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51.
采用选择混合InGaAsP InGaAsP量子阱技术,研制出单脊波导结构的两段可调谐分布布拉格反射(DBR)激光器.激光器的阈值电流为51mA ,可调谐范围为4 6nm ,边模抑制比(SMSR)为40dB .  相似文献   
52.
一种值得重视的新型功能材料——漂珠   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文对漂珠的产生过程、理化性质以及当前应用状况作了介绍 ,并对这种新型功能材料在消防领域的应用前景进行了分析和探讨。  相似文献   
53.
基于OFDM的无线接入技术   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文首先介绍了正交频分复用技术(OFDM)的原理、技术优点,它在无线局域网中的应用特点.然后分析了在宽带无线接入技术中,三种基于OFDM而发展起来的技术,VOFDM、WOFDM和flash-OFDM的性能特点,最后展望了OFDM在未来移动通信系统中的应用.  相似文献   
54.
目的 了解通州区2015—2021年食源性疾病监测病例中副溶血弧菌的脉冲场凝胶电泳(PFGE)优势带型、耐药情况和毒力基因携带情况,为副溶血弧菌感染防控和治疗提供参考数据。方法 对2015—2021年通州区定点监测医院门诊腹泻病例的粪便样本进行副溶血弧菌分离培养,对其进行血清分型、毒力基因检测、PFGE聚类分析及药敏试验。结果 2 828份粪便标本中检出副溶血弧菌100株,检出率为3.54%,每年7~9月是检出高峰月份。不同年份副溶血弧菌检出率差异具有统计学意义(χ2=53.94,P<0.001)。100株副溶血弧菌中有一株未携带tlh基因,89.00%的菌株携带致病性毒力基因tdh。副溶血弧菌优势血清型为O3∶K6(66/100),其次是O4∶K8(9/100)。98株菌副溶血弧菌(2株降解)PFGE分型结果显示副溶血性弧菌有39个PFGE带型,命名为V1-V39,条带相似度在79.6%~100%之间,基因分布呈高度多态性,V22和V25是通州区副溶血弧菌的优势带型。菌株对头孢唑林的耐药率最高(32.00%),其次是氨苄西林(14.00%)和多黏菌素E(13.00%),对四环素类、氯霉素类、氨基糖苷类、碳青霉烯类四类药物100%敏感。结论 通州区2015—2021年食源性疾病监测病例中检出的副溶血弧菌主要是O3∶K6型tdh+- trh-菌株,对头孢唑林,氨苄西林和多黏菌素E耐药。PFGE图谱主要流行菌株带型相似度在93.1%以上,存在暴发风险,食品安全相关部门需做好副溶血弧菌监测及暴发预警工作,预防食源性疾病暴发。  相似文献   
55.
由于各种可再生能源接入渗透率不断提高,互联直流微电网作为一种新型多微电网集群架构,受到了广泛关注。针对互联直流微电网对系统电压稳定以及自主功率分配的要求,考虑到储能虚拟容量和变流器容量限制,提出一种基于电压分区的互联直流微电网多模式协调控制策略。该策略首先在分析互联直流微电网结构的基础上,考虑分布式电源和负荷的波动,将系统调压模式分为并网调压和自治调压。其次在并网和离网状态下,通过实时监测直流电压信息,保障系统各单元在不同电压分区之间的平滑切换,并通过自适应下垂控制实现自主功率均衡分配,满足系统对各单元即插即用的要求。最后利用PSCAD/EMTDC验证了不同运行状态下系统协调控制策略的有效性。  相似文献   
56.
功角稳定性和电压稳定性是电力系统稳定性的两个方面。功角稳定和电压稳定常常交织在一起,若孤立地对某一方面进行研究都是不全面的。对功角稳定和电压稳定的基本概念及两者的关联性研究现状进行论述。分析了小干扰分析法、能量函数法、分叉理论、向量场正规形法、模态级数法等方法,讨论了它们的分析原理、特点、存在的不足和近几年来的研究成果。最后对该领域的研究进行总结并指出了模态级数法可望成为功角稳定和电压稳定关联性研究的有力工具。  相似文献   
57.
无人作战飞机系统综述   总被引:6,自引:2,他引:4  
简要描述了无人作战飞机的发展背景、国外目前的发展方案,分析了无人作战飞机的任务与性能要求,提出了无人作战飞机系统的组成,最后提出了发展无人作战飞机应关注的关键技术。  相似文献   
58.
水基金属防锈剂在河北问世   总被引:1,自引:0,他引:1  
张靖 《材料保护》2004,37(10):46-46
  相似文献   
59.
张瑞康  董雷  王定理  张靖  陈磊  江山  余永林 《半导体学报》2008,29(12):2301-2303
对接生长技术可以独立优化不同区域的波导结构,有利于制作高性能的半导体光电子集成器件. 文中采用MOCVD对接生长技术制作了SGDBR激光器,通过载流子注入,器件准连续调谐范围为35nm,在调谐范围内边模抑制比大于30dB.  相似文献   
60.
采用低压MOCVD技术,通过对接界面和对接工艺的优化,获得了高质量的InGaAsP材料构成的对接波导,测量得到的对接波导光学损耗为7cm-1,说明该技术可以用来制作高质量的光电子集成器件.  相似文献   
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