半导体离子敏感器件国内外发展概况

本文报导了近年来国内外离子敏感器件的发展概况,存在问题及其应用前景。     

p-InP/TiPdAu体系的冶金行为和电学特性

正 (一)引言 近年来InP在光电和微波器件中的应用已引起广泛重视。对InP的欧姆接触和肖特基势垒已有报道,这些结果表明,Bp较Bn大,n-InP的比接触电阻较p-lnP的低。以InP为衬底的多层结构器件中,表面层有时是p-InP,因此研究p-InP与接触金属界面上的冶金行为和电学特性,对改善器件参数和提高器件的可靠性有实际意义。对p-InP与接触金属Pd,Mg/Ag,Au-Zn,Mg/Au,Pd/Ag的界面特性,已有用俄歇电子能谱(AES)和电子探针(EP)进行的研究结果     

InGaAsP/InP双异质结发光管光功率的温度和饱和特性

<正> 一、引 言 石英光纤在1.0～1.7μm范围有低损耗和低色散,因此长波长光纤通信是近年来发展较快的领域.为了使长波长光通信系统实用化,研究可作为这一系统光源用的 InGaAsP/InP双异质结发光管光功率的温度和饱和特性,具有现实意义.     

半导体材料与敏感元件

本文评述了半导体材料(例如Si,Ge,GaAS,InP,CdTe,HgCdTe)的发展情况及其在在新型传感器中的应用。     

履带钢缺陷分析报告

履带钢钢锭出现裂缝多为夹杂物、偏析、疏松等缺陷造成,使其轧合后的结合强度下降,脆性增加,因此剪切时受力不均而产生开裂。