为晶种，可促进六方→单斜晶型转变，在１２５０℃处理７ｈ约有８０     

Fe_固-Sn_液反应过程中FeSn_2及FeSn生长动力学研究

本文研究了在350～600℃间,Fe_固与Sn_液间的反应扩散及金属化合物FeSn_2和FeSn的生长动力学,确定出FeSn_2及FeSn形成的温度范围分别为350～520℃和520～600℃,二者均按抛物规律生长。求出了抛物常数和扩散激活能,并研究了FeSn_2及FeSn的形貌。