变电站10kV电容开关机构常见缺陷分析与处理

针对变电站10kV电容开关频繁动作导致的机构缺陷增多的问题,文中以VS1型真空断路器为例,通过统计分析VS1型真空断路器机构的缺陷及其危害,针对其常见缺陷,从VS1型真空断路器的工作原理出发,总结并制定了一套VS1型真空断路器机构检修策略,为检修人员提供检修指导,提升检修效率,降低电容开关故障率.     

Al4B2O9纳米棒改性制备优异综合性能的固体聚合物电解质

随着储能设备和电力驱动产品的激增,特别是电动汽车的大规模推广应用,全固态电池被认为是最有可能解决电动设备日益严峻的安全问题和高能量密度需求的策略之一.本文报道了一种Al4B2O9纳米棒改性的聚环氧乙烷(PEO)基固体聚合物电解质(ASPE),其具有高离子电导率、宽电化学窗口、良好的机械性能和阻燃性能.具体来说,因为Al...     

锂离子电池用石墨材料的结构与性能研究

研究了锂离子电池用石墨材料的结构与物理及化学特性对其电化学性能的影响。采用XRD、BET、ICP、激光粒径分析等方法 ,对多种典型石墨样品的结构、比表面积、杂质含量、粒径分布进行了表征分析。随着石墨颗粒粒径的增大 ,石墨试样的比表面积减小。电化学性能测试表明 :在石墨材料的石墨化度非常接近的情况下 ,粒径和比表面积对电化学性能的影响较为突出 ,粒径较大及比表面积较小的石墨材料具有较好的充放电性能。试样D具有较高的可逆容量 ( 2 62mAh/g)和较低的不可逆容量损失 ( 85mAh/g) ,首次充放电效率为 75 .5 % ,适用作锂离子电池负极的原材料     

Al掺杂对锰酸锂结构与性能的影响

采用固相法合成了Al掺杂的尖晶石LiAlxMn2-xO4(x=0～0.4).通过X射线衍射对LiAlxMn2-xO4的物相进行了研究,并探讨了Al掺杂对材料的充放电性能和电子电导率的影响.合成的LiAlxMn2-xO4均为纯尖晶石相.随着Al的掺入,LiAlxMn2-xO4的充放电循环性能得到改善,Al含量越高,循环过程中的容量衰减越小.电子电导率测试结果表明:掺杂Al后,降低了材料的电子电导率,这与Al的掺入降低了晶体中电子的离域作用有关.     

景观设计课程教学方法探讨

景观设计是近年来发展速度比较快、知识结构的综合性比较强的行业。将景观设计理念与建筑学原理紧密联系,旨在加强对景观设计教学的重视程度。文章还探讨了在景观设计教学中所采用的课堂教学方式。     

变电设备智能检修系统设计与实现

针对目前变电站内设备检修工作存在的人员技能水平参差不齐、检修计划和方案管理低效、检修作业指导书缺乏可视化指导和现场安全监管难等问题,基于增强现实技术及激光雷达定位技术提出并研发了变电设备智能检修系统.该系统综合应用生产管理系统等多系统的变电设备大数据,可实现检修计划智能管理、检修方案智能编制功能,为变电设备检修策划提供...     

正极材料LiNi0.5Mn0.5O2的合成及其性能研究

用共沉淀法制备镍锰氢氧化物前驱体,并通过高温固相反应在800℃空气气氛下煅烧12h合成锂离子蓄电池正极材料LiNi0.5Mn0.5O2,研究了冷却速度和升温制度对材料电化学性能的影响。结果表明,在500℃预处理5h,800℃煅烧完毕立即从炉中取出,环境温度下在空气中冷却,得到的样品比容量能达到180mAh·g-1,材料在2.5～4.6V范围内循环时性能不佳,当采用恒流/恒压模式,在2.5～4.3V范围内,材料具有良好的循环性能。     

基于UWB定位的变电站三维可视化作业监控系统研究

针对变电站现场工作人员误入带电间隔、与带电设备安全距离不足、扩大工作范围,大型机具作业误碰设备及现场人工监督监管困难所带来的问题,文章采用变电站三维模型构建技术、基于交点质心的超宽带(Ultra Wideband,UWB)信号测距的三维定位算法、基于电子安全围栏作业的监控技术等关键技术,研制了一种基于UWB定位的变电站...     

焙烧温度对Li2FeSiO4前驱体Li2SiO3性能的影响（英文）

以Li2CO3,HNO3,Si(OC2H5)4为原材料,采用溶胶-凝胶和高温焙烧法合成Li2SiO3;研究焙烧温度和回流系统对硅酸锂组分和性能的影响;利用TGA/DTA,XRD,SEM和粒径分析等手段对样品进行表征;采用Li2SiO3和Fe2C2O4.2H2O固相反应制备Li2FeSiO4。XRD结果表明,在溶胶-凝胶制备过程中使用回流系统能减少Li2SiO3样品中Li2SiO5和Li4SiO4杂质。焙烧结温度对Li2SiO3的性能有重要的作用,当温度为700℃时,Li2SiO3前驱体材料样品纯度为97%,并具有良好的形貌;它是由粒径为1～3μm的一次粒子组成,一次粒子束形成疏松、多孔的团聚体。     

Effects of nitrogen content on structure and electrical properties of nitrogen-doped fluorinated diamond-like carbon films

Nitrogen-doped fluorinated diamond-like carbon (FN-DLC) films were prepared on single crystal silicon substrate by radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (RF-PECVD) under different deposited conditions with CF₄, CH₄ and nitrogen as source gases. The influence of nitrogen content on the structure and electrical properties of the films was studied. The films were investigated in terms of surface morphology, microstructure, chemical composition and electrical properties. Atomic force microscopy (AFM) results revealed that the surface morphology of the films became smooth due to doping nitrogen. Fourier transform infrared absorption spectrometry (FTIR) results showed that amouts of C=N and C

N bonds increased gradually with increasing nitrogen partial pressure r (r=p(N₂)/p(N₂+CF₄+CH₄)). Gaussian fit results of C 1s and N 1s in X-ray photoelectron spectra (XPS) showed that the incorporation of nitrogen presented mainly in the forms of β-C₃N₄ and a-CN_x (x=1, 2, 3) in the films. The current?voltage (I?V) measurement results showed that the electrical conductivity of the films increased with increasing nitrogen content.