弧焊工艺制定专家系统中的知识库组织与推理技术

介绍了基于钢制压力容器焊接工艺评定标准JB4708-2000研究开发的弧焊工艺制定专家系统的知识表达和知识库组织、推理匹配流程和推理实现技术。系统完全采用Visual C 语言开发，其中匹配、递归和回溯等底层推理操作采用Edinburgh大学的CExpr C 类库，实现了逻辑推理和用户界面的友好结合，具有很强的实用性。     

短路过渡CO2焊接熔滴形状数值模拟与控制

为了进一步提高短路过渡CO2气体保护电弧焊的工艺性能和焊接质量,根据高速CCD摄像获得的熔滴及其短路过渡图像,分析了熔滴与熔池短路前的形状对熔滴与熔池的短路、熔滴在熔池中的铺展及液桥缩颈形成的影响.采用熔滴静力平衡模型研究了电磁力(燃弧电流)、表面张力、重力与熔滴形状的关系,并通过对燃弧电流的精确控制实现了对熔滴形状的有效控制.当熔滴与熔池短路前为细长形状时,短路过渡过程稳定柔顺,而当熔滴为扁平形状时,则不利于熔滴的短路过渡,甚至产生瞬时短路.燃弧阶段的熔滴形状体现了各种力对熔滴的作用,而电磁力(燃弧电流)是决定熔滴形状的主要因素.根据燃弧电流对熔滴形状的影响规律,提出了采用前期大、后期小的燃弧电流控制原则,以在燃弧的不同阶段获得不同的熔滴形状.试验结果表明该控制方法获得了良好的适合于熔滴短路过渡的短路前熔滴形状,短路过渡过程柔顺稳定,消除了瞬时短路以及由此导致的飞溅,改善了熔滴的短路过渡行为,短路过渡结束后焊丝端部的残余液态金属具有良好的一致性.     

钢轨窄间隙全自动电弧焊电流稳定性分析及控制

采用钢轨窄间隙全自动电弧焊系统,对无缝钢轨线路的钢轨进行原位焊接,焊接过程中发现焊接电流电压存在较大波动,对焊接质量造成不利影响.分析造成焊接电流电压不稳定的主要原因,认为与采用陶瓷衬垫打底的异形窄间隙钢轨焊缝、焊丝伸出角度、不规则的进枪路径和进枪速度等钢轨窄间隙电弧焊焊接工艺有关.试验发现,除过程可控的工艺参数焊接电流和电压外,焊接速度变化对实际焊接电流也有较大影响.针对钢轨窄间隙电弧焊系统的工艺特点,提出采用电流传感的焊接速度与焊枪高度联合控制方法,通过焊接过程实时反馈焊接电流值,采用分段PID控制,优化控制焊枪多个方向的运动速度和位移,达到减小焊接电流电压波动,稳定电弧的目的.试验结果表明,该方法可以有效地稳定焊接电流,降低飞溅,并能在打底焊过程中有效避免断弧、熄弧现象的发生.     

车身装焊质量信息管理与统计过程控制系统

本系统是针对某汽车制造公司车身装焊质量管理的现状和需求而研究开发的。在数据库建模和设计的基础上,利用计算机及网络技术实现了对车身装焊工艺、质量检测标准和数据、统计分析、报表输出的计算机化管理,并采用统计过程控制(SPC)方法对车身装焊质量进行实时监控、趋势预报,加快了信息反馈的速度,缩短了故障响应的时间,避免了有效信息的丢失,提高了质量管理的效率和水平,增强了质量管理的科学性。     

兰溪诸葛八卦村的艺术价值及其开发保护研究

本文以诸葛八卦村为例，试图从八卦村自身的特点出发，在如何挖掘诸古村落艺术价值，如何进行保护性地开发等方面进行研究，旨在探索古村落在当今旅游发展中如何走可持续发展之路。     

焊接结构件装焊CAPP系统的研究与开发

在简单介绍计算机辅助工艺规划（CAPP）系统发展的基础上,首先分析了当前CAPP系统的几个主要发展方向－集成化、通用化和对象化,并对焊接结构件装配、焊接加工工艺的特殊性进行了剖析,然后根据装焊CAP系统的研究开发现状,结合焊接结构件加工工艺的特征以及CAPP系统的发展趋势,提出了进行实用的焊接结构件装焊CAPP系统研究开发的原则和方法。     

焊接专家系统的发展和应用

本文详细介绍了国内外焊接专家系统的发展现状和应用情况,并根据焊接专家系统、信息与人工智能技术的现状与动态,指出了焊接专家系统的发展方向与趋势。     

应用改进的热场生长低位错SI-CaAs单晶

报道在国产JW一0002型高压单晶炉内设计了一种改进的LEC热场装置,改善了加热区的温度分布,使炉内覆盖剂B_2O_3的轴向温度梯度减少到30～60℃/cm,拉制的φ50mm,<100>晶向的SI—GaAs单晶,其位错密度低于5×10~3cm~(-2),局部无位错。     

轻掺铬SI-GaAs单晶生长及应用

本文报道了LEC-SI-GaAs单晶生长研究及其结果.结合材料应用,生长了一种轻掺铬SI-GaAs单晶.用这种单晶作衬底,经汽相外延,离子注入及分子束外延后制作器件,都取得了满意的结果.     

通过温度压力控制LEC-GaAs单晶化学配比的实验研究

通过温度压力改变，使整个ＬＥＣＧａＡｓ单晶生长过程Ａｓ损失最小。获得了化学配比较好的ＳＩＧａＡｓ单晶。单晶表面离解少，特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了ＬＥＣＳＩＧａＡｓ单晶生长过程中Ａｓ的挥发和生长环境压力对生长的单晶位错密度的影响。