首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   13篇
  免费   0篇
工业技术   13篇
  2014年   1篇
  2013年   1篇
  2012年   6篇
  2010年   1篇
  2009年   1篇
  2001年   1篇
  2000年   1篇
  1998年   1篇
排序方式: 共有13条查询结果,搜索用时 0 毫秒
11.
Zn-SiO2复合镀中氢的侵入及镀后逸出行为   总被引:6,自引:2,他引:4  
对酸性硫酸盐体系Zn-SiO2复合镀过程中氢侵入基体,在镀层中的包容及放置过程中基体内氢的逸出行为研究表明:Zn-SiO2复合镀层比纯锌镀层包容的氢多,氢的渗透也更容易;随镀层中SuI2含量的增加,镀样氢含量也增加,而基体中的氢含量在镀层中SiO2达到一定量后便趋于稳定;由于氢在Zn-SiO2镀层中容易迁移,经相同放置时间后,Zn-SiO2复合镀样基体氢含量低于纯锌镀样。缺口试样恒应变速率拉伸实验  相似文献   
12.
研究了在电化学原子氢作用下绝缘NiZnCu铁氧体陶瓷的电阻和介电性能变化,并研究了电化学原子氢处理所用阴极电流密度(30~120 A.m-2)和温度(20~60℃)对氢致半导化的影响。研究结果表明,在原子氢处理初期,绝缘N iZnCu铁氧体陶瓷电阻率急剧下降,出现半导化,然后随处理时间延长而下降减缓,并逐渐趋稳;介电常数随原子氢处理时间延长而逐渐增加,达到一个极大值后,又出现下降。电流密度与温度对铁氧体半导化的速率和程度的影响没有简单的单向关系。在120 A.m-2,40℃下进行原子氢处理时,铁氧体电阻率降低最快,在2 m in内从8.29×108Ω.m下降到1.32Ω.m,下降了近9个数量级,且电阻率下降趋稳后的取值最小。从氢致N iZnCu铁氧体陶瓷半导化的过程,即吸附-侵入-扩散理论解释了温度以及电流密度对半导化的影响。并从电化学原子氢对铁氧体的掺杂和化学反应作用,对NiZnCu铁氧体绝缘陶瓷电阻和介电性能的变化进行了探讨。  相似文献   
13.
由于具有高的绝缘性和热力学稳定性,近年来氧化铒( Er2O3)作为一种新型的阻氚渗透涂层材料受到极大的研究重视.本文采用化学溶液法在316L不锈钢基体上制备了Er2O3阻氚涂层,研究了前躯体液pH值、浓度和晶化处理气氛对涂层结构和性能的影响.结果表明,前躯体液在pH值为7.6~7.8、浓度为0.4 mol/L进行涂覆并在空气气氛中进行晶化处理,可获得表面连续、致密的Er2O3阻氚涂层,涂层与基体的结合力达到7.8 N,涂层绝缘电阻率为106 Ω·m~109Ω·m,绝缘性能、抗热冲击性能良好.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号