离子液体在合成橡胶中的应用

综述了离子液体在合成橡胶的合成和加工中的应用,着重总结了其作为加工助剂和填料改性剂的应用,展望了其今后的发展方向。     

电化学沉积等表面技术在集成电路制造中的作用

集成电路制造也称芯片制造,在整个工业产业链中越来越重要,而电化学沉积(电镀)等表面技术起到非常关键的作用。介绍芯片制造中用到的电化学沉积、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、抛光等表面技术的基本情况和特点, 探讨铜互连电镀、化学机械抛光(CMP)、硅通孔(TSV)垂直互连电镀铜填充、芯片表面再布线(RDL)电镀铜工艺、键合凸点(Bump)电镀铜/锡工艺、集成电路引线框架/封装基板的电化学蚀刻工艺等,通过总结电化学沉积等表面技术的发展, 深入分析传统电镀技术在集成电路制造中的新特点,推动集成电路制造技术的进步。     

碳分子筛的制备及影响因素的研究

以酚醛树脂材料为原料,采用二次炭化法制备碳分子筛.对影响碳分子筛性能的主要因素进行了探究,得出制备碳分子筛的最佳工艺条件：一次炭化温度为750℃,一次炭化时间为100 min,升温速率为10℃/min,二次炭化温度为850℃,二次炭化时间为2.5 h,活化剂浓度为50％.     

调节剂丁对热法丁腈橡胶合成与性能的影响

用十二烷基苯磺酸钠替换拉开粉后,在其他工艺条件不变的情况下,考察了调节剂丁的用量及加入方式对热法丁腈橡胶( NBR) 合成及性能的影响。结果表明,调节剂丁1 次加入时,随着调节剂丁用量的增加,聚合时间延长,NBR 的凝胶含量、门尼黏度及数均分子量逐渐降低,分子结构未发生明显变化;当调节剂丁分3 次加入时,NBR 的门尼黏度、凝胶含量及数均分子量相对于1 次加入均有所降低,并且随着调节剂丁用量的增加,NBR 硫化胶的拉伸强度和300%定伸应力下降,扯断伸长率提高; 调节剂丁适宜总用量为0. 34 ～ 0. 36 份。     

羧基丁腈橡胶合成过程中凝胶生成的主要影响因素

研究了羧基丁腈橡胶合成过程中凝胶形成的因素,考察了相对分子质量调节剂叔十二碳硫醇、聚合温度、反应速率及最终的转化率对凝胶形成的影响规律。结果表明,相对分子质量调节剂的用量对凝胶生成的控制起重要作用,在其他条件不变的情况下,叔十二碳硫醇用量越大则凝胶含量越低; 聚合温度太低或过高都会使凝胶含量增加,于5~8℃下聚合时的凝胶含量较低; 将聚合的反应速率控制在4~5%/h时产生的凝胶相对较少,太快或太慢都易使凝胶生成; 凝胶含量随转化率的升高而逐渐增大,转化率达到一临界值后凝胶含量随转化率的继续增加而急剧上升。     

基于厚度增强因子的X射线厚度测量模型

通过对X射线测厚仪测量机理的研究,剖析了其机理模型黑匣子。同时根据现场情况,分析射线衰减系数、散射效应以及样板材质等对X射线测厚仪测量精度的影响,提出了一种带厚度增强因子的非线性模型。试验结果表明,厚度在0.1～2.5 mm范围内,该模型只需要测量5个厚度点即完成基准曲线制作,测量精度可达到0.1%以内,简化了操作工序。     

软土地基的施工

我国地域辽阔,从沿海到内陆,从山区到平原,分布着各种各样的地基土,这些地基土中,有一部分为软弱土和不良土,如何有效处理加固地基土,确保路基稳定,成为工程施工的关键问题。     

Sn-12%Bi合金二次枝晶生长行为的实时成像

第三代同步辐射光源配合高读写速度及高分辨率的CCD(Charge coupled Device)成像系统对合金凝固过程枝晶组织演变进行实时成像.作为首批上海光源试用光用户,采用类同轴成像法得到一系列不同冷却速率下的枝晶组织生长动态图像.随冷却速率的加大,合金的枝晶组织趋向等轴晶形貌生长,形核率增加,枝晶的二次枝晶臂间距明显减小.不同的冷却速率对合金微观组织中的显微偏析也有显著影响.     

智能计算芯片技术及产业趋势和对北京的建议

智能计算芯片是处理海量数据,体现计算能力的硬件载体,是承载数字经济时代生产力的重要支撑。随着人工智能、5G、大数据、区块链等新一代信息技术的规模化应用,行业数字化转型和产业智能化升级对计算资源的需求呈现指数级增长。加上集成电路的发展进入后摩尔时代,现行计算架构(冯·诺依曼架构)缺陷所导致的瓶颈愈加凸显,发展受到严重挑战。而满足多样化计算需求的新型计算架构和计算范式、满足智能计算需求的先进封装技术、基于新材料新工艺的新型计算器件也进入到创新活跃的阶段,智能计算芯片迎来了快速发展的黄金时代。综合分析了数字经济时代智能计算芯片的战略重要性,梳理了国内外智能计算主要产业格局、新兴关键技术以及发展机遇,并对北京发展智能计算芯片的机遇与路径提出相关建议。